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公开(公告)号：CN116317557A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314446.0
申请日：2023-03-28
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种并联氮化镓功率器件的动态电流均衡电路，包括：功率电路和驱动电路，其中，功率电路由直流母线侧电路和GaNHEMT并联器件电路组成；驱动电路由供电侧、信号输入侧、栅极驱动器和输出侧组成。本发明能使并联器件开关速度更快，扩大电流容量，并能减少漏极电流不均衡度，以达到均衡氮化镓器件动态电流的要求。
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公开(公告)号：CN115441705A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211174778.5
申请日：2022-09-26
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于谐振门极驱动的SiCMOSFET并联的控制电路，包括：驱动电路、功率电路和驱动电源电路，其中，驱动电路是由隔离型驱动器、信号输入侧和信号输出侧组成；功率电路由SiCMOSFET并联电路组成；驱动电源电路由隔离型驱动电源电路和稳压电路组成。本发明能减少功率半导体器件在高频工作条件下的能量损耗，提高器件在并联工作时的漏极电流的均衡度，实现并联器件的均流，并拓展为多条并联支路，实现一个驱动器驱动多个器件的功能，提高电路效率。
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公开(公告)号：CN115037129B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210692643.1
申请日：2022-06-17
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET并联均流的控制电路，包括：功率电路、驱动电路和驱动供电电路，其中，功率电路由直流母线侧电路和SiC MOSFET并联器件电路组成；驱动电路分为两部分完全相同的支路A驱动电路和支路B驱动电路；驱动电路是由信号输入侧、隔离型门极驱动器和输出侧三部分组成；驱动供电电路由电源Vd发生电路和驱动供电主电路组成。本发明能使并联器件开关速度更快，减少漏极电流不均衡度，并能扩大电流容量以达到设计要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115389900A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211129647.5
申请日：2022-09-16
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法，包括：充电电路，浪涌电流产生电路、测量器件电路、放电电路和驱动电路组成，其中，充电电路由一个电压源和薄膜电容组成，进行浪涌测试之前，对薄膜电容进行充电，充电过程由充电电路进行；浪涌电流产生电路由薄膜电容和一个电感L组成，并产生正弦电流，被测器件为SiCMOSFET；驱动电路是对被测器件SiC MOSFET进行开通和关断。
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公开(公告)号：CN115940659A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310052502.8
申请日：2023-02-02
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CLLC拓扑的谐振式DC/DC变换器的三自由度控制方法，包括母线电压、频率和移相角的三自由度调节以及电压外环、电流内环双环控制，以实现电池充电的恒压模式CV、恒流模式CC和恒功率模式CP三种工作模态的控制与切换。本发明针对宽范围输入电压应用场合，在调频控制和移相控制的基础上，引入母线电压调节，能减小调频范围和移相角，从而克服移相控制造成的谐振腔电流大的问题，并实现宽电压增益。
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公开(公告)号：CN115441705B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202211174778.5
申请日：2022-09-26
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于谐振门极驱动的SiCMOSFET并联的控制电路，包括：驱动电路、功率电路和驱动电源电路，其中，驱动电路是由隔离型驱动器、信号输入侧和信号输出侧组成；功率电路由SiCMOSFET并联电路组成；驱动电源电路由隔离型驱动电源电路和稳压电路组成。本发明能减少功率半导体器件在高频工作条件下的能量损耗，提高器件在并联工作时的漏极电流的均衡度，实现并联器件的均流，并拓展为多条并联支路，实现一个驱动器驱动多个器件的功能，提高电路效率。
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公开(公告)号：CN115389900B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211129647.5
申请日：2022-09-16
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法，包括：充电电路，浪涌电流产生电路、测量器件电路、放电电路和驱动电路组成，其中，充电电路由一个电压源和薄膜电容组成，进行浪涌测试之前，对薄膜电容进行充电，充电过程由充电电路进行；浪涌电流产生电路由薄膜电容和一个电感L组成，并产生正弦电流，被测器件为SiCMOSFET；驱动电路是对被测器件SiC MOSFET进行开通和关断。
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公开(公告)号：CN115037129A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210692643.1
申请日：2022-06-17
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET并联均流的控制电路，包括：功率电路、驱动电路和驱动供电电路，其中，功率电路由直流母线侧电路和SiC MOSFET并联器件电路组成；驱动电路分为两部分完全相同的支路A驱动电路和支路B驱动电路；驱动电路是由信号输入侧、隔离型门极驱动器和输出侧三部分组成；驱动供电电路由电源Vd发生电路和驱动供电主电路组成。本发明能使并联器件开关速度更快，减少漏极电流不均衡度，并能扩大电流容量以达到设计要求。
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