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公开(公告)号：CN110212119A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910421159.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明公开了一种镁铝合金电极量子点发光二极管，包括依次层叠设置的玻璃基底、透明电极、空穴注入与传输层、量子点发光层、电子传输层和合金电极，透明电极与电源的正极相连接，合金电极与电源的负极相连接；镁铝合金作为QLED器件结构的金属负电极。本发明利用金属合金负电极结构以期减小金属负电极的功函数，促进电子/空穴平衡，促进辐射复合发光，获得高电光转换效率，采用合金金属电极技术，形成了高效率QLED，延长了发光器件的使用寿命，并且极大的提高了电荷的平衡，使用的材料简单常见、生产难度小、成本较低、实用性强，为人们的生活提供和创造了极大的便利。
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公开(公告)号：CN110041907A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910349315.X
申请日：2019-04-28
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明提供一种ZnS/CdZnS/ZnS蓝光量子点的合成方法，首先利用锌源前驱体与S源前驱体高温热注入法合成油相ZnS量子点，然后经提纯得到ZnS量子点核，再通过外延生长法在ZnS量子点核外包覆CdZnS发光壳层和ZnS无机修饰层，最后通过提纯得到ZnS/CdZnS/ZnS蓝光量子点。本发明通过改变不同CdZnS层厚度来实现不同波段材料的制备，通过调整发光层厚度得到理想的量子产率；中间发光层厚度选择在300℃下合成，可缓解ZnS核与CdZnS发光层之间的晶格适配度，使得CdZnS相干应变层很好地结晶，并随着外壳层ZnS的包覆，量子点的荧光量子产率明显提高，同时还能抑制闪烁，量子点荧光产率高。
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公开(公告)号：CN110356095A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910418378.6
申请日：2019-05-20
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明一种量子点布料的制备方法是将量子点原液进行配体交换后得到量子点粉末，并将其分散于中间层胶质中后，再涂布于PVC保护层上，再在涂布的胶质层上覆盖一层PVC保护层，得到的量子点膜层经固化、封端，制得量子点布料。本发明量子点布料中量子点材料与人体隔离，对人体无害，具有优异的光学特性；通过调整原料及其不同配比，可调制出不同颜色的布料，有持久的着色能力，经久耐用；制作中间层时加入不同形状的模具，能使量子点布料拥有不同形状的图案，为服装或其他装饰提供一种鲜艳美观的布料。
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公开(公告)号：CN110350105A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910599574.8
申请日：2019-07-02
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明提供了一种含二维钙钛矿钝化层的钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1、在透明导电层表面采用溶液法沉积电子传输层；S2、制备钙钛矿量子点发光层：将钙钛矿量子点前驱材料旋涂于所述电子传输层表面，加热后制备得到钙钛矿量子点发光层；S3、制备二维钙钛矿钝化层：先将钝化材料溶解于有机溶剂制备得到钝化溶液，再将所述钝化溶液旋涂于所述钙钛矿量子点发光层表面，加热后制备得到二维钙钛矿钝化层；S4、在所述二维钙钛矿钝化层表面形成空穴传输层；S5、在所述空穴传输层表面形成金属电极层，最后将得到的基片进行封装，得到钙钛矿量子点发光二极管。
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公开(公告)号：CN110299461A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910554402.9
申请日：2019-06-25
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点发光二极管及其制作方法，透明基底与电源的正极相连，阴极与电源的负极相连；制作步骤如下：清洗透明基底，旋涂空穴注入层，旋涂第二空穴传输层，旋涂量子点发光层，旋涂ZnMgO电子传输层，蒸镀Al电极。本发明提高了器件的发光效率，拓宽了辐射复合区域，使更多的量子点能有效工作这将大幅度提高器件的转换效率。从而形成了高效率QLED，延长了发光器件的使用寿命，并且极大的提高了能源利用率，使用的材料简单常见、生产难度小、成本较低、实用性强，为人们的生活提供和创造了极大的便利。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110350105B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201910599574.8
