公开(公告)号：CN105529257A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610053917.7

申请日：2016-01-27

申请人： 厦门大学

发明人： 李成 ,  池晓伟 ,  陈松岩 ,  黄巍

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，涉及堆叠栅介质。对Ge衬底进行清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；将清洗后的Ge衬底放入原子层沉积系统中，沉积一层Al2O3薄膜，实现对Ge衬底的表面钝化，获得Al2O3/Ge结构；将Al2O3/Ge结构样品进行湿法退火处理，实现Al2O3/Ge界面态的优化；在处理后的样品上生长HfO2高K介质；将获得的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属层作为上电极，在样品Ge衬底的背面溅射金属层作为背电极，即得MOS结构器件，实现优化堆叠栅介质与锗界面。可优化高K介质/Ge界面态，并能维持钝化层的热稳定性，可减小工艺流程和时间成本。