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公开(公告)号：CN113725190A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN115642138A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211488224.2
申请日：2022-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种压接式IGBT模块，本发明在发射极电极和集电极电极之间的内腔内设置导电液结构体，在任一芯片失效时，芯片失效点与失效芯片的上钼片产生烧穿壳体的电弧，导电液从烧穿处流出，覆盖内腔内所有芯片及芯片周边空间，从而短接覆盖的导电结构，实现发射极电极和集电极电极的良好稳固性短路，使压接式IGBT模块具有稳定的长期短路失效功能。
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公开(公告)号：CN115128169A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210885204.2
申请日：2022-07-26
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT模块的非浸入式超声扫描工装，水槽上开设用于容纳介质的槽体，槽体上开设用于卡接IGBT模块的IGBT模块通孔，IGBT模块通孔上设置有密封机构，顶升限位机构设置在槽体上；检测IGBT模块时，先将IGBT模块的底板通过密封机构密封安装在IGBT模块通孔处，顶升限位机构将IGBT模块紧紧抵靠在IGBT模块通孔处，然后向槽体中注入介质。本发明实现了IGBT模块产品超声扫描时无需浸泡在介质中，在水槽中注入介质即可进行超声波扫描成像，然后将介质从排水孔排出，IGBT模块的核心区域不接触介质，本发明很好地保护待检测的IGBT模块产品不受介质污染，同时避免水汽对IGBT模块产品的破坏，以及其他不可预测的隐患。
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公开(公告)号：CN114284160B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202111399915.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
Abstract: 本发明公开了IGBT制备技术领域的一种IGBT模块功率端子焊接定位组件及方法，包括端子位置限位，所述端子位置限位固定放置于一DBC限位板上，且端子位置限位表面开设有多个供带焊片的功率端子组插设定位的挖空槽，所述带焊片的功率端子组之间设有使二者与端子位置限位保持垂直的端子间距限位，所述DBC限位板放置于一基板上，且DBC限位板内放置有DBC和DBC焊片。本发明能够保证产品的可靠性，提高模块端子焊接的一致性。
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公开(公告)号：CN113725190B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284160A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111399915.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
Abstract: 本发明公开了IGBT制备技术领域的一种IGBT模块功率端子焊接定位组件及方法，包括端子位置限位，所述端子位置限位固定放置于一DBC限位板上，且端子位置限位表面开设有多个供带焊片的功率端子组插设定位的挖空槽，所述带焊片的功率端子组之间设有使二者与端子位置限位保持垂直的端子间距限位，所述DBC限位板放置于一基板上，且DBC限位板内放置有DBC和DBC焊片。本发明能够保证产品的可靠性，提高模块端子焊接的一致性。
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公开(公告)号：CN218974503U
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202222876499.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种便于更换的IGBT模块测试装置，属于IGBT模块检测技术领域，包括基座，所述基座上设有夹持模组、定位板和探针板；所述定位板上开设有多个第一通孔和第二通孔，所述基座上固定连接有多个导柱，所述定位板外边缘处布设有与导柱数量一致的第三通孔，所述导柱通过第三通孔与定位板连接；所述探针板上设有多个探针，所述IGBT模块上的端子穿过第一通孔和第二通孔与探针接触进行电性能测试；所述探针底部连接有导线，所述探针板上的探针穿过基座通过导线电性连接于基座的插头；所述插头与外置电源连接；当遇到不同种类的IGBT模块进行电性能测试时，只需更换与待测IGBT模块型号相同的定位板和探针板即可，进一步增强了测试装置的适用性能。
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公开(公告)号：CN216849841U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202122886138.4
申请日：2021-11-19
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
Abstract: 本实用新型公开了IGBT制备技术领域的一种IGBT模块功率端子焊接定位组件，包括端子位置限位，所述端子位置限位固定放置于一DBC限位板上，且端子位置限位表面开设有多个供带焊片的功率端子组插设定位的挖空槽，所述带焊片的功率端子组之间设有使二者与端子位置限位保持垂直的端子间距限位，所述DBC限位板放置于一基板上，且DBC限位板内放置有DBC和DBC焊片。本实用新型能够保证产品的可靠性，提高模块端子焊接的一致性。
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公开(公告)号：CN215034777U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202023146534.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K37/04
Abstract: 本实用新型公开了一种可实现自动化取放的高压IGBT模块焊接限位工装，基板（2）上可拆卸固定安装若干个衬板（4），其特征在于，包括焊接托盘（1）和限位框（3），所述焊接托盘（1）上开设有容纳基板（2）的凹槽，所述限位框（3）将所述基板（2）可拆卸地固定安装于所述焊接托盘（1）上，所述限位框（3）上贯穿开设有用于限位衬板（4）的定位框。还包括若干个用于将衬板（4）分隔开的定位块（6），所述定位块（6）安置在若干个衬板（4）的交界连接处。本实用新型能够保证衬板子单元位置相对固定，装配过程简单易操作。
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公开(公告)号：CN213459658U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022367682.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT键合的通用工装，包括支撑板、吸附机构和压合机构，所述吸附机构包括贯穿支撑板的若干真空吸附孔以及与真空吸附孔相连通的真空回路，所述压合机构包括设于支撑板上方的压板、与压板固定相连的升降杆以及能够控制升降杆升降的气动装置。本实用新型在产品键合前无需频繁更换键合工装，只需要根据产品的类型选择合适的固定方式，操作简单，使用寿命长。
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