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公开(公告)号：CN114446667B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210047048.2
申请日：2022-01-17
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 本发明涉及电容器制造技术领域，公开了一种高介电常数电极箔的制备方法，包括以下步骤：将腐蚀箔浸泡在氟钛酸铵的水溶液中，通过浸泡过程中的参数调控，在腐蚀箔表面生成一层厚度≤1.0 nm的二氧化钛氧化层，通过预化成在其上形成一层薄的三氧化二铝层，再浸泡在氟钛酸铵的水溶液中，生成新的二氧化钛氧化层。该方法获得的复合膜层既有效提升了复合膜中二氧化钛的含量，又不会因为结晶颗粒过大而导致漏电流增大。相比于一般化成工艺，利用本发明公开方法制备的高介电常数铝电极箔容量提升为15~30%。
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公开(公告)号：CN113628888A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202111177085.7
申请日：2021-10-09
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 本发明涉及腐蚀箔制造工艺技术领域，公开了一种孔长高一致性的腐蚀铝箔的制备方法，包括以下步骤：a）、将铝箔放在一种新型的前处理液中施加短时间的大直流电流进行前处理生成腐蚀起始点；b）、在一次腐蚀液中进行发孔腐蚀；c）、在二次腐蚀液中进行扩孔腐蚀；d）热处理后得到腐蚀铝箔。所述新型前处理液主要为混酸和葡萄糖的混合水溶液，腐蚀起始点分布情况易于掌握，前处理过程中通过对新型前处理液的相应浓度、温度的控制实现对腐蚀起始点的控制。由该工艺制备得到的腐蚀铝箔表面孔分布更均匀，孔长一致性好，能有效提高腐蚀铝箔弯折和电性能。
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公开(公告)号：CN113026087B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110583523.3
申请日：2021-05-27
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
IPC分类号： C25F3/04 , C25D11/12 , C25D11/06 , C22F1/04 , C21D1/26 , C23F17/00 , C21D9/46 , H01G9/055 , H01G9/045
摘要： 本发明公开一种汽车电子用纳微孔结构铝电极箔的制备方法，包括腐蚀和化成两个部分。腐蚀过程包括两次前处理、多级发孔、中处理、多级扩孔、后处理、清洗、热处理等步骤；化成过程包括前处理、多级化成、磷酸处理、一次修补化成、热处理、二次修补化成、干燥等步骤。两次前处理在确保清洗效果的同时能让铝箔表面的蚀孔发生位点充分暴露，避免后续处理时产生无效孔和并孔，蚀孔大小和分布更均一，扩面效率提升；腐蚀过程中的后处理步骤和热处理相结合，在腐蚀箔表面生成一层薄的多孔三氧化二铝氧化层，可避免其在存运过程中遭到侵蚀和污染，化成时还能降低能耗。
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公开(公告)号：CN113106518A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110418776.5
申请日：2021-04-19
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 本发明公开一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法，主要包括五级化成处理、一次水洗、中处理、一次热处理、一次修补化成、二次水洗、耐水合处理、二次热处理、二次修补化成和烘干处理过程，中处理步骤是将经过一次水洗后的铝箔放入0.5~5 wt%的氨水溶液中，在30~50℃下浸渍处理0.5‑3 min实现；一次热处理温度为400~450℃，处理时间4~6 min。中处理过程可消除化成箔表面的水合膜，使得有机高分子能顺利进入电容器，进而提升器件的容量引出率；且水合膜较结晶型氧化膜的间隙大，会导致铝电解电容器的漏电流大，经过中处理步骤消除了水合膜后即可很好的解决该问题，进而有效降低化成箔的漏电流。
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公开(公告)号：CN113026087A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110583523.3
申请日：2021-05-27
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
IPC分类号： C25F3/04 , C25D11/12 , C25D11/06 , C22F1/04 , C21D1/26 , C23F17/00 , C21D9/46 , H01G9/055 , H01G9/045
摘要： 本发明公开一种汽车电子用纳微孔结构铝电极箔的制备方法，包括腐蚀和化成两个部分。腐蚀过程包括两次前处理、多级发孔、中处理、多级扩孔、后处理、清洗、热处理等步骤；化成过程包括前处理、多级化成、磷酸处理、一次修补化成、热处理、二次修补化成、干燥等步骤。两次前处理在确保清洗效果的同时能让铝箔表面的蚀孔发生位点充分暴露，避免后续处理时产生无效孔和并孔，蚀孔大小和分布更均一，扩面效率提升；腐蚀过程中的后处理步骤和热处理相结合，在腐蚀箔表面生成一层薄的多孔三氧化二铝氧化层，可避免其在存运过程中遭到侵蚀和污染，化成时还能降低能耗。
