公开(公告)号：CN115128169A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210885204.2

申请日：2022-07-26

申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司

发明人： 胡小刚 ,  姚晨阳 ,  柴聘聘 ,  王天文 ,  吴畅

IPC分类号： G01N29/22 ,  G01N29/32 ,  G01N29/28

摘要： 本发明公开了一种用于IGBT模块的非浸入式超声扫描工装，水槽上开设用于容纳介质的槽体，槽体上开设用于卡接IGBT模块的IGBT模块通孔，IGBT模块通孔上设置有密封机构，顶升限位机构设置在槽体上；检测IGBT模块时，先将IGBT模块的底板通过密封机构密封安装在IGBT模块通孔处，顶升限位机构将IGBT模块紧紧抵靠在IGBT模块通孔处，然后向槽体中注入介质。本发明实现了IGBT模块产品超声扫描时无需浸泡在介质中，在水槽中注入介质即可进行超声波扫描成像，然后将介质从排水孔排出，IGBT模块的核心区域不接触介质，本发明很好地保护待检测的IGBT模块产品不受介质污染，同时避免水汽对IGBT模块产品的破坏，以及其他不可预测的隐患。

公开(公告)号：CN114068501A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111415555.9

申请日：2021-11-25

申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司

发明人： 刘克明 ,  童颜 ,  王豹子 ,  姚二现 ,  胡小刚 ,  陈紫默 ,  莫申扬 ,  刘东明 ,  常飞浩 ,  柴聘聘

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

摘要： 一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。

公开(公告)号：CN218674858U

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202221939065.9

申请日：2022-07-26

申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司

发明人： 胡小刚 ,  姚晨阳 ,  柴聘聘 ,  王天文 ,  吴畅

IPC分类号： G01N29/04 ,  G01N29/22

摘要： 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的非浸入式超声扫描工装，水槽上开设用于容纳介质的槽体，槽体上开设用于卡接IGBT模块的IGBT模块通孔，IGBT模块通孔上设置有密封机构，顶升限位机构设置在槽体上；检测IGBT模块时，先将IGBT模块的底板通过密封机构密封安装在IGBT模块通孔处，顶升限位机构将IGBT模块紧紧抵靠在IGBT模块通孔处，然后向槽体中注入介质。本实用新型实现了IGBT模块产品超声扫描时无需浸泡在介质中，在水槽中注入介质即可进行超声波扫描成像，然后将介质从排水孔排出，IGBT模块的核心区域不接触介质，本实用新型很好地保护待检测的IGBT模块产品不受介质污染，同时避免水汽对IGBT模块产品的破坏，以及其他不可预测的隐患。

公开(公告)号：CN216849931U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202122916327.1

申请日：2021-11-25

申请人： 南瑞联研半导体有限责任公司

发明人： 刘克明 ,  童颜 ,  王豹子 ,  姚二现 ,  胡小刚 ,  陈紫默 ,  莫申扬 ,  刘东明 ,  常飞浩 ,  柴聘聘

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

摘要： 本实用新型公开一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本实用新型结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。