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    一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器
    3.
    发明授权
    一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器 有权

    公开(公告)号：CN105743466B

    公开(公告)日：2018-08-21

    申请号：CN201610069798.4

    申请日：2016-02-01

    申请人： 厦门新页微电子技术有限公司

    发明人： 杨瑞聪 ,  林桂江 ,  廖建平 ,  刘玉山 ,  任连峰 ,  沈滨旭 ,  杨凤炳

    IPC分类号： H03K5/22

    摘要： 本发明公开一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，其包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开。

    一种上电复位电路
    5.
    发明授权
    一种上电复位电路 有权

    公开(公告)号：CN105811941B

    公开(公告)日：2017-05-17

    申请号：CN201610216863.1

    申请日：2016-04-08

    申请人： 厦门新页微电子技术有限公司

    发明人： 杨瑞聪 ,  林桂江 ,  廖建平 ,  杨凤炳 ,  任连峰 ,  刘玉山 ,  沈滨旭

    IPC分类号： H03K17/22

    CPC分类号： H03K17/22

    摘要： 本发明公开一种上电复位电路，其包括顺次电性连接的偏置电流产生模块、上电复位模块及反馈锁存模块；所述偏置电流产生模块用于产生偏置电流；上电复位模块用于产生上电复位电压信号，其中，上电复位模块包括两个串联开关，通过控制两个串联开关的闭合或断开，来调整偏置电流产生模块产生的偏置电流，进而调整上电复位时间；所述反馈锁存模块用于将上电复位模块产生的上电复位电压信号进行锁存，从而抑制上电阶段电源电压在反相器输入电压VIL～VIH之间的抖动，避免输出的上电复位电压信号出现跳变的情况；该反馈锁存模块还包括两个NMOS管串联组成的反馈支路，通过反馈支路对上电复位电压信号进行反馈，实现加速稳定输出上电复位电压信号。

    一种电流反馈式精确过温保护电路
    6.
    发明授权
    一种电流反馈式精确过温保护电路 有权

    公开(公告)号：CN105487590B

    公开(公告)日：2017-04-12

    申请号：CN201610071496.0

    申请日：2016-02-02

    申请人： 厦门新页微电子技术有限公司

    发明人： 杨瑞聪 ,  林桂江 ,  廖建平 ,  刘玉山 ,  任连峰 ,  沈滨旭 ,  杨凤炳

    IPC分类号： G05F1/569

    摘要： 本发明公开一种电流反馈式精确过温保护电路，该电路包括一运算放大器OP、第一电阻R0、第二电阻R1、第一NMOS管N0、第二NMOS管N1、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、第四PMOS管P3、第一NPN三极管Q0、第二NPN三极管Q1、一比较器COMP、第一反相器、第二反相器及第三反相器。本发明通过采用负温度系数器件的电压与基准电压比较，输出过温信号，可减少温度系数依赖器件，即降低温度影响因素及工艺的影响；通过调整相同类型电阻的比例，实现更精确调整热关断温度；本发明采用电流反馈方式，通过调整镜像MOS的宽长比比例，实现可精确调节温度磁滞量。

    应用于无线充电控制芯片的可调精确过温保护电路
    7.
    发明授权
    应用于无线充电控制芯片的可调精确过温保护电路 有权

    公开(公告)号：CN105676939B

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：CN201610177960.4

    申请日：2016-03-25

    申请人： 厦门新页微电子技术有限公司

    发明人： 杨瑞聪 ,  林桂江 ,  廖建平 ,  杨凤炳 ,  刘玉山 ,  任连峰 ,  沈滨旭

    IPC分类号： G05F1/569

    摘要： 本发明公开一种应用于无线充电控制芯片的可调精确过温保护电路，其包括一运算放大器OP、一NMOS管N0、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、电阻Ra、电阻Rb、第一传输门、第二传输门、第一NPN三极管Q0、第二NPN三极管Q1、一比较器COMP、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、以及一个可调电阻电路。本发明通过采用负温度系数器件的电压与不受工艺、温度变化影响的电压比较，输出过温信号，可减少温度系数依赖器件，即降低温度影响因素及工艺的影响；通过调整可调电阻电路，实现更精确调整热关断温度。

    一种高精度过温保护电路
    8.
    发明公开
    一种高精度过温保护电路 无效

    公开(公告)号：CN105846397A

    公开(公告)日：2016-08-10

    申请号：CN201610177345.3

    申请日：2016-03-25

    申请人： 厦门新页微电子技术有限公司

    发明人： 廖建平 ,  林桂江 ,  杨瑞聪 ,  杨凤炳 ,  刘玉山 ,  任连峰 ,  沈滨旭

    IPC分类号： H02H5/04

    CPC分类号： H02H5/04

    摘要： 本发明公开一种高精度过温保护电路，其包括顺次电性连接的带隙基准电路、阈值产生电路及迟滞比较器输出电路；所述带隙基准电路用于产生一个与温度无关的基准电压；所述阈值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阈值电压；所述迟滞比较器输出电路首先从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择一个阈值电压作为比较值，将两个NPN三极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是否过温。