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公开(公告)号:CN113292249B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202110589903.8
申请日:2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法,先制备MoS2纳米管阵列,然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜,最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体,先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层,再用水热法生长ZnO纳米棒阵列,随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜,用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列,再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜,最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点,得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面,可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性,适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号:CN113292249A
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN202110589903.8
申请日:2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法,先制备MoS2纳米管阵列,然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜,最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体,先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层,再用水热法生长ZnO纳米棒阵列,随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜,用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列,再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜,最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点,得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面,可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性,适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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