公开(公告)号：CN103441062A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310405028.9

申请日：2013-09-09

申请人： 厦门大学

发明人： 李成 ,  卢卫芳 ,  黄诗浩 ,  林光杨 ,  陈松岩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00

摘要： 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。

公开(公告)号：CN102623386A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210106139.5

申请日：2012-04-12

申请人： 厦门大学

发明人： 李成 ,  黄诗浩 ,  卢卫芳 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 具有张应变的绝缘体上锗薄膜的制备方法，涉及一种制备具有张应变的绝缘体上锗(GOI)薄膜的方法。在SOI衬底上生长一层Si/SiGe/Si三明治结构；对Si/SiGe/Si三明治结构进行光刻、刻蚀处理后，再沉积保护层，然后采用剥离工艺去掉光刻胶；对样品进行选择性氧化和退火，得到局部GOI。

公开(公告)号：CN103441062B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310405028.9

申请日：2013-09-09

申请人： 厦门大学

发明人： 李成 ,  卢卫芳 ,  黄诗浩 ,  林光杨 ,  陈松岩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00

摘要： 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。