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发明公开
具有提高的精度的半导体晶圆的3D体积检查审中-实审

公开(公告)号：CN118451371A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280084390.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： D·克洛奇科夫 , E·福卡 , J·T·纽曼 , T·科布 , A·巴克斯鲍姆 , A·阿维沙伊 , C·黄

IPC: G03F7/20 , G01N1/28 , G06T7/00 , H01J37/22 , H01L21/66

Abstract: 提供了一种具有提高的吞吐量的用于半导体晶圆的体积检查的系统和方法。该系统和方法被配置用于检查体积中的合适的横截表面的减小的数量和区域铣削和成像，并且从多个横截表面图像确定3D对象的检查参数。该方法和装置可被用于定量测量、缺陷检测、过程监控、缺陷审查和半导体晶圆内集成电路的检查。

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