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公开(公告)号：CN114324459B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111620006.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请实施例公开了一种测试装置和测试数据处理方法，用于监测测试过程中朗缪尔探针热性能的实时变化情况。本申请实施例的一种测试装置，用于对朗缪尔探针进行测试，包括：测温仪和多个热电偶，热电偶包括第一热电偶和第二热电偶；其中，第一热电偶和第二热电偶用于设置在朗缪尔探针的侧壁，且第一热电偶的第一位置和第二热电偶的第二位置沿朗缪尔探针的延伸方向间隔预设距离；测温仪连接第一热电偶和第二热电偶，测温仪用于采集第一位置的第一温度和第二位置的第二温度，第一温度和第二温度用于生成测试结果。
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公开(公告)号：CN109467456A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710802877.6
申请日：2017-09-08
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 厦门钨业股份有限公司
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种利用金属浆料法对碳基材料表面改性的方法，目的在于解决碳基材料与Cu连接时，存在难润湿，以及两者膨胀系数、弹性模量差别大，连接困难的问题。按照下述步骤进行：金属粉末配置(称重、球磨、干燥)、浆料制备、碳基材料表面丝网印刷和真空烧结。其中金属粉末质量纯度为99.99％；真空烧结的温度和时间分别为1200-1300℃，和30min-2h。本发明能够在碳基材料基体上生成结合强度优良的碳化铬涂层，能够有效解决碳基材料与铜之间的润湿性，同时该方法的生产成本低，适宜大规模制造。
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公开(公告)号：CN112408952B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011413358.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供一种高热导薄壁陶瓷管及其制造方法，其中，高热导薄壁陶瓷管的制造方法，包括：步骤一、取一定量4N纯度以上、粒度D50为0.2μm～0.6μm的氧化铝粉末原料进行精细处理；步骤二、在加热状态下，将处理过的氧化铝粉末与粘结剂混合均匀，挤出制得陶瓷喂料；步骤三、将陶瓷喂料注塑成型，制得薄壁管生胚；步骤四、对薄壁管生胚进行脱脂处理；步骤五、对脱脂处理后的薄壁管进行保温；步骤六、保温后，烧结制得薄壁陶瓷管。通过上述方法制得的陶瓷管，管内径为3mm～4mm，壁厚为0.3mm～0.5mm，相对密度在99.5％以上，室温下热导率能够达到30W/(m·K)以上,1000℃热导率能够达到7W/(m·K)以上。
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公开(公告)号：CN114324459A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111620006.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请实施例公开了一种测试装置和测试数据处理方法，用于监测测试过程中朗缪尔探针热性能的实时变化情况。本申请实施例的一种测试装置，用于对朗缪尔探针进行测试，包括：测温仪和多个热电偶，热电偶包括第一热电偶和第二热电偶；其中，第一热电偶和第二热电偶用于设置在朗缪尔探针的侧壁，且第一热电偶的第一位置和第二热电偶的第二位置沿朗缪尔探针的延伸方向间隔预设距离；测温仪连接第一热电偶和第二热电偶，测温仪用于采集第一位置的第一温度和第二位置的第二温度，第一温度和第二温度用于生成测试结果。
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公开(公告)号：CN112408952A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011413358.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 核工业西南物理研究院
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供一种高热导薄壁陶瓷管及其制造方法，其中，高热导薄壁陶瓷管的制造方法，包括：步骤一、取一定量4N纯度以上、粒度D50为0.2μm～0.6μm的氧化铝粉末原料进行精细处理；步骤二、在加热状态下，将处理过的氧化铝粉末与粘结剂混合均匀，挤出制得陶瓷喂料；步骤三、将陶瓷喂料注塑成型，制得薄壁管生胚；步骤四、对薄壁管生胚进行脱脂处理；步骤五、对脱脂处理后的薄壁管进行保温；步骤六、保温后，烧结制得薄壁陶瓷管。通过上述方法制得的陶瓷管，管内径为3mm～4mm，壁厚为0.3mm～0.5mm，相对密度在99.5％以上，室温下热导率能够达到30W/(m·K)以上,1000℃热导率能够达到7W/(m·K)以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111348932B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201811578816.