公开(公告)号：CN104465362B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201410709244.7

申请日：2009-03-02

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 迈克尔.怀特 ,  拉蒙.琼斯 ,  杰弗里.吉里兰德 ,  凯文.摩根伯格

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明涉及使用水溶性氧化剂的碳化硅抛光方法。本发明方法包括用包含液体载体、研磨剂和氧化剂的抛光组合物对包含至少一个碳化硅层的基材进行化学机械抛光。

公开(公告)号：CN104465362A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410709244.7

申请日：2009-03-02

申请人： 卡伯特微电子公司

发明人： 迈克尔.怀特 ,  拉蒙.琼斯 ,  杰弗里.吉里兰德 ,  凯文.摩根伯格

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明涉及使用水溶性氧化剂的碳化硅抛光方法。本发明方法包括用包含液体载体、研磨剂和氧化剂的抛光组合物对包含至少一个碳化硅层的基材进行化学机械抛光。