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公开(公告)号：CN110869157B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201880046211.5
申请日：2018-07-13
申请人： 古河电气工业株式会社 , 古河AS株式会社
摘要： 本发明提供导体连接装置和导体连接方法，能够容易地应对各种导体的接合。使多个导体露出部(120)超声波焊接而进行接合的导体连接装置(1)具有：焊头(13)，其进行超声波振动，具有对导体露出部(120)进行挤压的焊头侧下表面(13a)；一对限制部(21)，它们构成为与焊头侧下表面(13a)抵接，并且能够沿焊头侧下表面(13a)进行相对移动；以及砧座(30)，其向接近或远离焊头侧下表面(13a)的方向进行相对移动，使焊头(13)和限制部(21)相对于砧座(30)下降并且使一对限制部(21)朝向导体露出部(120)移动以使得构成砧座(30)的砧座上部(31)被在一对限制部(21)中相互对置的限制部(21)夹持。
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公开(公告)号：CN110869157A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880046211.5
申请日：2018-07-13
申请人： 古河电气工业株式会社 , 古河AS株式会社
摘要： 本发明提供导体连接装置和导体连接方法，能够容易地应对各种导体的接合。使多个导体露出部(120)超声波焊接而进行接合的导体连接装置(1)具有：焊头(13)，其进行超声波振动，具有对导体露出部(120)进行挤压的焊头侧下表面(13a)；一对限制部(21)，它们构成为与焊头侧下表面(13a)抵接，并且能够沿焊头侧下表面(13a)进行相对移动；以及砧座(30)，其向接近或远离焊头侧下表面(13a)的方向进行相对移动，使焊头(13)和限制部(21)相对于砧座(30)下降并且使一对限制部(21)朝向导体露出部(120)移动以使得构成砧座(30)的砧座上部(31)被在一对限制部(21)中相互对置的限制部(21)夹持。
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公开(公告)号：CN111164228B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201880063563.1
申请日：2018-05-15
申请人： 株式会社UACJ , 古河电气工业株式会社
摘要： 一种磁盘用铝合金基板及其制造方法、以及在该磁盘用铝合金基板的表面设置有无电解镀Ni－P处理层和其上的磁性层的磁盘，该磁盘用铝合金基板由铝合金构成，该铝合金含有Fe：0.4～3.0mass％(以下，简称“％”)、Si：小于0.10％、Mg：小于0.10％，剩余部分由Al及不可避免的杂质构成，该磁盘用铝合金基板中，具有2μm以上、小于3μm的最长径的Al－Fe系金属间化合物以1000个/mm2以上的分布密度分散，具有1μm以上的最长径的Mg－Si系金属间化合物以1个/mm2以下的分布密度分散。
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公开(公告)号：CN110337692B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201880014068.1
申请日：2018-02-09
申请人： 株式会社UACJ , 古河电气工业株式会社
摘要： 一种磁盘用铝合金基板及其制造方法、以及一种磁盘，该磁盘用铝合金基板的特征在于，由含有Fe：0.4～3.0mass％，剩余部分由Al及不可避免的杂质构成的铝合金构成，该磁盘的特征在于，在该磁盘用铝合金基板的表面，设置有无电解镀Ni－P处理层和其上的磁性体层。
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公开(公告)号：CN111164228A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063563.1
申请日：2018-05-15
申请人： 株式会社UACJ , 古河电气工业株式会社
摘要： 一种磁盘用铝合金基板及其制造方法、以及在该磁盘用铝合金基板的表面设置有无电解镀Ni－P处理层和其上的磁性层的磁盘，该磁盘用铝合金基板由铝合金构成，该铝合金含有Fe：0.4～3.0mass％(以下，简称“％”)、Si：小于0.10％、Mg：小于0.10％，剩余部分由Al及不可避免的杂质构成，该磁盘用铝合金基板中，具有2μm以上、小于3μm的最长径的Al－Fe系金属间化合物以1000个/mm2以上的分布密度分散，具有1μm以上的最长径的Mg－Si系金属间化合物以1个/mm2以下的分布密度分散。
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公开(公告)号：CN111771241B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201980013742.9
申请日：2019-02-06
申请人： 株式会社UACJ , 古河电气工业株式会社
摘要： 一种磁盘用铝合金基板及其制造方法、及使用该磁盘用铝合金基板的磁盘，磁盘用铝合金基板由含有Fe：0.4～3.0mass％(以下记作“％”)、Cu：0.005～1.000％、Zn：0.005～1.000，剩余部分Al及不可避免的杂质构成的铝合金构成，具有10μm以上小于16μm的最长径的Al‑Fe系金属间化合物的分布密度A和具有10μm以上的最长径的Al‑Fe系金属间化合物的分布密度B的比例(A/B)为0.70以上、具有40μm以上的最长径的Al‑Fe系金属间化合物为1个/mm2以下的分布密度。
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公开(公告)号：CN111801734A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201880090121.6
申请日：2018-11-28
申请人： 株式会社UACJ , 古河电气工业株式会社
IPC分类号： G11B5/65 , C22C21/00 , C22F1/04 , G11B5/73 , G11B5/82 , G11B5/84 , C22C21/10 , C22C21/12 , C22F1/00
摘要： 一种磁盘及其制造方法，该磁盘的特征在于，将化合物除去工序适用于由铝合金构成的以CC法制造出来的铝合金板，该铝合金含有Fe：0.4～3.0mass％(以下，简称为“％”)、Mn：0.1～3.0％、Cu：0.005～1.000％、Zn：0.005～1.000％，剩余部分由Al及不可避免的杂质构成，该磁盘包括被形成于其表面的无电解镀Ni－P层，波长为0.4～5.0mm的波纹的最大振幅为5nm以下，波长为0.08～0.45mm的波纹的最大振幅为1.5nm以下。
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公开(公告)号：CN110234794B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201880009397.7
申请日：2018-01-30
申请人： 株式会社UACJ , 古河电气工业株式会社
摘要： 一种铝合金制的磁盘基板及其制造方法，具备：含有Fe：0.4～3.0mass％(以下，简记为“％”)、Mn：0.1～3.0％、Cu：0.005～1.000％、Zn：0.005～1.000％，剩余部分由Al以及不可避免的杂质形成的铝合金形成的铝合金基材；以及形成在其表面的无电解镀Ni‑P层，基于辉光放电发光分析装置所得到的无电解镀Ni‑P层和铝合金基材的界面中的Fe发光强度的峰值(BLEI)小于基于辉光放电发光分析装置所得到的铝合金基材内部的Fe发光强度(AlEI)。
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公开(公告)号：CN108368568A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201780004380.8
申请日：2017-04-26
申请人： 株式会社UACJ , 古河电气工业株式会社
摘要： 提供一种具有磁盘颤振发生少的特性的磁盘用铝合金基板。一种磁盘用铝合金基板，其中，金属组织中的最长径为4μm以上30μm以下的第二相颗粒的周长的合计为10mm/mm2以上。
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公开(公告)号：CN111448611B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201880075557.8
申请日：2018-08-22
申请人： 株式会社UACJ , 古河电气工业株式会社
摘要： 一种磁盘用铝合金基板及其制造方法、以及一种磁盘，该磁盘用铝合金基板的特征在于，基板的板厚与损耗因数之积为0.7×10－3以上，该磁盘的特征在于，在该磁盘用铝合金基板的表面，设置有无电解镀Ni－P处理层和其上的磁性体层。
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