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公开(公告)号:CN103650170A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201280031297.7
申请日:2012-06-25
申请人: 原子能与替代能源委员会
IPC分类号: H01L31/20 , H01L31/0747
CPC分类号: H01L31/0747 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本发明公开了一种不存在硼原子或只含有微量硼原子的n型光电池的热处理方法,所述的方法包括以下的步骤:提供一n型异质结(10),包括一中央晶体硅层(1),其上方和下方为由氢化非晶体硅沉积而成的两层(2,3);加热电池至温度在20℃至200℃之间,例如用一个加热板(20)或一个烤箱(40),同时使用由照射光源(30)提供的一定的光通量的光照射光电池。因此,光电池的效能提高并稳定。
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公开(公告)号:CN103650170B
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201280031297.7
申请日:2012-06-25
申请人: 原子能与替代能源委员会
IPC分类号: H01L31/20 , H01L31/0747
CPC分类号: H01L31/0747 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本发明公开了一种不存在硼原子或只含有微量硼原子的n型光电池的热处理方法,所述的方法包括以下的步骤:提供一n型异质结(10),包括一中央晶体硅层(1),其上方和下方为由氢化非晶体硅沉积而成的两层(2,3);加热电池至温度在20℃至200℃之间,例如用一个加热板(20)或一个烤箱(40),同时使用由照射光源(30)提供的一定的光通量的光照射光电池。因此,光电池的效能提高并稳定。
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