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公开(公告)号：CN102969344B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210444357.X
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/41 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/10
摘要： 一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；位于半导体基底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘表面的第一开口；位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面；位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。焊球与柱状电极构成类似插销的结构，提高了焊球与柱状电极之间的结合力。
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公开(公告)号：CN102931159B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210445565.1
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 林仲珉
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： 一种半导体封装结构，包括：芯片，所述芯片表面具有金属互连结构，位于所述芯片表面且暴露出所述金属互连结构的绝缘层；位于所述金属互连结构上的柱状电极；位于所述柱状电极侧壁表面、顶部表面的扩散阻挡层；位于所述绝缘层表面且覆盖柱状电极侧壁的扩散阻挡层的钝化层，所述钝化层表面与所述柱状电极顶部的扩散阻挡层表面齐平；位于所述扩散阻挡层表面的焊球。由于所述焊球位于所述暴露出的扩散阻挡层表面，扩散阻挡层使得柱状电极与焊球相隔离，不会形成锡铜界面合金化合物，所述焊球不容易从柱状电极脱落。
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公开(公告)号：CN102931101B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210444530.6
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01L2224/1134 , H01L2224/13 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/1354 , H01L2224/13582 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
摘要： 一种芯片封装方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；在所述金属焊盘上形成球下金属电极；在所述球下金属电极表面形成焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。本发明的芯片封装方法增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN102931158B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210443748.X
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 林仲珉
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要： 一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极，所述球下金属电极具有电极体部和电极尾部，所述电极体部位于所述球下金属电极底部且与所述金属焊盘相接，所述电极尾部位于所述球下金属电极顶部；位于所述球下金属电极表面的焊球。本发明的芯片封装结构的球下金属电极和焊球之间的附着力强，可靠性高。
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公开(公告)号：CN104966118A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510313801.8
申请日：2015-06-09
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： G06K19/077 , G06K19/02
摘要： 本发明提供一种电子标签封装结构和方法，所述结构包括：热熔连接成为密封壳体的上壳体和下壳体，以及密封在所述密封壳体中的电子标签芯片；所述下壳体的上表面设有内部放置所述电子标签芯片的第一圆形凸环；所述上壳体的下表面边缘设有第二圆形凸环；所述第一圆形凸环的高度大于所述电子标签芯片的高度；所述第二圆形凸环的内径大于所述第一圆形凸环的外径。本发明通过超声波设备对下壳体的第一圆形凸环和上壳体的第二圆形凸环施加振动及压力，使上壳体和下壳体热熔后密封连接，将电子标签芯片封装在密封壳体内，避免了封装过程中因定位困难或注塑高温高压对电子标签芯片造成损害，具有结构简单、操作简便、提高产品良率等优点。
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公开(公告)号：CN102931110B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210444454.9
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体器件的封装方法，包括：提供表面具有焊盘的芯片；形成位于所述芯片表面的钝化层和凸点，所述钝化层具有暴露出焊盘的开口，所述凸点位于所述开口内、且其尺寸小于所述开口的尺寸；形成覆盖所述凸点的顶部、侧壁以及开口底部的焊球。形成的半导体器件不易短路，且焊球与凸点间的结合强度高，半导体器件的性能稳定。
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公开(公告)号：CN102931098B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210444096.1
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： 一种芯片封装方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；在所述金属焊盘上形成球下金属电极，所述球下金属电极具有电极体部和电极尾部，所述电极体部位于所述球下金属电极底部且与所述金属焊盘相接，所述电极尾部位于所述球下金属电极顶部；在所述球下金属电极表面形成焊球。本发明的芯片封装方法提升了产品可靠性，制造成本低。
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公开(公告)号：CN104078759A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410303076.1
申请日：2014-06-27
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
摘要： 一种射频识别天线的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的载板；在第一区域上形成若干包括第一端和第二端的第一金属线，在第二区域上形成若干包括第三端和第四端的第二金属线；形成将第N条第一金属线第二端与第N-1条第二金属线第四端电连接第一金属连接线，将第N条第二金属线的第四端与第N-1条第一金属线的第二端电连接第二金属连接线，将第N-1条第一金属线的第一端与第N-2条第二金属线的第三端电连接第三金属连接线，将第N-1条第二金属线的第三端与第N-2条第一金属线的第一端电连接第四金属连接线，将第一条第一金属线的第二端和第一条第二金属线的第四端电连接第五金属连接线。形成的射频识别天线的体积减小。
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公开(公告)号：CN104036317A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410305567.X
申请日：2014-06-27
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 林仲珉
IPC分类号： G06K19/077
摘要： 一种电子标签的形成方法，包括：提供载板，所述载板包括第一区域和第二区域；在载板的第一区域上形成射频识别天线，所述射频识别天线包括第一端和第二端，所述第一端呈螺旋环状向外延展到第二端；提供射频集成芯片，所述射频集成芯片包括第一接口和第二接口；将所述射频集成芯片贴合于载板的第二区域表面；通过引线键合工艺形成第一金属连接线和第二金属连接线，所述第一金属连接线将射频识别天线的第一端与射频集成芯片的第一接口电连接，第二金属连接线将射频识别天线的第二端与射频集成芯片的第二接口电连接。本发明的电子标签占据的面积小，并且射频识别天线的重复性高，电学性能提升。
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公开(公告)号：CN102969344A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210444357.X
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/41 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/10
摘要： 一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；位于半导体基底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有暴露所述焊盘表面的第一开口；位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和贯穿所述本体的通孔，所述通孔暴露焊盘表面；位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部的金属凸头和填充满所述通孔的填充部。焊球与柱状电极构成类似插销的结构，提高了焊球与柱状电极之间的结合力。
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