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    一种热丝CVD制备本征氢化非晶硅膜的方法
    1.
    发明公开
    一种热丝CVD制备本征氢化非晶硅膜的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118773571A

    公开(公告)日：2024-10-15

    申请号：CN202410791671.8

    申请日：2024-06-19

    申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院

    发明人： 孟虹辰 ,  吴小元 ,  周浪

    IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明提供了一种热丝CVD制备本征氢化非晶硅膜的方法，涉及太阳能电池技术领域。本发明提供的方法包括以下步骤：在热丝CVD设备内1600‑2200℃的热丝温度、5‑1000sccm的硅烷流量、0.3‑5Pa的压力下，在待镀膜硅片表面沉积缓冲层制得中间体硅片；在1600‑2200℃的热丝温度、5‑1000sccm的硅烷流量、2‑3000sccm的氢气流量、0.3‑5Pa的压力下，在中间体硅片的缓冲层表面沉积主体层，制得沉积有本征氢化非晶硅膜的硅片；其中，所述本征氢化非晶硅膜包括依次沉积成型的缓冲层和主体层。本发明通过采用热丝CVD技术制备本征氢化非晶硅膜能够有效降低设备成本，并且采用多层膜沉积的本征氢化非晶硅膜能够有效抑制外延，可以获得钝化质量的提升，提升少子寿命和光电转换效率。

    一种低成本金属电极制备方法
    4.
    发明公开
    一种低成本金属电极制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115332398A

    公开(公告)日：2022-11-11

    申请号：CN202211134013.9

    申请日：2022-09-16

    申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院

    发明人： 孟虹辰 ,  吴小元 ,  周浪

    IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

    摘要： 本发明涉及一种低成本金属电极制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1：电极预制：在透明导电氧化物膜上通过物理气相沉积法制备铝电极→S2：电极镀膜保护：在不破真空的条件下，通过物理气相沉积法和非接触掩膜在铝电极的表面镀上金属保护层，完成电极制备，物理气相沉积法包括磁控溅射、离子束溅射、电子束蒸发、热蒸发或电弧离子镀中的任一种。本发明通过使用铝作为电极主体，并采用非接触掩膜形成电极形状，最后在不破真空和相同掩膜的条件下在铝电极上镀一层保护层，采用此种方法制备的低成本金属电极各项性能优于印刷银浆制备的电极，且制备得到的金属电极成本低，使用有望进一步提升太阳电池的光电转换效率。

    一种锂离子电池多层硅/碳薄膜负极极片及其制备方法
    6.
    发明公开
    一种锂离子电池多层硅/碳薄膜负极极片及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN114678507A

    公开(公告)日：2022-06-28

    申请号：CN202210381666.0

    申请日：2022-04-12

    申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院

    发明人： 岳之浩 ,  徐国军 ,  周浪 ,  金晨鑫

    IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525

    摘要： 本发明提供了一种锂离子电池多层硅/碳薄膜负极极片及其制备方法，涉及新能源电池材料制备技术领域，包括以下步骤：将集流体装配到夹具上后置入管式炉中抽真空，通入惰性气体至常压后升温到反应温度，通入含硅反应气体生长二维层状硅薄膜，然后升温至反应温度，通入含碳反应气体生长二维层状碳层，最后往复循环生长多层硅/碳薄膜层得到多层硅/碳薄膜负极极片。本发明通过在集流体上原位生长硅层与碳层，免去了传统锂离子电池负极极片需要的匀浆、涂布和烘干等步骤，提高了生产效率；多层的硅/碳薄膜层能够有效缓解体积效应，提高循环寿命，同时多层结构能够提高面负载量；硅层通过掺杂提高了导电性，提升大倍率充放电性能。

    一种锂离子电池用氧化亚硅碳负极材料及其制备方法
    7.
    发明公开
    一种锂离子电池用氧化亚硅碳负极材料及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN114613972A

    公开(公告)日：2022-06-10

    申请号：CN202210363025.2

    申请日：2022-04-08

    申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院

    发明人： 岳之浩 ,  金晨鑫 ,  周浪 ,  徐国军

    IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/583 ,  H01M10/0525

    摘要： 本发明公开了一种锂离子电池用氧化亚硅碳负极材料的制备方法：(1)将氧化亚硅颗粒置于真空热处理炉中；(2)到达设定温度后，通入气态碳源，使氧化亚硅颗粒表面包覆一层碳层；(3)到达设定温度后，通入气态氮源，使氮同时掺入到碳层和氧化亚硅颗粒中；本发明还公开了一种采用上述方法制备得到的锂离子电池用氧化亚硅碳负极材料。本发明中所述负极材料的制备方法可使负极材料的整体导电性能得到提高，同时可使负极材料的体积膨胀效应得到明显抑制，因此有望提升氧化亚硅负极材料的电化学性能。

    一种基于光伏硅切割锯屑制备β相氮化硅的方法
    9.
    发明公开
    一种基于光伏硅切割锯屑制备β相氮化硅的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118004979A

    公开(公告)日：2024-05-10

    申请号：CN202410116645.5

    申请日：2024-01-27

    申请人： 南昌大学共青城光氢储技术研究院

    发明人： 兰宇 ,  尹传强 ,  付玉超 ,  周浪

    IPC分类号： C01B21/068

    摘要： 本发明提供了一种基于光伏硅切割锯屑制备β相氮化硅的方法，涉及非氧化陶瓷材料制备技术领域。本发明提供的方法包括以下步骤：将光伏硅切割锯屑置于混合酸液酸洗2.5‑3.5h后，洗涤干燥制得锯屑原料；其中，所述锯屑原料中金属杂质小于10ppm，氧含量小于2％；将锯屑原料在200‑300℃的氮气气氛中热处理2‑5h后，将锯屑原料在氮气流量450‑550mL/min、温度1475‑1485℃的环境中保温1‑5h热爆氮化后，随炉冷却制得氮化硅样品；刮除所述氮化硅样品表面1.5‑2.5mm的疏松层后破碎，将破碎产物浸泡于氢氟酸液中酸洗10‑30min后，洗涤干燥制得β相氮化硅；所述β相氮化硅中β相含量大于95％，氧含量小于1％。本发明能够对光伏硅锯屑进行高值回收，并且对β相氮化硅的合成工艺简单，成本低廉适合大规模的工业化生产。