公开(公告)号：CN101814491B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010121640.X

申请日：2010-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴显扬 ,  郑价言 ,  龚威菖

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种集成电路与其系统，包含位于衬底上方的熔丝(Fuse)。该熔丝具有第一端、第二端和位于第一端与第二端间的中间部分。第一虚设图案(Dummy Pattern)被设置相邻于熔丝的中间部分的每一侧，其中该第一虚设图案包含二第一线条，该些第一线条是平行于该熔丝的该中间部分，该些第一线条间具有相邻于该熔丝的该中间部分的一第一空隙，当该熔丝被熔化时，熔融的熔丝材料会迁移至该些第一线条其中至少一者，而该第一空隙能将该些第一线条隔离，以保持电流路径为开路。

公开(公告)号：CN101814491A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010121640.X

申请日：2010-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴显扬 ,  郑价言 ,  龚威菖

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种集成电路与其系统，包含位于衬底上方的熔丝(Fuse)。该熔丝具有第一端、第二端和位于第一端与第二端间的中间部分。第一虚设图案(Dummy Pattern)被设置相邻于熔丝的中间部分的每一侧。

公开(公告)号：CN105957857A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610395613.9

申请日：2010-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴显扬 ,  龚威菖

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/5226

Abstract: 本发明公开了熔丝结构，依据一实施例，该熔丝结构包括阳极、阴极、熔断体设置于阳极与阴极之间，以及多个阴极连接器耦接至阴极，每个阴极连接器等于或大于耦接至有源元件的接触窗的最小特征尺寸的约两倍。本发明的熔丝结构更坚固耐用，能够降低在公知的单一接触窗中被隔绝的大电流，并使得熔丝结构具有更强健的电子迁移能力，使得接触窗内或上方的金属较不可能迁移至熔断体，并使得熔丝结构短路。

公开(公告)号：CN102074547A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010514753.6

申请日：2010-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴显扬 ,  龚威菖

IPC: H01L23/525 ,  G11C17/16

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了熔丝结构，依据一实施例，该熔丝结构包括阳极、阴极、熔断体设置于阳极与阴极之间，以及多个阴极连接器耦接至阴极，每个阴极连接器等于或大于耦接至有源元件的接触窗的最小特征尺寸的约两倍。本发明的熔丝结构更坚固耐用，能够降低在公知的单一接触窗中被隔绝的大电流，并使得熔丝结构具有更强健的电子迁移能力，使得接触窗内或上方的金属较不可能迁移至熔断体，并使得熔丝结构短路。