公开(公告)号：CN222320270U

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202420657915.9

申请日：2024-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊纮 ,  郑新立 ,  萧茹雄 ,  黄士芬 ,  简铎欣 ,  梁育玮

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例涉及一种包括具有半导体电阻器结构的半导体装置和用于形成半导体电阻器结构的技术。技术包括在层(例如，渐变电阻层)内形成具有不同硅/铬比率的硅铬材料的层作为形成半导体电阻器结构的一部分。渐变电阻层可以补偿可能导致渐变电阻层的膜损坏、变薄、结晶或成分偏移的半导体制造工艺(例如，刻蚀、氧化、热退火)以扩大用于制造半导体电阻器结构的工艺窗口。相对于使用硅铬材料的均匀层制造的其他半导体电阻器结构，扩大的工艺窗口可以改善半导体电阻器结构的效能(例如，电阻和/或阻抗均匀性)。

公开(公告)号：CN222673039U

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202420777252.4

申请日：2024-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊纮 ,  张良亦 ,  梁育玮 ,  黃章祐 ,  林宏翰 ,  萧茹雄

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本文描述的一些实施方式包括用于形成包括半导体电阻器结构的半导体装置的技术和设备。半导体电阻器结构(例如，低阻抗的薄膜电阻器结构)可包括具有近似矩形形状(例如，长宽比小于约1)的电阻层。半导体电阻器结构包括连接到电阻层的接触结构、连接到接触结构的具有近似矩形形状的导电总线结构、以及位于导电总线结构的边缘的中心或靠近导电总线结构的边缘的电性端子(例如，布线引脚)。本实用新型的一些实施例用以改善电流在半导体电阻器结构内的分布以减少半导体电阻器结构内的电阻变化。

公开(公告)号：CN222320271U

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202420738337.1

申请日：2024-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊纮 ,  吴锡荣 ,  黄俊杰 ,  萧茹雄 ,  梁育玮 ,  张寓钧

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H10N97/00

Abstract: 本实用新型的各种实施例针对包括设置在半导体衬底上的电阻结构的集成芯片。介电结构设置在半导体衬底上方。电阻结构设置在介电结构内。电阻结构包括薄膜电阻(TFR)层以及设置在薄膜电阻层上的第一覆盖结构。第一孔穴设置在介电结构内且邻接第一覆盖结构的第一侧壁。