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公开(公告)号:CN1742066B
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN200480002763.4
申请日:2004-02-02
申请人: 卡伯特微电子公司
IPC分类号: H01L21/304 , C09K3/14 , H01L21/306 , C09G1/02
CPC分类号: C09K3/1463 , C03C19/00 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要: 本发明涉及抛光含硅介电层的方法,包括使用含有下列物质的化学-机械抛光体系:(a)无机研磨剂、(b)抛光添加剂、和(c)液体载体,其中该抛光组合物的pH值为约4-约6。该抛光添加剂含有pKa为约3-约9的官能团并选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合。本发明进一步涉及化学-机械抛光体系,其中该无机研磨剂为氧化铈。
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公开(公告)号:CN1742066A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200480002763.4
申请日:2004-02-02
申请人: 卡伯特微电子公司
IPC分类号: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号: C09K3/1463 , C03C19/00 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要: 本发明涉及抛光含硅介电层的方法,包括使用含有下列物质的化学-机械抛光体系:(a)无机研磨剂、(b)抛光添加剂、和(c)液体载体,其中该抛光组合物的pH值为约4-约6。该抛光添加剂含有pKa为约3-约9的官能团并选自芳基胺、氨基醇、脂族胺、杂环胺、氧肟酸、氨基羧酸、环状一元羧酸、不饱和一元羧酸、取代酚、磺酰胺、硫醇、其盐、及其组合。本发明进一步涉及化学-机械抛光体系,其中该无机研磨剂为氧化铈。
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