公开(公告)号：CN113292249B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202110589903.8

申请日：2021-05-28

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学九江研究院 ,  厦门大学深圳研究院

Inventor： 黄胜利 ,  万景 ,  刘家赫 ,  赵经天 ,  王紫云 ,  郭生士 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/22 ,  C03C17/245 ,  C01G39/06 ,  C01G9/02 ,  C01G5/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。

公开(公告)号：CN113292249A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110589903.8

申请日：2021-05-28

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学九江研究院 ,  厦门大学深圳研究院

Inventor： 黄胜利 ,  万景 ,  刘家赫 ,  赵经天 ,  王紫云 ,  郭生士 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: C03C17/34 ,  C03C17/22 ,  C03C17/245 ,  C01G39/06 ,  C01G9/02 ,  C01G5/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。