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公开(公告)号：CN113292249B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN113292249A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110589903.8
申请日：2021-05-28
Abstract: 一种MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列的制备方法，先制备MoS2纳米管阵列，然后在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后在MoS2/ZnO纳米管阵列表面吸附Ag2S量子点。具体，先在基片表面用ALD法沉积ZnO籽晶层，再用水热法生长ZnO纳米棒阵列，随后将基片固定放入反应釜中在纳米棒表面包覆MoS2薄膜，用硫酸刻蚀得到MoS2纳米管阵列，再用ALD法在MoS2纳米管表面包覆ZnO薄膜，最后用连续离子层吸附反应法制备Ag2S量子点，得MoS2/ZnO/Ag2S同轴纳米管阵列。所产生的纳米管存在两层异质界面，可通过调控各层厚度去调节整体的能带结构和光电特性，适用于光伏电池和光催化剂等领域。
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公开(公告)号：CN213869660U
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202022509016.9
申请日：2020-11-03
IPC: E06B11/08
Abstract: 一种仅供行人、手推车和轮椅通行的旋转门，包括门轴、门栅和围栏；围栏设于旋转门的左右两侧，门轴内安装有自由旋转的轴承，门栅绕门轴旋转。本实用新型仅允许行人、手推车和轮椅通行，而限制机动车和自行车通过。门扇的长度和组合结构致使机动车和自行车因为尺度过大不能通过，而行人、手推车和轮椅因为尺度适中可以自由通行。旋转门可设计成四扇形、五扇形、六扇形和七扇形，门栅的长度由旋转门的扇数、手推车或轮椅的长宽、以及自行车的长度决定。本实用新型方便行人、婴幼儿推车、老龄人士和残障人士轮椅自由通行，可用于公园、步道等不需要人看管的出入口处。
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公开(公告)号：CN117568766A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544856.0
申请日：2023-11-20
Abstract: 一种层数可调的贵金属纳米帽阵列的制备方法，涉及一种周期性纳米阵列结构材料的制备。首先在玻璃、硅等基片表面制备一层六方密排的聚苯乙烯(PS)纳米球的二维胶体阵列，随后将预定厚度的金、银、铂等贵金属薄膜沉积在PS纳米球阵列上，再根据所需层数重复排列PS纳米球阵列与沉积金属薄膜的步骤，从而得到单层及多层贵金属/PS纳米球复合阵列结构，最后通过退火工艺将PS纳米球去除，得到六方密排的单层及多层贵金属纳米帽阵列。该方法可通过调控PS球的直径与金属薄膜的厚度去改变纳米帽的大小和壳厚，从而调节整体阵列的等离子体特性，可广泛应用于传感、催化等领域。
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