一种高矫顽力的R-T-B永磁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118231078A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410659498.6

    申请日:2024-05-27

    Abstract: 一种高矫顽力的R‑T‑B永磁体及其制备方法和应用。本发明的R‑T‑B永磁体的制备方法包括:(1)制备得到复合磁粉:将包材颗粒包覆在母材粉末颗粒的表面得到所述复合磁粉;(2)将步骤(1)中的复合磁粉分别经过压型处理、热处理,任选的进行扩散处理,制备得到所述R‑T‑B永磁体。本发明通过在母材粉末颗粒表层均匀包覆低熔点晶界合金,有效的降低了晶界相熔点,降低了永磁体烧结温度,大幅降低了永磁体生产成本;同时可以使磁体内主相被晶界相均匀包裹,有效隔绝主相晶粒间的磁交换耦合作用,降低晶界缺陷,从而显著提升永磁体的矫顽力。

    R-T-B-M系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118486518B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410947526.4

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B‑M系永磁材料及其制备方法和应用,所述永磁材料由主相和晶界相组成,其中晶界相至少包括R‑T‑Cu‑Ga‑O相;其中,M选自Cu、Ga、Al、Zr、Ti、Sn、Ta和Mn中的一种或多种;R选自稀土元素;T为至少包含铁(Fe)的过渡金属;B为硼。本发明所述R‑T‑B‑M系永磁材料的制备方法中,所述永磁材料经热处理后,可在晶界相中形成R‑T‑Cu‑Ga‑O相,该相沿晶界处均匀分布,可抑制晶粒的异常长大,降低R‑T‑B‑M系永磁材料对烧结处理温度的敏感性,防止永磁材料出现因晶粒异常长大而导致矫顽力Hcj性能下降的现象。

    一种永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118016393A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202311857879.7

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种永磁材料及其制备方法和应用,所述永磁材料至少存在一个截面,从磁体表面向磁体芯部,所述截面被分为N个区域,其中3≤N≤10,相邻区域交界处的矫顽力相同,且沿磁体表面到磁体芯部,在与取向方向平行的方向上、各区域的交界处的矫顽力逐渐降低。本发明的永磁材料通过控制特定方向的矫顽力梯度大小,使永磁材料的矫顽力分布满足电机对于磁体的实际需求,同时有效减少磁体中的重稀土含量,降低产品成本,且本发明方法便于批量生产。本发明的永磁材料在不同区域的矫顽力与剩磁特征不同,以使不同区域的抗退磁效果不同,从磁体表面到芯部,均能保证磁体在应用时的抵抗磁性能衰减,实现稳定应用。

    具有多面体结构的永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117854867A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311857881.4

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种具有多面体结构的永磁材料及其制备方法和应用,所述永磁材料R‑T‑B系中,R包括轻稀土元素和重稀土元素;所述轻稀土元素(RL)至少包括选自钕(Nd)和镨(Pr)中的一种或两种;所述重稀土元素(RH)至少包括选自镝(Dy)和铽(Tb)中的一种或两种;T至少包含铁(Fe);B为硼;所述永磁材料具有多面体结构,所述多面体结构包括至少3个外表面,其中所述多面体结构外表面的重稀土含量不相同。本发明通过控制特定方向的矫顽力降速,可以实现在矫顽力分布满足电机对于磁体的实际需求,同时有效减少磁体中的重稀土含量,降低产品成本,且工艺方法便于批量生产。

    R-T-B-M系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118486518A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410947526.4

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B‑M系永磁材料及其制备方法和应用,所述永磁材料由主相和晶界相组成,其中晶界相至少包括R‑T‑Cu‑Ga‑O相;其中,M选自Cu、Ga、Al、Zr、Ti、Sn、Ta和Mn中的一种或多种;R选自稀土元素;T为至少包含铁(Fe)的过渡金属;B为硼。本发明所述R‑T‑B‑M系永磁材料的制备方法中,所述永磁材料经热处理后,可在晶界相中形成R‑T‑Cu‑Ga‑O相,该相沿晶界处均匀分布,可抑制晶粒的异常长大,降低R‑T‑B‑M系永磁材料对烧结处理温度的敏感性,防止永磁材料出现因晶粒异常长大而导致矫顽力Hcj性能下降的现象。

