-
公开(公告)号:CN1124370C
公开(公告)日:2003-10-15
申请号:CN97194954.9
申请日:1997-03-24
申请人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
发明人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
CPC分类号: H01J9/025 , C30B11/12 , C30B25/005 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , Y10T117/102
摘要: 本发明涉及在单晶衬底上生长定向晶须列阵的方法,该方法将待结晶材料从与晶须相同组分的固态源体气相迁移到覆盖着作为晶须生长成核/催化中心的液相颗粒的衬底上。源体的平面表面面对并且平行于衬底,以产生矢量-均匀的温度场,其梯度垂直于衬底和源。采用特殊设计的高频加热装置,其被安排在相对与高频电感器的特殊的位置上,来实现矢量-均匀温度场。激光器和/或灯热源既可以单独也可以组合用作高频热源。装置中,材料源被加热,衬底由材料源加热。在另一种情况下,衬底被加热,材料源由衬底加热。
-
公开(公告)号:CN1298551A
公开(公告)日:2001-06-06
申请号:CN99805616.2
申请日:1999-04-30
申请人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
发明人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫 , M·E·吉瓦吉佐夫 , V·I·埃尔肖夫 , N·I·曼施纳
CPC分类号: H01J9/025 , H01J1/3042 , H01J1/3044
摘要: 提出一种电子源,其中场致发射体由在基片上外延地生长的晶须构成。镇流电阻和激活区域被放置在场致发射体的实体中和或表面上。镇流电阻可以以具有n-n+,p-p+,p-n半导体结的形状的一个势垒或与荷电载流子流交叉的绝缘层来实现。用于控制这样的电子源的元件被垂直地排列。这允许大大地减小元件所化费的面积,这样,提高器件的分辨力和扩展其应用领域。这样,由于晶须生长场致发射体,有可能在强电场下由低电压控制发射电流。
-
公开(公告)号:CN1279562C
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN99805616.2
申请日:1999-04-30
申请人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
发明人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫 , M·E·吉瓦吉佐夫 , V·I·埃尔肖夫 , N·I·曼施纳
CPC分类号: H01J9/025 , H01J1/3042 , H01J1/3044
摘要: 提出一种电子源,其中场致发射体由在基片上外延地生长的晶须构成。镇流电阻和激活区域被放置在场致发射体的实体中和或表面上。镇流电阻可以以具有n-n+,p-p+,p-n半导体结的形状的一个势垒或与荷电载流子流交叉的绝缘层来实现。用于控制这样的电子源的元件被垂直地排列。这允许大大地减小元件所化费的面积,这样,提高器件的分辨力和扩展其应用领域。这样,由于晶须生长场致发射体,有可能在强电场下由低电压控制发射电流。
-
公开(公告)号:CN1219985A
公开(公告)日:1999-06-16
申请号:CN97194954.9
申请日:1997-03-24
申请人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
发明人: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
CPC分类号: H01J9/025 , C30B11/12 , C30B25/005 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , Y10T117/102
摘要: 本发明涉及在单晶衬底上生长定向晶须列阵的方法,该方法将待结晶材料从与晶须相同组分的固态源体气相迁移到覆盖着作为晶须生长成核/催化中心的液相颗粒的衬底上。源体的平面表面面对并且平行于衬底,以产生矢量-均匀的温度场,其梯度垂直于衬底和源。采用特殊设计的高频加热装置,其被安排在相对与高频电感器的特殊的位置上,来实现矢量-均匀温度场。激光器和/或灯热源既可以单独也可以组合用作高频热源。装置中,材料源被加热,衬底由材料源加热。在另一种情况下,衬底被加热,材料源由衬底加热。
-
-
-