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公开(公告)号：CN119947226A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510043571.1
申请日：2025-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。在实施例中，示例性方法包括：在衬底上方形成包括与多个牺牲层交错的多个沟道层的鳍形有源区域；去除鳍形有源区域的源极/漏极区域以形成源极/漏极开口；在源极/漏极开口中形成源极/漏极部件；选择性去除多个牺牲层以形成多个栅极开口；以及在多个栅极开口中形成栅极结构，其中，栅极结构包括形成在多个栅极开口的第一栅极开口中的第一部分和形成在多个栅极开口的第二栅极开口中的第二部分，第一部分的栅极长度与第二部分的栅极长度不同。
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