公开(公告)号：CN105280808A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510716861.4

申请日：2015-10-29

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 小泽德郎 ,  郭志彻 ,  青木幸司 ,  木村睦 ,  松本贵明 ,  宫村祥吾

IPC分类号： H01L43/08

摘要： 一种磁感电阻元件及电子装置，该磁感电阻元件包含第一电极、第二电极，以及磁感电阻层。于第一电极及第二电极之间外加电压流通电流后，磁感电阻层的电阻值根据磁场强度变化。磁感电阻层利用非晶氧化铟镓锌薄膜的图案化而形成。本发明于绝缘基板或绝缘膜上形成磁感电阻层，磁性灵敏度高。

公开(公告)号：CN104269425B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410519369.3

申请日：2014-09-30

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 小泽德郎 ,  郭志彻 ,  青木幸司 ,  木村睦 ,  松本贵明 ,  吉川朗登

IPC分类号： H01L27/22

CPC分类号： G01R33/066

摘要： 本发明提供一种使用半导体薄膜的场效晶体管结构，并可适当控制灵敏度的磁场感应器，其包含半导体薄膜、漏极、源极、栅极、第一霍尔电极、及第二霍尔电极，其中根据对漏极施加的漏极电压和对栅极施加的栅极电压，在漏极与源极之间会存在漏极电流通过半导体薄膜的通道区域，在第一霍尔电极与第二霍尔电极之间会根据漏极电流和通道区域中存在的磁场产生霍尔电压，对栅极施加的栅极电压的值在最低允许栅极电压值之上，而不位于低于最低允许栅极电压值的低电压范围。

公开(公告)号：CN105280808B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201510716861.4

申请日：2015-10-29

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 小泽德郎 ,  郭志彻 ,  青木幸司 ,  木村睦 ,  松本贵明 ,  宫村祥吾

IPC分类号： H01L43/08

摘要： 一种磁感电阻元件及电子装置，该磁感电阻元件包含第一电极、第二电极，以及磁感电阻层。于第一电极及第二电极之间外加电压流通电流后，磁感电阻层的电阻值根据磁场强度变化。磁感电阻层利用非晶氧化铟镓锌薄膜的图案化而形成。本发明于绝缘基板或绝缘膜上形成磁感电阻层，磁性灵敏度高。

公开(公告)号：CN104269425A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410519369.3

申请日：2014-09-30

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 小泽德郎 ,  郭志彻 ,  青木幸司 ,  木村睦 ,  松本贵明 ,  吉川朗登

IPC分类号： H01L27/22

CPC分类号： G01R33/066

摘要： 本发明提供一种使用半导体薄膜的场效晶体管结构，并可适当控制灵敏度的磁场感应器，其包含半导体薄膜、漏极、源极、栅极、第一霍尔电极、及第二霍尔电极，其中根据对漏极施加的漏极电压和对栅极施加的栅极电压，在漏极与源极之间会存在漏极电流通过半导体薄膜的通道区域，在第一霍尔电极与第二霍尔电极之间会根据漏极电流和通道区域中存在的磁场产生霍尔电压，对栅极施加的栅极电压的值在最低允许栅极电压值之上，而不位于低于最低允许栅极电压值的低电压范围。