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公开(公告)号:CN116092834B
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202310337240.X
申请日:2023-03-31
申请人: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要: 本发明涉及电极箔制造技术领域,尤其是一种高比电容电极箔的制备方法。高比电容电极箔依序由上置比电容提升功能层、腐蚀箔本体以及下置比电容提升功能层复合而成。上置比电容提升功能层呈现多层复合结构,且由一次二氧化钛膜、一次三氧化二铝层、二次二氧化钛膜逐层生长而成。下置比电容提升功能层呈现多层复合结构,且依序由三次二氧化钛膜、二次三氧化二铝层、四次二氧化钛膜逐层生长而成。一次二氧化钛膜、三次二氧化钛膜分别以腐蚀箔本体正面、背面作为生长基础。如此,一方面,可以有效地提升电极箔内的钛元素含量,且分布均匀性较好;另一方面,即便经历阳极氧化处理,钛元素含量亦不会大量散失,利于电极箔比电容的大幅度提升。
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公开(公告)号:CN116092834A
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202310337240.X
申请日:2023-03-31
申请人: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要: 本发明涉及电极箔制造技术领域,尤其是一种高比电容电极箔及其制备方法。高比电容电极箔依序由上置比电容提升功能层、腐蚀箔本体以及下置比电容提升功能层复合而成。上置比电容提升功能层呈现多层复合结构,且由一次二氧化钛膜、一次三氧化二铝层、二次二氧化钛膜逐层生长而成。下置比电容提升功能层呈现多层复合结构,且依序由三次二氧化钛膜、二次三氧化二铝层、四次二氧化钛膜逐层生长而成。一次二氧化钛膜、三次二氧化钛膜分别以腐蚀箔本体正面、背面作为生长基础。如此,一方面,可以有效地提升电极箔内的钛元素含量,且分布均匀性较好;另一方面,即便经历阳极氧化处理,钛元素含量亦不会大量散失,利于电极箔比电容的大幅度提升。
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