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公开(公告)号：CN105811941B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610216863.1
申请日：2016-04-08
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
IPC分类号： H03K17/22
CPC分类号： H03K17/22
摘要： 本发明公开一种上电复位电路，其包括顺次电性连接的偏置电流产生模块、上电复位模块及反馈锁存模块；所述偏置电流产生模块用于产生偏置电流；上电复位模块用于产生上电复位电压信号，其中，上电复位模块包括两个串联开关，通过控制两个串联开关的闭合或断开，来调整偏置电流产生模块产生的偏置电流，进而调整上电复位时间；所述反馈锁存模块用于将上电复位模块产生的上电复位电压信号进行锁存，从而抑制上电阶段电源电压在反相器输入电压VIL～VIH之间的抖动，避免输出的上电复位电压信号出现跳变的情况；该反馈锁存模块还包括两个NMOS管串联组成的反馈支路，通过反馈支路对上电复位电压信号进行反馈，实现加速稳定输出上电复位电压信号。
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公开(公告)号：CN105487590B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201610071496.0
申请日：2016-02-02
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
IPC分类号： G05F1/569
摘要： 本发明公开一种电流反馈式精确过温保护电路，该电路包括一运算放大器OP、第一电阻R0、第二电阻R1、第一NMOS管N0、第二NMOS管N1、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、第四PMOS管P3、第一NPN三极管Q0、第二NPN三极管Q1、一比较器COMP、第一反相器、第二反相器及第三反相器。本发明通过采用负温度系数器件的电压与基准电压比较，输出过温信号，可减少温度系数依赖器件，即降低温度影响因素及工艺的影响；通过调整相同类型电阻的比例，实现更精确调整热关断温度；本发明采用电流反馈方式，通过调整镜像MOS的宽长比比例，实现可精确调节温度磁滞量。
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公开(公告)号：CN105676939B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610177960.4
申请日：2016-03-25
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
IPC分类号： G05F1/569
摘要： 本发明公开一种应用于无线充电控制芯片的可调精确过温保护电路，其包括一运算放大器OP、一NMOS管N0、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、电阻Ra、电阻Rb、第一传输门、第二传输门、第一NPN三极管Q0、第二NPN三极管Q1、一比较器COMP、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、以及一个可调电阻电路。本发明通过采用负温度系数器件的电压与不受工艺、温度变化影响的电压比较，输出过温信号，可减少温度系数依赖器件，即降低温度影响因素及工艺的影响；通过调整可调电阻电路，实现更精确调整热关断温度。
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公开(公告)号：CN105846397A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610177345.3
申请日：2016-03-25
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
IPC分类号： H02H5/04
CPC分类号： H02H5/04
摘要： 本发明公开一种高精度过温保护电路，其包括顺次电性连接的带隙基准电路、阈值产生电路及迟滞比较器输出电路；所述带隙基准电路用于产生一个与温度无关的基准电压；所述阈值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阈值电压；所述迟滞比较器输出电路首先从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择一个阈值电压作为比较值，将两个NPN三极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是否过温。
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公开(公告)号：CN112658570A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011516960.5
申请日：2020-12-21
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
IPC分类号： B23K37/04 , H05K3/34 , B23K101/42
摘要： 本发明公开了夹紧机构及PCBA焊接治具，其夹紧机构包括基板、直线导轨、进给单元及夹紧座。直线导轨安装在所述基板上；进给单元包括齿条、进给座、可换向棘轮套件及齿轮，齿条平行于直线导轨安装在基板上，进给座安装在直线导轨的滑台上，可换向棘轮套件的固定端连接进给座，齿轮安装在可换向棘轮套件的旋转端上并与齿条啮合；各夹紧座弹性伸缩地安装在各进给座上，其伸缩方向与进给座的进给方向相同。本发明巧妙地利用可换向棘轮套件的可换向性及止退性实现夹紧或松开，同时利用夹紧座的弹性伸缩补偿齿轮齿条机构的啮合间隙及啮合行程差。本发明的PCBA焊接治具与前述夹紧机构基于相同原理研制。
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公开(公告)号：CN105743466B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610069798.4
申请日：2016-02-01
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
IPC分类号： H03K5/22
摘要： 本发明公开一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，其包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开。
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公开(公告)号：CN106354189A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610956642.8
申请日：2016-10-27
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/562
摘要： 本发明公开了一种具有迟滞功能的低阈值使能电路，利用PTAT基准电流源产生一个受工艺和电源电压影响较小的基准电压，用于迟滞比较器的比较基准，从而实现了使能电路的低阈值和迟滞功能，解决了现有使能电路存在无法满足部分芯片的低阈值要求以及在NMOS管的阈值电压附近存在振荡风险的问题。
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公开(公告)号：CN112600782A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011317280.0
申请日：2020-11-23
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种无线充电系统及其通讯方法、可存储介质。其中，无线充电系统包括发射端及接收端，其发射端中控模块将发射端通讯模块发出的Ping信号载入FSK信号，FSK信号使用唯一的地址，并将所述发射端通讯模块的通讯地址设置为所述FSK信号的地址；接收端中控模块在功率接收模块接收到功率后上电，其解析FSK信号的地址，并将接收端通讯模块的通讯地址设置为解析到的FSK信号的地址，其控制接收端通讯模块将接收端状态及请求信号发出；发射端通讯模块接收到本机地址对应的信号后，无线充电系统进入功率传输阶段。基于相同的技术构思，本发明公开了无线充电系统通讯方法及其可存储介质。
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公开(公告)号：CN106168826A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610844717.3
申请日：2016-09-23
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/561
摘要： 本发明公开了一种应用于无线充电控制芯片的可调带隙基准电压电路，通过采用带磁滞功能启动电路可以使可调带隙基准电压电路稳定启动工作，并且根据不同设计，采用不同的电阻比例可实现带隙基准电压的可调输出，进而解决了解决现有带隙基准电压电路需要输出不同基准电压而导致的芯片面积扩大、功耗增加的问题。
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公开(公告)号：CN105743466A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610069798.4
申请日：2016-02-01
申请人： 厦门新页微电子技术有限公司
IPC分类号： H03K5/22
CPC分类号： H03K5/22
摘要： 本发明公开一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，其包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开。
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