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公开(公告)号：CN114497189B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210132759.X
申请日：2022-02-14
Applicant: 南通大学
IPC: H10D62/10 , H10D8/50 , H10D8/01 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法。此器件主要结构为圆柱结构，自下至上依次为N+型SiC衬底层、N‑型SiC漂移层、P+型SiC层；此器件的三个JTE结构，环绕P+型SiC层呈同心圆状自内向外扩展，同为P型杂质掺杂，但掺杂大小和均匀度各不相同；上下电极分别自P+型SiC层与N+型SiC衬底层处引出。其中G‑JTE2层的渐变杂质掺杂，是通过引入石墨烯作为掩膜层的离子注入技术及掩膜层的垂直位移控制技术来实现的。本发明创造性地改进了SiC渐变杂质掺杂的工艺和器件JTE结构，能够降低JTE技术中设计杂质浓度的难度，增大器件的击穿电压与JTE层掺杂剂量窗口。
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公开(公告)号：CN119328823A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411597460.7
申请日：2024-11-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种高效的电脑双线下刀式分纸装置，包括机壳和分切装置，机壳的表面固定连接有支架，支架的表面设置有分切装置，分切装置包括连接块一和连接块二，连接块一和连接块二的个数均有两个，两个连接块一与支架的内壁滑动连接，两个连接块二与支架的内壁固定连接，两个连接块一和连接块二的内壁分别转动连接有旋转架一和旋转架二，旋转架一的内壁转动连接有三组不同尺寸的上刀体，通过设置分切装置，可以根据纸张分切的尺寸自动旋转切换至相对应的分纸刀具进行切割，减少人工手动调整或者更换，造成操作麻烦，效率低下的现象，从而提高了设备调整时的速度，提高了纸张分切时的工作效率。
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公开(公告)号：CN119262666A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411547830.6
申请日：2024-11-01
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及刮板输送机技术领域，具体为一种刮板输送机空间双链直角转弯组件，包括机架，所述机架的表面设置有导料装置，所述导料装置包括导料槽和刮料板，所述导料槽位于机架的表面开设，所述刮料板位于导料槽中，所述导料槽的内壁固定连接有定位导轨，所述刮料板的表面开设有定位槽，所述定位导轨插设在定位槽中，所述刮料板的表面开设有两个对称设置的定位孔。本发明，本方案中刮板输送机实现了直角输送物料，同时采用一体式刮料板，降低刮料板在使用中出现脱离的情况，确保设备正常运行，同时采用内凹的方式设计倾斜槽，有效将物料堆积在机架拐角处的内侧，确保设备可稳定对物料进行输送，提高了刮板输送机的工作效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN116995101A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310851956.1
申请日：2023-07-12
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及功率二极管领域，公开了一种外磁场增强击穿电压的多结端扩展碳化硅功率二极管，该二极管为沿着中心对称的圆柱形结构，包括自下而上依次层叠的n+型SiC衬底层、i型SiC外延层；在i型SiC外延层顶面设有圆片形的p+型SiC层，在p+型SiC层的外周呈同心圆状拓展形成JTE‑1层和JTE‑2层；在p+型SiC层、JTE‑1层和JTE‑2层顶面设置有环状结构的SiO2层，在SiO2层内掺杂形成同心环状结构的第一纳米永磁性颗粒区和第二纳米永磁性颗粒区，在碳化硅二极管正上方施加一个永磁体。本发明采用内外磁场的共同作用，使得JTE终端结构内的空穴纵向分布更加均匀，提高碳化硅功率二极管的击穿电压。
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公开(公告)号：CN116367553A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310194315.3
申请日：2023-03-03
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开一种极化电场调控的碳化硅功率二极管结构及其制备方法。该方法引入热释电材料聚偏二氟乙烯(PVDF)，通过给该材料提供一定强度的电场，使材料发生极化效应，在器件内部产生超强电场，利用极化电场实现对器件内部电场分布的调控，延伸器件的耗尽区，提高碳化硅功率二极管的击穿电压。该材料产生的极化电场方向根据外加电场的方向改变，通过为该材料提供不同方向的电场使该材料产生方向不同的超强极化电场，且极化后产生的电场可长时间保持，可以同时分别实现场板、沟槽以及场浮环功能，实现对功率二极管内部的电场调控，调节器件内部电场的不均匀分布。本发明不仅拥有大击穿电压，而且制备工艺简单，难度低，大大提高了功率二极管的工作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116133502A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310066043.9
申请日：2023-01-16
Applicant: 南通大学
IPC: H10N19/00
