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公开(公告)号：CN102881818B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210243984.7
申请日：2012-07-13
申请人： 迈克纳斯公司 , 阿尔布莱希特-路德维希-弗莱堡大学
CPC分类号： G01R33/07 , G01R33/066 , G01R33/077
摘要： 霍尔传感器，具有：一个具有第一连接端子、具有第二连接端子及具有第三连接端子的第一霍尔元件，一个具有第四连接端子、具有第五连接端子及具有第六连接端子的第二霍尔元件，一个具有第七连接端子、具有第八连接端子及具有第九连接端子的第三霍尔元件，一个具有第十连接端子、具有第十一连接端子及具有第十二连接端子的第四霍尔元件，其中，这四个霍尔元件中的每一个具有至少两个围绕一中间连接端子布置的连接端子，所述围绕中间连接端子布置的连接端子与后面的霍尔元件的围绕中间连接端子布置的连接端子相连接，使得第一霍尔元件和第二霍尔元件和第三霍尔元件和第四霍尔元件串联连接。
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公开(公告)号：CN102608547A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110429504.1
申请日：2011-12-20
申请人： NXP股份有限公司
CPC分类号： G01R33/06 , G01R33/066 , H01L27/22 , H01L29/82 , H01L43/00
摘要： 根据本发明的场效应磁传感器促进了高灵敏的磁场检测。根据一个或多个示例实施例，通过使用针对第一和第二端子中的每个端子的独立沟道区中的反型层来控制在第一和第二源极/漏极端子与第三源极/漏极端子之间的相应的电流流动。响应于磁场，使得在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子之一之间传送的电流量大于在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子中的另一个源极/漏极端子之间传送的电流量。
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公开(公告)号：CN87102998A
公开(公告)日：1987-11-11
申请号：CN87102998
申请日：1987-04-25
申请人： 兰迪斯和吉尔楚格股份公司
CPC分类号： H01L27/22 , G01R33/066 , H01L43/065
摘要： 本发明的霍尔元件包括由P或N型半导体材料构成的半导体衬底、半导体层、表面层、绝缘层、接触扩散区、绝缘环。用至少一个分段面将具有两个传感端的霍尔元件分割成几个结构，它们交替地上下翻转或不翻转并且位于半导体层上。在结构上表面和下表面上至少两个点之间以及相邻结构的等电位点之一具有电连接，两个外侧结构的两个最外侧表面上的每一个点都通过连接端与霍尔元件的电流端之一连接。连接端和接触扩散区都由N型材料组成。这种构形可以组成非常大的霍尔元件，它可以用在电表中。
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公开(公告)号：CN104269425B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410519369.3
申请日：2014-09-30
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/22
CPC分类号： G01R33/066
摘要： 本发明提供一种使用半导体薄膜的场效晶体管结构，并可适当控制灵敏度的磁场感应器，其包含半导体薄膜、漏极、源极、栅极、第一霍尔电极、及第二霍尔电极，其中根据对漏极施加的漏极电压和对栅极施加的栅极电压，在漏极与源极之间会存在漏极电流通过半导体薄膜的通道区域，在第一霍尔电极与第二霍尔电极之间会根据漏极电流和通道区域中存在的磁场产生霍尔电压，对栅极施加的栅极电压的值在最低允许栅极电压值之上，而不位于低于最低允许栅极电压值的低电压范围。
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公开(公告)号：CN102881818A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210243984.7
申请日：2012-07-13
申请人： 迈克纳斯公司 , 阿尔布莱希特-路德维希-弗莱堡大学
CPC分类号： G01R33/07 , G01R33/066 , G01R33/077
摘要： 霍尔传感器，具有：一个具有第一连接端子、具有第二连接端子及具有第三连接端子的第一霍尔元件，一个具有第四连接端子、具有第五连接端子及具有第六连接端子的第二霍尔元件，一个具有第七连接端子、具有第八连接端子及具有第九连接端子的第三霍尔元件，一个具有第十连接端子、具有第十一连接端子及具有第十二连接端子的第四霍尔元件，其中，这四个霍尔元件中的每一个具有至少两个围绕一中间连接端子布置的连接端子，所述围绕中间连接端子布置的连接端子与后面的霍尔元件的围绕中间连接端子布置的连接端子相连接，使得第一霍尔元件和第二霍尔元件和第三霍尔元件和第四霍尔元件串联连接。
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公开(公告)号：CN104269425A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410519369.3
申请日：2014-09-30
申请人： 友达光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/22