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明属于材料处理技术，具体涉及一种纯钨材料和绝缘陶瓷的连接方法，将钨材料预处理之后在其表面制备过渡层，之后在制备陶瓷层，钨粉、氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成过渡层固体粉末，氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成陶瓷层固体粉末，有机溶剂、有机粘结剂制成有机粘结剂，最后将涂覆过过渡层和陶瓷层的钨材料进行高温烧结，使纯钨基体、过渡层和陶瓷层紧密结合在一起，在界面处形成冶金结合，利用预处理工艺对纯钨材料进行表面处理，使其具有一定的表面粗糙度和光洁度，能增大与过渡层的接触面，可以有效地完成纯钨材料的表面绝缘化，达到电气使用条件；得到的涂层为冶金结合态，能有效地形成热传导通道，提高整体部件的热导率。
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公开(公告)号：CN111348932A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811578816.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明属于材料处理技术，具体涉及一种纯钨材料和绝缘陶瓷的连接方法，将钨材料预处理之后在其表面制备过渡层，之后在制备陶瓷层，钨粉、氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成过渡层固体粉末，氧化铝粉、二氧化硅粉、碳酸钙粉组成陶瓷层固体粉末，有机溶剂、有机粘结剂制成有机粘结剂，最后将涂覆过过渡层和陶瓷层的钨材料进行高温烧结，使纯钨基体、过渡层和陶瓷层紧密结合在一起，在界面处形成冶金结合，利用预处理工艺对纯钨材料进行表面处理，使其具有一定的表面粗糙度和光洁度，能增大与过渡层的接触面，可以有效地完成纯钨材料的表面绝缘化，达到电气使用条件；得到的涂层为冶金结合态，能有效地形成热传导通道，提高整体部件的热导率。
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公开(公告)号：CN119592815A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411493617.1
申请日：2024-10-24
Applicant: 北京工业大学 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于熔盐浴回收钨基合金废料的方法及系统。该方法包括：以钨基合金废料为阳极，固体导电材料为阴极，进行熔盐浴电解，所述熔盐浴电解结束后将熔盐和电解产物的混合物配入碳源进行熔盐浴碳化，得到碳化钨粉或钨基合金复合粉。该方法实现对钨基合金废料的多样化、低成本、回收再生和高值化利用，该方法对钨基合金废料的种类适用范围广，对于成分复杂的钨基合金废料同样适用，且可在更短的时间并且显著低于传统碳化温度的条件下得到碳化钨粉或者钨基合金复合粉，该钨基合金复合粉可直接再生烧结为钨基合金，该方法为制备碳化钨粉或钨基合金复合粉提供了新思路。
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公开(公告)号：CN115971491B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211644382.2
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钨铜材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将钨压制坯、铜材与熔渗桥搭接摆放，所述钨压制坯和所述铜材间隔设置，所述熔渗桥分别与所述钨压制坯、铜材搭接；所述熔渗桥的熔点高于所述铜材；所述钨压制坯的钨含量为50wt％以上；熔渗处理所述搭接摆放的钨压制坯、铜材与熔渗桥；冷却后去除所述熔渗桥，得到所述钨铜材料。本发明提供的制备方法改善了钨骨架中铜熔渗率不足的缺陷，制备得到的钨铜材料具有均匀、高密度的优点；适用于航空航天、国防军工、电子信息、冶金以及机械加工等领域对钨铜材料的要求。
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公开(公告)号：CN119588930A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411587972.5
申请日：2024-11-08
Applicant: 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本申请属于金属粉末制备领域，具体地，提供一种高比表面积钼粉及其制备方法和陶瓷金属化浆料。本申请制备高比表面积钼粉的方法包括：(1)热压处理：将比表面积为A1的钼粉原料置于模具中，在900～1100℃的温度下热压处理5～30分钟，得到热压坯；(2)破碎制粉：将所述热压坯进行破碎制粉处理，得到比表面积为A2的高比面积钼粉，其中，A1＜A2。本申请的制备方法工艺简单，与采用的钼粉原料相比，可有效提高比表面积。
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