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公开(公告)号：CN110546737A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880005342.9
申请日：2018-07-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/22 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩、且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和之和为负值。
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公开(公告)号：CN101341432B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200780000849.7
申请日：2007-06-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G02B6/44
CPC classification number: G02B6/443 , C03C25/1065 , G02B6/02395
Abstract: 本发明提供一种与现有光纤芯线相比具有更优良的突出特性的光纤芯线及其制造方法。本发明的光纤芯线，是于在玻璃光纤的外周设置一次被覆层及二次被覆层而形成的光纤素线的外周，再设置以热可塑性聚酯弹性体为主要成分的三次被覆层而形成的，其特征在于：一次被覆层的外径为180～200μm，二次被覆层的外径为350～450μm，光纤素线的二次被覆层的厚度与玻璃光纤从光纤素线的拔出力之积为720N/mm·μm以上。
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公开(公告)号：CN101341432A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200780000849.7
申请日：2007-06-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G02B6/44
CPC classification number: G02B6/443 , C03C25/1065 , G02B6/02395
Abstract: 本发明提供一种与现有光纤芯线相比具有更优良的突出特性的光纤芯线及其制造方法。本发明的光纤芯线，是于在玻璃光纤的外周设置一次被覆层及二次被覆层而形成的光纤素线的外周，再设置以热可塑性聚酯弹性体为主要成分的三次被覆层而形成的，其特征在于：一次被覆层的外径为180～200μm，二次被覆层的外径为350～450μm，光纤素线的二次被覆层的厚度与玻璃光纤从光纤素线的拔出力之积为720N/mm·μm以上。
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公开(公告)号：CN110546736B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880005341.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/22 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的平均值之和为负值。
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公开(公告)号：CN110546738A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880005343.3
申请日：2018-07-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/22 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，所述粘合带(15)以于任意第一方向的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值与以于与所述第一方向成直角的第二方向的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值之和为负值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110546735A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880005323.6
申请日：2018-07-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/22 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和为负值。
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公开(公告)号：CN110546738B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201880005343.3
申请日：2018-07-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/22 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，所述粘合带(15)以于任意第一方向的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值与以于与所述第一方向成直角的第二方向的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的总和算出的积分值之和为负值。
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公开(公告)号：CN110546735B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880005323.6
申请日：2018-07-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/22 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的平均值之和为负值。
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公开(公告)号：CN110546737B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880005342.9
申请日：2018-07-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/22 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩、且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的总和之和为负值。
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公开(公告)号：CN110546736A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880005341.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/22 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供能够在短时间充分加热收缩且能够保持切口(kerf)宽度的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征为具有粘合带(15)，该粘合带(15)具有基材膜(11)及形成于所述基材膜(11)的至少一面侧的粘合剂层(12)，对于所述粘合带(15)而言，MD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的平均值与TD方向上的利用热机械特性试验机于升温时测定的40℃～80℃之间的每1℃的热变形率的微分值的平均值之和为负值。
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