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公开(公告)号：CN118773571A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410791671.8
申请日：2024-06-19
申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院
摘要： 本发明提供了一种热丝CVD制备本征氢化非晶硅膜的方法，涉及太阳能电池技术领域。本发明提供的方法包括以下步骤：在热丝CVD设备内1600‑2200℃的热丝温度、5‑1000sccm的硅烷流量、0.3‑5Pa的压力下，在待镀膜硅片表面沉积缓冲层制得中间体硅片；在1600‑2200℃的热丝温度、5‑1000sccm的硅烷流量、2‑3000sccm的氢气流量、0.3‑5Pa的压力下，在中间体硅片的缓冲层表面沉积主体层，制得沉积有本征氢化非晶硅膜的硅片；其中，所述本征氢化非晶硅膜包括依次沉积成型的缓冲层和主体层。本发明通过采用热丝CVD技术制备本征氢化非晶硅膜能够有效降低设备成本，并且采用多层膜沉积的本征氢化非晶硅膜能够有效抑制外延，可以获得钝化质量的提升，提升少子寿命和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115332398A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211134013.9
申请日：2022-09-16
申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本发明涉及一种低成本金属电极制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1：电极预制：在透明导电氧化物膜上通过物理气相沉积法制备铝电极→S2：电极镀膜保护：在不破真空的条件下，通过物理气相沉积法和非接触掩膜在铝电极的表面镀上金属保护层，完成电极制备，物理气相沉积法包括磁控溅射、离子束溅射、电子束蒸发、热蒸发或电弧离子镀中的任一种。本发明通过使用铝作为电极主体，并采用非接触掩膜形成电极形状，最后在不破真空和相同掩膜的条件下在铝电极上镀一层保护层，采用此种方法制备的低成本金属电极各项性能优于印刷银浆制备的电极，且制备得到的金属电极成本低，使用有望进一步提升太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN217579061U
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202220969342.4
申请日：2022-04-25
申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院
摘要： 本实用新型公开了一种HWCVD设备镀膜腔体，单个腔体内设置多排热丝与多块载板，各载板与所面向的热丝排间的距离是1‑13cm，且各载板与相邻热丝排间距相同或不同，热丝排内相邻热丝间距是1‑13cm，且热丝排内各热丝间距相同或不同。采用本实用新型腔体镀膜不仅可保持各载板镀膜的一致性，而且样品的镀膜温度和镀膜速率也可明显提升，从而实现了设备产能的数倍提升和设备单产能能耗的下降，大幅度降低设备制造成本和设备运营成本。热丝本身也是热源，多排热丝减少了单位热丝能量的损失，结合热丝排与载板间距和热丝排内热丝间距的调整可以非常方便的实现高温镀膜，更有利于制备topcon这类需要高温镀膜条件的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN218274542U
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202222465135.8
申请日：2022-09-16
申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院
IPC分类号： H01L21/673 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C16/458 , C23C16/24
摘要： 本实用新型涉及一种立式HWCVD设备载板，所述载板包括载板条，单排放1‑20片硅片，所述载板条上每块放硅片区域四周三个方向设置有硅片限位结构，防止载板和硅片竖直放置时硅片掉落。本实用新型通过将硅片从没有硅片限位结构一侧插入载板条中，完全插入后硅片位于放硅片区域中，此时硅片限位结构防止硅片掉落，该载板进行topcon所需的非晶硅膜制备，镀膜时硅片温度最高近450度，载板反复镀膜600次，依然可实现硅片稳定的取放，碎片率0.05％，远低于采用永磁体的载板设计0.3％碎片率的水平，不仅可以提高硅片的镀膜质量，而且设计结构简单，成本低。
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公开(公告)号：CN218372504U
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202222465622.4
申请日：2022-09-16
申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院
摘要： 本实用新型涉及一种双面镀膜HWCVD设备的镀膜腔体，包括第一腔体和第二腔体两种热丝排组与载板相对位置不同的腔体组成。第一腔体和第二腔体内有载板直线传输设置，各自有驱动组件保证载板可在两种腔体之间运动。第一腔体的内部设置有第一热丝排组，第二腔体的内部设置有第二热丝排组。本实用新型通过将载板传递于第一腔体中，硅片的一面通过第一热丝排组镀膜，镀膜完成后，驱动组件驱动载板移入第二腔体中，此时第二热丝排组对硅片的另一面镀膜，镀膜完成后，将载板传递到下料腔等其他腔体，破真空后即可取出载板与硅片，该设备可在真空状态下连续对硅片做双面镀膜处理，不仅镀膜效率高，而且无需将硅片取出更换面，避免硅片受到污染。
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