CPC分类号： G01R33/066
摘要： 本发明提供一种使用半导体薄膜的场效晶体管结构，并可适当控制灵敏度的磁场感应器，其包含半导体薄膜、漏极、源极、栅极、第一霍尔电极、及第二霍尔电极，其中根据对漏极施加的漏极电压和对栅极施加的栅极电压，在漏极与源极之间会存在漏极电流通过半导体薄膜的通道区域，在第一霍尔电极与第二霍尔电极之间会根据漏极电流和通道区域中存在的磁场产生霍尔电压，对栅极施加的栅极电压的值在最低允许栅极电压值之上，而不位于低于最低允许栅极电压值的低电压范围。
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公开(公告)号：CN102608547B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110429504.1
申请日：2011-12-20
申请人： NXP股份有限公司
CPC分类号： G01R33/06 , G01R33/066 , H01L27/22 , H01L29/82 , H01L43/00
摘要： 根据本发明的场效应磁传感器促进了高灵敏的磁场检测。根据一个或多个示例实施例，通过使用针对第一和第二端子中的每个端子的独立沟道区中的反型层来控制在第一和第二源极/漏极端子与第三源极/漏极端子之间的相应的电流流动。响应于磁场，使得在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子之一之间传送的电流量大于在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子中的另一个源极/漏极端子之间传送的电流量。
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公开(公告)号：CN1007683B
公开(公告)日：1990-04-18
申请号：CN87102998
申请日：1987-04-25
申请人： 兰迪斯和吉尔楚格股份公司
CPC分类号： H01L27/22 , G01R33/066 , H01L43/065
摘要： 本发明的霍尔元件包括由P或N型半导体材料构成的半导体衬底，半导体层，表面层，绝缘层，接触扩散区，绝缘环。用至少一个分段面将具有两个传感端的霍尔元件分割成结构，它们交替地上下翻转或不翻转并且位于半导体层上。在结构上表面和下表面上至少两个点之间以及相邻结构的等电位点之一具有电连接，两个外侧结构的两个最外侧表面上的每一个点都通过连接端与霍尔元件的电流端之一连接。连接端和接触扩散区都由N材料组成，这种构形可以实现非常大的霍尔元件，它可以用在电表中。
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公开(公告)号：CN105242223B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510387644.5
申请日：2015-06-30
申请人： 恩智浦有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/066 , G01R33/0206 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 提供了一种差分磁场传感器系统(10)，其中实现了对在彼此相邻布置的磁场传感器中的差分半导体结构的偏移抵消。所述系统(10)包括第一、第二和第三磁场传感器(100，200，300)，其中每个磁场传感器都布置为实质相同，并包括优选性的绝缘体上硅(SOI)表面层部分(102)，提供作为在优选性的SOI晶片上的表面部分；以及表面(104)。在表面(104)上布置有：中央发射极结构(110，210，310)，形成为与基本垂直于所述表面(104，204，304)的对称平面(106，206，306)基本镜面对称；第一和第二集电极结构(116，216，316；118，218，318)，其中每个都布置为远离发射极结构(110，210，310)，并布置在对称平面(106，206，306)的相对侧上，以便基本上成为彼此的镜像。
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公开(公告)号：CN107452811A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710398146.X
申请日：2017-05-31
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： U.奥瑟莱希纳
CPC分类号： G01R33/066 , G01R33/0023 , G01R33/0029 , G01R33/06 , G01R33/075 , H01L29/0692 , H01L29/41758 , H01L29/42376 , H01L29/78 , H01L29/82
摘要： 本发明涉及用于MAGFET传感器的自旋电流方法。此外，在本文描述了一种磁场敏感MOSFET（MagFET）。根据一个实施例，所述MagFET包括：半导体主体；第一阱区，所述第一阱区被布置在所述半导体主体中且以第一掺杂类型的掺杂剂掺杂；以及数目为N个的接触区，其被布置在所述第一阱区中且以第二掺杂类型的掺杂剂掺杂，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型互补，其中N等于或大于3。栅电极覆盖所述接触区之间的所述第一阱区。所述栅电极通过隔离层与所述第一阱区分离，且被配置成，取决于在所述栅电极处施加的电压，控制所述接触区之间的所述第一阱区中的电荷载流子密度。所述第一阱区具有对称中心，并且所述接触区以N阶旋转对称性相对于所述对称中心旋转对称地布置。
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