公开(公告)号：CN118390127A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410500835.7

申请日：2024-04-24

申请人： 合肥工业大学

发明人： 汪嘉恒 ,  陈志远 ,  吴玉程 ,  魏浩山 ,  蔡成 ,  叶喜豪 ,  蒋铠杰

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D7/00

摘要： 本发明公开了一种粉体材料的通过式电镀方法，首先对导电粉体进行表面处理；然后，在循环电镀装置中使用直流电源进行电镀，使粉体表面均匀包覆一层或多层金属；电镀完成的粉体需多次清洗和干燥，确保优良的金属包覆效果。本发明能够高效制备核壳结构的金属包覆导电粉体，为粉体表面改性提供了一种新方案。本项发明的电镀技术不仅特点在于电镀速度快、前处理工艺简化，而且具备经济环保的优势，适合大规模应用。

公开(公告)号：CN118387882A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410500916.7

申请日：2024-04-24

申请人： 合肥工业大学

发明人： 汪嘉恒 ,  叶喜豪 ,  蒋铠杰 ,  魏浩山 ,  陈志远 ,  蔡成

IPC分类号： C01B33/037

摘要： 本发明公开了一种硅基半导体固废的多过程配合提纯方法，首先需要对原始的切割废料粉体进行表面氧化有机残留物清洗；利用不同类别酸液对表面氧化层和金属杂质进行溶解分离；利用直流电源对搭建好的升降式电解槽中粉体材料进行电解；对电解完成的粉体进行多次清洗，干燥，得到纯度明显提高的粉体材料。本发明利用多过程配合电解法有效提纯硅基半导体切割废料，得到去除表面有机残留和氧化层、金属杂质的产品。其电解速度快，材料表面处理工艺简单，经济环保，能够进行大规模的运用，而且电解液可以经过循环过滤系统以实现循环多次利用，利用率高。