Abstract: 本发明公开了一种高温保护的GaN/SiC共源共栅开关器件，包括高压低频耗尽型的SiC JFET器件、低压高频增强型的GaN HEMT器件以及连接SiC JFET器件和GaN HEMT器件并集成封装在同一基板上的热释电器件；其中，所述热释电器件包括自发极化的热释电复合材料层。本发明利用热释电器件对温度变化敏感的热释电效应和共源共栅开关器件工作在高频、高压、大电流的环境中自身产生的热量，避免共源共栅器件中SiC JFET器件发生热失控或者GaN/SiC共源共栅开关器件发生短路时GaN HEMT器件被击穿，保护电路中的共源共栅开关中的SiC JFET器件和GaN HEMT器件。
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公开(公告)号：CN114335191A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111648809.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 南通大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本申请公开一种低噪声与低工作电压的微波二极管及其制备方法，该微波二极管是由硒化铟(InSe)与黑磷(BP)组成的垂直异质结结构。本发明创造性地将制备碰撞离化雪崩渡越时间(IMPATT)微波二极管的传统材料替换成二维材料BP，并利用BP所独有的弹道雪崩机制，一种无散射的量子相干输运雪崩模式，使得该发明中IMPATT微波二极管在雪崩噪声方面明显低于传统雪崩器件，雪崩阈值电压也比传统器件降低2至3个数量级。除此之外，本发明还利用BP的双极性特征使得在制备IMPATT二极管时不需要对材料进行化学掺杂，降低器件的制备难度。与传统材料制备而成的IMPATT二极管相比，本发明中的IMPATT二极管不仅拥有较低的雪崩噪声与雪崩击穿电压，而且制备简单，从而大大提高了器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN113964198A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111227322.6
申请日：2021-10-21
Applicant: 南通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种散热型常闭型氮化镓异质结场效应晶体管结构及其制造方法，所述器件(p‑GaN/AlGaN/GaN HFET)包括异质结构与所述异质结构连接的源极、漏极、栅极和钝化层。本发明选择将氮化铝(AlN)作为新的钝化层材料，通过全氮化物半导体工艺，来替换传统器件中的氮化硅与氧化硅等钝化层。为避免AlN钝化层与势垒层表面产生的二维电子气影响器件的常闭状态，利用能带工程设计方法生长一层AlN，再通过间隔刻蚀钝化层保持器件的常闭状态。本发明所生长了AlN钝化层的常闭型p‑GaN/AlGaN/GaN HFET，在导通工作时能够使晶体管内的晶格温度分布均匀且峰值温度降低，提高了器件的散热性能。此外，通过使用全氮化物半导体工艺来实现制造p‑GaN/AlGaN/GaN HFET，不会影响器件制作工艺的复杂程度，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN112164730A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010934937.1
申请日：2020-09-08
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18 , G01N27/12 , G01J1/42 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明公开了一种防火报警装置用探测器，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN缓冲层、n型Al0.4Ga0.6N层、i型Al0.4Ga0.6N势垒层、p型Al0.4Ga0.6N层和p型GaN层；所述p型GaN层上还生长有具有周期性的多量子阱相耦合而成的i‑GaN/i‑Al0.3Ga0.7N超晶格结构层；所述i‑GaN/i‑Al0.3Ga0.7N超晶格结构层的顶部生长有GaN纳米线阵列；所述GaN纳米线阵列顶部设有交叉指状电极。本发明集成了GaN纳米线阵列，不仅使得防火报警装置用探测器具有了多功能性的特点，即同时实现了红外光，紫外光和烟雾探测，还有效地降低了误报率。同时能够检测烟雾中的一氧化碳，二氧化硫，二氧化碳，实现了防火报警装置用探测器的多功能性，高可靠性，高准确性，高安全性以及高实用性，使烟雾报警器的运用更加广泛。
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公开(公告)号：CN111952396A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010805627.X
申请日：2020-08-12
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种室温InAsSb纳米线中红外光电探测器及制备方法，其中，探测器包括：衬底；二氧化硅介质层，设于衬底上；InAsSb纳米线，外部包覆Al2O3介质层并设于二氧化硅介质层上；所述InAsSb纳米线一端引出有第一电极，另一端引出有第二电极；所述第一电极和第二电极均设置于二氧化硅介质层上；铁电薄膜栅，旋涂在Al2O3介质层上；透明栅电极，设置于铁电薄膜栅顶部。本发明的探测器工作时，外部的铁电薄膜栅能够有效抑制器件暗电流，内部的Al2O3介质层能够降低表面非辐射复合中心密度，达到减小室温下器件暗电流的目的，增强了InAsSb纳米线表面对可见光生电子的束缚作用，从原理上解决了传统InAsSb纳米线红外探测器只能工作在低温下的缺陷，最终保证了室温环境下的有效性。
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