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公开(公告)号：CN113026073A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110569810.9
申请日：2021-05-25
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 一种特高压电极箔的化成方法，涉及电极箔技术领域，包括如下步骤：步骤1：将腐蚀箔在温度95℃以上的硅酸盐溶液中浸煮，得到预处理箔；步骤2：将预处理箔在硼酸、五硼酸铵溶液中化成，得到一级化成箔；步骤3：将一级化成箔在硼酸、五硼酸铵溶液中化成，得到二级化成箔；步骤4：将二级化成箔在硼酸、五硼酸铵、戊烯二酸铵溶液中经多级化成，得到最终的化成箔产品；本发明的有益效果为：电解液成份简单易于生产控制，废水处理相对简单；本发明不通过降低化成液电导率来提高闪火电压，化成过程的无效电量损耗大大降低，化成箔表面无闪火斑，氧化膜介电性能好，产品升压时间小于150秒，漏电流小于12μA/cm2，适合于1000‑1500V特高压电极箔的生产需要。
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公开(公告)号：CN113106518B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110418776.5
申请日：2021-04-19
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 本发明公开一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法，主要包括五级化成处理、一次水洗、中处理、一次热处理、一次修补化成、二次水洗、耐水合处理、二次热处理、二次修补化成和烘干处理过程，中处理步骤是将经过一次水洗后的铝箔放入0.5~5 wt%的氨水溶液中，在30~50℃下浸渍处理0.5‑3 min实现；一次热处理温度为400~450℃，处理时间4~6 min。中处理过程可消除化成箔表面的水合膜，使得有机高分子能顺利进入电容器，进而提升器件的容量引出率；且水合膜较结晶型氧化膜的间隙大，会导致铝电解电容器的漏电流大，经过中处理步骤消除了水合膜后即可很好的解决该问题，进而有效降低化成箔的漏电流。
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公开(公告)号：CN113628888B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111177085.7
申请日：2021-10-09
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 本发明涉及腐蚀箔制造工艺技术领域，公开了一种孔长高一致性的腐蚀铝箔的制备方法，包括以下步骤：a）、将铝箔放在一种新型的前处理液中施加短时间的大直流电流进行前处理生成腐蚀起始点；b）、在一次腐蚀液中进行发孔腐蚀；c）、在二次腐蚀液中进行扩孔腐蚀；d）热处理后得到腐蚀铝箔。所述新型前处理液主要为混酸和葡萄糖的混合水溶液，腐蚀起始点分布情况易于掌握，前处理过程中通过对新型前处理液的相应浓度、温度的控制实现对腐蚀起始点的控制，由该工艺制备得到的腐蚀铝箔表面孔分布更均匀，孔长一致性好，能有效提高腐蚀铝箔弯折和电性能。
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公开(公告)号：CN113764191B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111074363.6
申请日：2021-09-14
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 一种抑制Al（OH）3结晶生成的低压电极箔制造方法，包括步骤S1：将铝箔进行多级电解腐蚀；步骤S2：将铝箔置于0.4%‑1.2%氨水和0.06%‑0.24%酒石酸混合溶液，反应温度为35~65℃，反应时间为3~5min；步骤S3：将得到的铝箔清洗烘干。本发明采用氨水和酒石酸混合溶液的后处理方式，在有效提升容量的同时，减缓结晶析出速率，设备连续运行时间可提升30%。
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公开(公告)号：CN113764191A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111074363.6
申请日：2021-09-14
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
摘要： 一种抑制Al（OH）3结晶生成的低压电极箔制造方法，包括步骤S1：将铝箔进行多级电解腐蚀；步骤S2：将铝箔置于0.4%‑1.2%氨水和0.06%‑0.24%酒石酸混合溶液，反应温度为35~65℃，反应时间为3~5min；步骤S3：将得到的铝箔清洗烘干。本发明采用氨水和酒石酸混合溶液的后处理方式，在有效提升容量的同时，减缓结晶析出速率，设备连续运行时间可提升30%。
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