申请日：2019-07-02
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明提供了一种含二维钙钛矿钝化层的钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1、在透明导电层表面采用溶液法沉积电子传输层；S2、制备钙钛矿量子点发光层：将钙钛矿量子点前驱材料旋涂于所述电子传输层表面，加热后制备得到钙钛矿量子点发光层；S3、制备二维钙钛矿钝化层：先将钝化材料溶解于有机溶剂制备得到钝化溶液，再将所述钝化溶液旋涂于所述钙钛矿量子点发光层表面，加热后制备得到二维钙钛矿钝化层；S4、在所述二维钙钛矿钝化层表面形成空穴传输层；S5、在所述空穴传输层表面形成金属电极层，最后将得到的基片进行封装，得到钙钛矿量子点发光二极管。
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公开(公告)号：CN110028970B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910349063.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明提供一种CdZnSe/CdSe/ZnSe绿光量子点制备方法，具体采用前体高温注入法与种子生长法搭配合成，通过调解CdZnSe核中Zn与Cd比例，得到不同尺寸且均一的核量子点，随后在核外包覆薄的CdSe壳层，保证发光波长趋于550 nm左右，另外通过控制反应速率以及温度保证量子点尺寸均一性，最后以ZnS作为外壳层进行表面修饰，同时调控发光波长，使CdZnSe/CdSe/ZnSe量子点的波长位于540 nm左右。本发明CdZnSe/CdSe/ZnSe绿光量子点具有90%的荧光量子产率，半高全宽小于30 nm，在高效量子点发光二极管中有着极大应用前景，能显著进提高发光二极管的光电性能。
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公开(公告)号：CN110055051A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910349059.4
申请日：2019-04-28
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明一种应用于发光二极管的多壳层量子点的制备方法包括CdSe/CdS量子点、CdSe/CdS/CdZnS量子点和CdSe/CdS/CdZnS/ZnS量子点制备步骤。本发明采用在核壳结构量子点中引入晶格失配比较小的中间层，以及具有成分梯度合金核壳结构的量子点作为发光层的合成方法，并应用于量子点发光二极管器件。通过降低晶格失配以及提升量子点的量子产率和稳定性，使器件的发光性能得到显著提高。本发明引入晶格失配比小的中间壳层及包覆厚壳层的量子点作为发光层材料，制备方法简便，易工业化生产，生产成本低，实用性强，可为人们的生活创造更高效的照明光源与显示器件。
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公开(公告)号：CN110184049A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910549515.X
申请日：2019-06-24
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明公开了一种合成高稳定性ZnS蓝光量子点的方法，将硝酸锌和硫化钠溶在乙醇溶液中，将十六烷基三甲基溴化铵、原硅酸四乙酯、乙醇混合，最后将两种反应物充分搅拌后混合，经过超声波浴制得ZnS@SiO2。合成方法为共沉淀法，在合成过程中加入原硅酸四乙酯以及溴化十六烷基三甲铵，形成二氧化硅包覆层。本发明可以在保留ZnS的高发光性能的同时防止其退化现象的发生；减少了量子点粒子团聚，实现了将该材料用作稳定的蓝光荧光粉发射极的可能性，合成方法简单、无毒，可进行商业化生产。
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公开(公告)号：CN110028970A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910349063.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 本发明提供一种CdZnSe/CdSe/ZnSe绿光量子点制备方法，具体采用前体高温注入法与种子生长法搭配合成，通过调解CdZnSe核中Zn与Cd比例，得到不同尺寸且均一的核量子点，随后在核外包覆薄的CdSe壳层，保证发光波长趋于550 nm左右，另外通过控制反应速率以及温度保证量子点尺寸均一性，最后以ZnS作为外壳层进行表面修饰，同时调控发光波长，使CdZnSe/CdSe/ZnSe量子点的波长位于540 nm左右。本发明CdZnSe/CdSe/ZnSe绿光量子点具有90%的荧光量子产率，半高全宽小于30 nm，在高效量子点发光二极管中有着极大应用前景，能显著进提高发光二极管的光电性能。
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