-
公开(公告)号:CN1279562C
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN99805616.2
申请日:1999-04-30
申请人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
发明人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫 , M·E·吉瓦吉佐夫 , V·I·埃尔肖夫 , N·I·曼施纳
CPC分类号: H01J9/025 , H01J1/3042 , H01J1/3044
摘要: 提出一种电子源,其中场致发射体由在基片上外延地生长的晶须构成。镇流电阻和激活区域被放置在场致发射体的实体中和或表面上。镇流电阻可以以具有n-n+,p-p+,p-n半导体结的形状的一个势垒或与荷电载流子流交叉的绝缘层来实现。用于控制这样的电子源的元件被垂直地排列。这允许大大地减小元件所化费的面积,这样,提高器件的分辨力和扩展其应用领域。这样,由于晶须生长场致发射体,有可能在强电场下由低电压控制发射电流。
-
公开(公告)号:CN1298551A
公开(公告)日:2001-06-06
申请号:CN99805616.2
申请日:1999-04-30
申请人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
发明人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫 , M·E·吉瓦吉佐夫 , V·I·埃尔肖夫 , N·I·曼施纳
CPC分类号: H01J9/025 , H01J1/3042 , H01J1/3044
摘要: 提出一种电子源,其中场致发射体由在基片上外延地生长的晶须构成。镇流电阻和激活区域被放置在场致发射体的实体中和或表面上。镇流电阻可以以具有n-n+,p-p+,p-n半导体结的形状的一个势垒或与荷电载流子流交叉的绝缘层来实现。用于控制这样的电子源的元件被垂直地排列。这允许大大地减小元件所化费的面积,这样,提高器件的分辨力和扩展其应用领域。这样,由于晶须生长场致发射体,有可能在强电场下由低电压控制发射电流。
-