公开(公告)号：CN110993698B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201911312859.5

申请日：2019-12-18

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方显示技术有限公司

发明人： 陈亮 ,  钱海蛟 ,  高锦成

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：衬底基波以及设置在衬底基板上的有源层、源极、漏极和导电缓冲层；其中，所述源极和漏极均与所述有源层间隔设置；所述导电缓冲层包括完全覆盖所述源极的第一子缓冲层和完全覆盖所述漏极的第二子缓冲层，且所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区接触。与现有技术相比，本发明的技术方案通过改变源极、漏极和有源层之间的位置关系，仅使用一层导电缓冲层连通源极、漏极和有源层，并且该导电缓冲层还完全覆盖源极和漏极，既节省了缓冲层，又避免了源极与漏极被氧化的风险，提高了TFT的特性。

公开(公告)号：CN111725242B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202010615321.8

申请日：2020-06-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方显示技术有限公司

发明人： 陈亮 ,  高锦成 ,  钱海蛟 ,  赵立星 ,  汪涛 ,  胡志强 ,  刘泽旭

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343

摘要： 本公开的实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，通过保护图案阻挡氢原子由间隔区域侵入有源层，避免有源层出现负偏压温度光照阈值电压漂移恶化及导体化的现象，优化了薄膜晶体管的特性。阵列基板包括衬底、栅极、有源层、源极、漏极、第一钝化层、保护图案和像素电极。其中，沿平行于衬底的方向，源极与漏极之间间隔设置且具有间隔区域。源极和漏极分别与有源层耦接。保护图案和像素电极材料相同且同层设置。像素电极与源极或漏极耦接。保护图案在衬底上的正投影，覆盖间隔区域在衬底上的正投影。保护图案可阻挡氢原子由间隔区域侵入有源层。上述阵列基板应用于显示装置中，以使显示装置显示画面。

公开(公告)号：CN113113475A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110378794.5

申请日：2021-04-08

申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 汪涛 ,  高锦成 ,  钱海蛟 ,  陈亮 ,  赵立星 ,  刘泽旭 ,  张瑞锋 ,  毛金翔 ,  张冠永 ,  陆文涛 ,  姜涛

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法及显示装置。所述薄膜晶体管包括依次设置在基底上的栅电极、栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层，其中所述栅绝缘层、有源层、掺杂层和源漏电极层通过同一次图案化工艺形成，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，在垂直基底方向上，所述薄膜晶体管包括源电极区、沟道区和漏电极区，所述掺杂层包括位于所述源电极区的源极掺杂层，以及位于所述漏电极区的漏极掺杂层，在所述源电极区，所述源极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影；在所述漏电极区，所述漏极掺杂层在基底的正投影大于所述有源层在基底的正投影。可以消除由于半导体拖尾造成的水波纹不良。

公开(公告)号：CN117916884A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280002206.0

申请日：2022-07-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方显示技术有限公司

发明人： 柳泉洲 ,  钱海蛟 ,  陈亮 ,  刘泽旭

IPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362

摘要： 本申请公开了一种驱动背板及显示面板，属于显示技术领域。驱动背板包括：衬底，衬底具有多个透光区域和多个子像素区域；位于子像素区域内的像素驱动电路和阳极块，像素驱动电路和阳极块电连接；以及，位于透光区域内修复线和修复电极，修复线的端部与修复电极之间存在空隙；其中，对于任一透光区域内的修复线和修复电极，修复线背离修复电极的一端与第一子像素区域内的阳极块电连接，修复电极与第二子像素区域内的阳极块电连接，第一子像素区域为多个子像素区域中位于这个透光区域一侧的子像素区域，第二子像素区域为多个子像素区域中位于这个透光区域另一侧的子像素区域。该驱动背板可以提高集成有这个驱动背板的显示面板的良率。

公开(公告)号：CN113687549A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202111115625.9

申请日：2021-09-23

申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 陈亮 ,  钱海蛟 ,  赵立星 ,  张冠永 ,  陆文涛 ,  毛金翔 ,  刘建涛

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1333

摘要： 本申请实施例提供了一种显示面板及显示面板的制作方法、显示装置，显示面板包括衬底基板、多个像素单元、第一绝缘层及第二绝缘层。其中，多个像素单元位于衬底基板上且呈矩阵分布，至少一个像素单元包括晶体管和与晶体管连接的像素电极；第一绝缘层位于晶体管的远离衬底基板的一侧；第二绝缘层位于第一绝缘层的远离晶体管的一侧，第二绝缘层上设有第一过孔，像素电极通过第一过孔与晶体管连接，第一过孔包括贯穿第一绝缘层的第一孔段和贯穿第二绝缘层的第二孔段，第二绝缘层覆盖第一孔段的至少部分孔壁。上述显示面板中，第二绝缘层覆盖第一孔段的至少部分孔壁，第一过孔的孔壁更加平缓，像素电极更加贴合孔壁，降低显示面板发生显示不良的概率。

公开(公告)号：CN112310044A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011187577.X

