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公开(公告)号：CN103907166A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280042774.X
申请日：2012-09-04
申请人： 卡文迪什动力有限公司
IPC分类号： H01G5/16
CPC分类号： H01G5/16 , B81B3/0051 , B81C1/00158 , B81C1/00476 , B81C1/00523 , H01G5/18
摘要： 在MEMS装置中，膜着陆在RF电极上的方式可以影响装置性能。放置在RF电极上的凸块或限位器可以用于控制膜的着陆，从而控制MEMS装置的电容。可以调整凸块或限位器的形状和位置使之适应，使得即使在施加过电压时也确保膜的正确着陆。另外，凸块或限位器可以应用在膜本身上以控制膜在MEMS装置的顶部或上电极上的着陆。
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公开(公告)号：CN105684113A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480029332.0
申请日：2014-05-20
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺
IPC分类号： H01G5/18
CPC分类号： H01G5/18 , B81B7/008 , B81B2201/0221 , H01H59/0009
摘要： 本发明一般性地涉及用于使MEMS DVC器件中的板电极或切换元件阻尼的方法及装置。布置在波形控制器和MEMS DVC的电极之间的电阻器使得在板电极移动期间电压增大而同时电容减小。由于电压增大以及电容减小，抵抗板电极远离电极移动的静电力增大，这转而抑制了板电极的移动。
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公开(公告)号：CN103889887A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280042820.6
申请日：2012-08-31
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 理查德·L·奈普 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC分类号： B81B7/00 , B81B2201/016 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , B81C2203/0136 , H01G5/16 , H01H59/0009 , Y10T29/49105
摘要： 本发明的实施例通常涉及一种使用进行沉积以形成空腔密封层的层和/或进行沉积以形成释放电极的层而被锚固的MEMS装置。MEMS装置的开关元件会具有柔性部分或可移动部分，还会具有电连接到接地的固定部分或锚固部分。用于密封其中设置有开关元件的空腔的层还可以连接到开关元件的固定部分或锚固部分，以在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固。另外，用于形成电极之一的层可以用于提供在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固的另外的杠杆。在任一情况下，都不妨碍柔性部分或可移动部分的移动。
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公开(公告)号：CN103828050A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280042848.X
申请日：2012-09-04
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺 , 理查德·L·奈普 , 罗伯特·加迪 , 拉希德·马哈米德
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B3/0097 , B81B7/04 , B81B2201/018 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0172 , B81B2203/0307
摘要： 本发明一般涉及一种MEMS装置，该装置具有多个悬臂，所述悬臂在锚固区耦连和/或通过在所述悬臂中心区域耦连的管脚耦连。所述管脚保证了每个悬臂能够在相同的电压下从RF电极上移动/释放。所述锚固区的耦连在悬臂的所有部分中匹配机械刚度，使得所有的悬臂同时移动。
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公开(公告)号：CN103907166B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201280042774.X
申请日：2012-09-04
申请人： 卡文迪什动力有限公司
IPC分类号： H01G5/16
CPC分类号： H01G5/16 , B81B3/0051 , B81C1/00158 , B81C1/00476 , B81C1/00523 , H01G5/18
摘要： 在MEMS装置中，膜着陆在RF电极上的方式可以影响装置性能。放置在RF电极上的凸块或限位器可以用于控制膜的着陆，从而控制MEMS装置的电容。可以调整凸块或限位器的形状和位置使之适应，使得即使在施加过电压时也确保膜的正确着陆。另外，凸块或限位器可以应用在膜本身上以控制膜在MEMS装置的顶部或上电极上的着陆。
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公开(公告)号：CN103748646B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280040288.4
申请日：2012-08-17
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯特·加迪 , 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 理查德·L·奈普 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC分类号： H01G5/16 , H01G5/38 , H01G7/00 , H01H59/0009 , Y10T29/43
摘要： 本发明一般涉及一种用于RF和微波应用的可变电容器。可变电容器包括电耦接有多个单元的接合焊盘。多个单元中的每个中具有多个MEMS装置。MEMS装置共享公共RF电极、一个或更多个接地电极和一个或更多个控制电极。RF电极、接地电极和控制电极都彼此平行地布置在单元内。RF电极使用不同层级的电布线金属电连接至一个或更多个接合焊盘。
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公开(公告)号：CN103843090B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280042873.8
申请日：2012-08-31
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯特·加迪 , 理查德·L·奈普 , 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC分类号： H01L28/60 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , B81B2207/015 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01G5/40 , H01H59/0009 , H03K17/162 , H03K17/6872 , H03K2217/0009 , H03K2217/0036 , H03K2217/009
摘要： 本发明一般涉及一种用于高频通信的使RF MEMS装置与衬底和驱动电路隔离的结构，串联和并联的DVC结构，以及更小的MEMS阵列。半导体装置具有一个或多个单元，所述单元其中有多个MEMS装置。MEMS装置通过施加电偏压到上拉电极或下拉电极在距RF电极第一距离的第一位置和距RF电极第二距离的第二位置之间移动MEMS装置的开关元件来操作，所述第二距离不同于所述第一距离。上拉电极和/或下拉电极可以耦接至使MEMS装置与衬底隔离的电阻。
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公开(公告)号：CN103889887B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201280042820.6
申请日：2012-08-31
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 理查德·L·奈普 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC分类号： B81B7/00 , B81B2201/016 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , B81C2203/0136 , H01G5/16 , H01H59/0009 , Y10T29/49105
摘要： 本发明的实施例通常涉及一种使用进行沉积以形成空腔密封层的层和/或进行沉积以形成释放电极的层而被锚固的MEMS装置。MEMS装置的开关元件会具有柔性部分或可移动部分，还会具有电连接到接地的固定部分或锚固部分。用于密封其中设置有开关元件的空腔的层还可以连接到开关元件的固定部分或锚固部分，以在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固。另外，用于形成电极之一的层可以用于提供在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固的另外的杠杆。在任一
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公开(公告)号：CN103828050B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280042848.X
申请日：2012-09-04
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺 , 理查德·L·奈普 , 罗伯特·加迪 , 拉希德·马哈米德
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B3/0097 , B81B7/04 , B81B2201/018 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0172 , B81B2203/0307
摘要： 本发明一般涉及一种MEMS装置，该装置具有多个悬臂，所述悬臂在锚固区耦连和/或通过在所述悬臂中心区域耦连的管脚耦连。所述管脚保证了每个悬臂能够在相同的电压下从RF电极上移动/释放。所述锚固区的耦连在悬臂的所有部分中匹配机械刚度，使得所有的悬臂同时移动。
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公开(公告)号：CN103843090A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280042873.8
申请日：2012-08-31
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 罗伯特·加迪 , 理查德·L·奈普 , 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC分类号： H01L28/60 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , B81B2207/015 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01G5/40 , H01H59/0009 , H03K17/162 , H03K17/6872 , H03K2217/0009 , H03K2217/0036 , H03K2217/009
摘要： 本发明涉及一种用于高频通信的使RF？MEMS装置与衬底和驱动电路隔离的结构，串联和并联的DVC结构，以及更小的MEMS阵列。半导体装置具有一个或多个单元，所述单元其中有多个MEMS装置。MEMS装置通过施加电偏压到上拉电极或下拉电极在距RF电极第一距离的第一位置和距RF电极第二距离的第二位置之间移动MEMS装置的开关元件来操作，所述第二距离不同于所述第一距离。上拉电极和/或下拉电极可以耦接至使MEMS装置与衬底隔离的电阻。
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