    一种高矫顽力的R-T-B永磁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118231078B

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410659498.6

    申请日:2024-05-27

    Abstract: 一种高矫顽力的R‑T‑B永磁体及其制备方法和应用。本发明的R‑T‑B永磁体的制备方法包括:(1)制备得到复合磁粉:将包材颗粒包覆在母材粉末颗粒的表面得到所述复合磁粉;(2)将步骤(1)中的复合磁粉分别经过压型处理、热处理,任选的进行扩散处理,制备得到所述R‑T‑B永磁体。本发明通过在母材粉末颗粒表层均匀包覆低熔点晶界合金,有效的降低了晶界相熔点,降低了永磁体烧结温度,大幅降低了永磁体生产成本;同时可以使磁体内主相被晶界相均匀包裹,有效隔绝主相晶粒间的磁交换耦合作用,降低晶界缺陷,从而显著提升永磁体的矫顽力。

    一种磁性材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114284016A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111387171.0

    申请日:2021-11-22

    Abstract: 本发明提供一种磁性材料及其制备方法和应用。所述R‑T‑B系磁体含有Al元素,所述Al元素在晶界中的浓度大于其在晶粒中的浓度,所述R‑T‑B系磁体由扩散源对R‑T‑B系烧结基体进行扩散处理得到。本发明提供的稀土烧结R‑T‑B系磁体,具有表面向中心处呈梯度分布的Al元素和重稀土元素,通过控制R‑T‑B系烧结基体中关键元素的含量、采用辅助扩散材、控制扩散处理方式,使得重稀土元素进一步向磁体内部扩散,所得磁体的Hcj较扩散前的磁体基体具有明显的提升。

    一种高矫顽力、高耐蚀性钕铁硼磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN116825469A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202311006000.8

    申请日:2023-08-10

    Abstract: 本发明提供了一种高矫顽力、高耐蚀性钕铁硼磁体及其制备方法。所述钕铁硼磁体的晶界处包括稀土无机金属盐和非稀土金属氮化物。本发明是以稀土无机金属盐为扩散源,为了提高稀土无机金属盐的渗透率,通过对钕铁硼磁体基体的晶界改造,在中磨和/或气流磨工序和/或压型工序中添加非稀土金属氮化物,为后续的稀土无机金属盐的晶界扩散建立扩散“锚点”。本发明制备的钕铁硼磁体的晶界细长而连续,在晶界处有明显的稀土无机金属盐的富集,依靠稀土无机金属盐以及非稀土金属氮化物对晶粒的钉扎作用,使钕铁硼磁体在外磁场及高温的环境下,主相晶粒更难以被翻转,可以明显提高钕铁硼磁体的抗退磁能力。

    一种高矫顽力Nd-Fe-B系烧结磁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115083714A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210800345.X

    申请日:2022-07-06

    Abstract: 本发明公开了一种高矫顽力Nd‑Fe‑B系烧结磁体及其制备方法和应用,所述烧结磁体按质量比为100%计,包括如下成分:R 26~37wt%,其中,R为包括Nd的至少一种稀土元素;Mn 0.07~0.23wt%;B 0.8~1wt%;M 0.5~4wt%,所述M包括Cu和/或Al,还包括选自Co、Ti、Ni、Zr、Ga中的至少一种;余量为Fe。本发明将含Mn辅助合金粉末,与无Mn的钕铁硼主合金粉末混合后制备Nd‑Fe‑B烧结磁体,含Mn辅助合金粉末中除了本发明范围内的Mn元素,还必须含有金属Cu、Al的至少一种,Mn可以和主相中的部分Fe置换,使晶界有益元素固溶在主相中的量减少,从而提高矫顽力。

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