申请日：2020-10-29

申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 赵立星 ,  高锦成 ,  钱海蛟 ,  陈亮 ,  汪涛 ,  刘泽旭 ,  陈凯

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

摘要： 一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括：基底、依次设置在所述基底上的第一金属层、第二金属层和第三金属层；还包括设置在所述第一金属层的第一测试焊盘，所述第一测试焊盘通过多条第一引出线分别连接至多条设置在第二金属层的数据线，其中，至少存在一条第一引出线包括依次连接的第一引出子线、第二引出子线和第三引出子线，所述第一引出子线和所述第三引出子线设置在所述第一金属层，所述第二引出子线设置在所述第三金属层。本实施例提供的方案，通过将第一引出线设置为多段引出子线，并通过过孔搭接，防止测试焊盘累加的静电传导到后续与数据线连接的位置，影响显示效果。

公开(公告)号：CN110993698A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911312859.5

申请日：2019-12-18

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方显示技术有限公司

发明人： 陈亮 ,  钱海蛟 ,  高锦成

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：衬底基波以及设置在衬底基板上的有源层、源极、漏极和导电缓冲层；其中，所述源极和漏极均与所述有源层间隔设置；所述导电缓冲层包括完全覆盖所述源极的第一子缓冲层和完全覆盖所述漏极的第二子缓冲层，且所述第一子缓冲层和所述第二子缓冲层分别与所述有源层的源极接触区和漏极接触区接触。与现有技术相比，本发明的技术方案通过改变源极、漏极和有源层之间的位置关系，仅使用一层导电缓冲层连通源极、漏极和有源层，并且该导电缓冲层还完全覆盖源极和漏极，既节省了缓冲层，又避免了源极与漏极被氧化的风险，提高了TFT的特性。

公开(公告)号：CN110429061A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910763909.5

申请日：2019-08-19

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方显示技术有限公司

发明人： 钱海蛟 ,  姜涛 ,  高锦成 ,  陈亮

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G03F7/16

摘要： 本发明公开一种显示基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决通过一次构图工艺同时形成层叠设置的两层功能图形时，无法实现上层功能图形和下层功能图形精确的尺寸对应关系，导致对显示基板的工作性能产生影响的问题。所述制作方法包括：在基底上依次形成层叠设置的第一过渡功能图形、第二过渡功能图形和光刻胶图形，光刻胶图形覆盖第二过渡功能图形的边缘区域；对光刻胶图形进行烘烤，使部分光刻胶图形覆盖第二过渡功能图形的侧表面；以烘烤后的光刻胶图形为掩膜，对第二过渡功能图形进行湿法刻蚀，形成第二目标功能图形，并对第一过渡功能图形进行刻蚀，形成第一目标功能图形。本发明提供的制作方法用于制作显示基板。

公开(公告)号：CN116068814A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202111273067.9

申请日：2021-10-29

申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 陈亮 ,  钱海蛟 ,  汪涛 ,  刘泽旭 ,  柳泉洲 ,  张瑞锋 ,  刘建涛

IPC分类号： G02F1/1343

摘要： 本发明提供了一种阵列基板，包括位于多条数据线和多条扫描线交叉限定出的区域内的多个子像素单元，子像素单元的电极结构包括：沿第一方向的至少一个第一支电极，第一支电极沿第二方向的宽度是a，第一支电极和相邻电极之间的间距为c，第一间隔区域的宽度为a+c；沿第一方向的至少一个第二支电极，第二支电极沿第二方向的宽度是b，第二支电极和相邻电极之间的间距为d，第二间隔区域的宽度为b+d，a不等于b和/或c不等于d；第一支电极和第二支电极交替排布。本发明的实施例能够保证在曝光量波动造成第一支电极的宽度和第二支电极的宽度增大或减小时，第一间隔区域和第二间隔区域的透过率变化相反，使像素整体透过率保持较小波动。

公开(公告)号：CN113066802B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202110298554.4

申请日：2021-03-19

申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 陈亮 ,  高锦成 ,  钱海蛟 ,  姜涛 ,  刘泽旭 ,  汪涛 ,  赵立星 ,  张冠永 ,  柳泉洲 ,  刘建涛

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G09F9/30

摘要： 本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：在薄膜晶体管结构背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层；在第二绝缘层背离衬底基板的一侧依次形成色阻层和第三绝缘层，第三绝缘层开设有第一过孔和第二过孔，第一过孔在衬底基板上的正投影与源漏金属层在衬底基板上的正投影至少部分相交，第一过孔与第二绝缘层之间保留有色阻层和/或第三绝缘层，第二过孔暴露出第二绝缘层；采用刻蚀工艺对第一过孔位置和第二过孔位置进行刻蚀，在第一过孔位置暴露出至少部分源漏金属层，在第二过孔位置暴露出至少部分栅金属层。本公开的技术方案，可以避免第一过孔位置的金属过早暴露，防止第一过孔位置的金属氧化严重，避免产品出现显示不良。