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实用新型
半导体元件有权

公开(公告)号：CN222529609U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202420957065.4

申请日：2024-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗文勋 , 周大为 , 石志聪 , 杨锦煌 , 施启元 , 徐英杰 , 黄士芬

IPC: G02F1/015

Abstract: 本实用新型提供一种半导体元件，包括：介电层；以及光调制器结构，在所述介电层中且包括：第一区域，包括第一掺杂剂类型；以及第二区域，在所述第一区域的顶面上且包括第二掺杂剂类型，其中所述第一区域和所述第二区域对应所述光调制器结构的PN结二极管。光子集成电路中的光调制器结构包括位于光调制器结构的光模(例如，光调制器结构中产生光的区域)的L形PN结。相对于其他类型的结，例如水平结或I形结，L形PN结在光模处增加了PN结重叠面积。增加的重叠面积可以使光调制器结构实现更高的调制效率。

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