一种粉体材料的升降式电镀方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118531480A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410499373.1

    申请日:2024-04-24

    摘要: 本发明公开了一种粉体材料的升降式电镀方法,通过电化学反应在碳基或金属等导电粉体材料的表面沉积一层均匀致密的金属颗粒或者薄膜,不仅改善基体材料的表面性质,还可以使基体具有特定的磁性能。本发明利用升降式的电镀装置,根据不同的镀层材料改变工艺参数,同时也实现了在粉体材料上先后沉积不同的金属层。将粉体材料放入可升降的筛网中使其便于回收,具有更高的生产效率。

    一种硅基半导体固废的多过程配合提纯方法

    公开(公告)号:CN118387882A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410500916.7

    申请日:2024-04-24

    IPC分类号: C01B33/037

    摘要: 本发明公开了一种硅基半导体固废的多过程配合提纯方法,首先需要对原始的切割废料粉体进行表面氧化有机残留物清洗;利用不同类别酸液对表面氧化层和金属杂质进行溶解分离;利用直流电源对搭建好的升降式电解槽中粉体材料进行电解;对电解完成的粉体进行多次清洗,干燥,得到纯度明显提高的粉体材料。本发明利用多过程配合电解法有效提纯硅基半导体切割废料,得到去除表面有机残留和氧化层、金属杂质的产品。其电解速度快,材料表面处理工艺简单,经济环保,能够进行大规模的运用,而且电解液可以经过循环过滤系统以实现循环多次利用,利用率高。

    一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN110359061A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910713671.5

    申请日:2019-08-02

    摘要: 本发明公开了一种良好电催化析氢性能的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列的制备方法,包括如下步骤:称取0.6-0.8g钼酸铵于烧杯中,再加入0.2-0.3mL 30%过氧化氢和0.1-0.3mL无水乙醇,加入去离子水至30mL,搅拌至全部溶解后,再将溶液置于聚四氟乙烯内胆中,向聚四氟乙烯内胆中放入2-4cm钼网,将聚四氟乙烯内胆放入金属反应釜中并拧紧,置于水热烘箱中水热反应在150-230℃下保温6-15h,最后用去离子水反复洗涤几次样品,并于60℃下保温1h烘干,得到外观为墨黑色的二氧化钼纳米线/纳米片薄膜阵列。本发明合成的产物具有较大的比较面积、更多的活性位点,克服了氧化性导电性差的缺点。

    一种网络状非晶氧化钼纳米材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110357160A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910807831.2

    申请日:2019-08-29

    IPC分类号: C01G39/02 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种由水热反应制备而成的网络状非晶氧化钼纳米材料,该材料具有纳米带结构和纳米棒结构。非晶氧化钼纳米带长度为5μm,宽度为200-300nm;非晶氧化钼纳米棒长度为2-4μm,直径为80-120nm。本发明网络状非晶氧化钼纳米材料系利用水热反应一步制得,以钼网作为基底配合前驱体溶液可以选择性地获得非晶氧化钼纳米带或非晶氧化钼纳米棒材料。本发明中非晶态氧化钼呈带状或棒状,生长分布均匀,具有良好的稳定性。本发明网络状非晶氧化钼纳米材料在光电催化、光致变色、电致变色和功能材料等领域具有广泛的应用前景。

    一种网络状非晶氧化钼纳米材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110357160B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201910807831.2

    申请日:2019-08-29

    IPC分类号: C01G39/02 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种由水热反应制备而成的网络状非晶氧化钼纳米材料,该材料具有纳米带结构和纳米棒结构。非晶氧化钼纳米带长度为5μm,宽度为200‑300nm;非晶氧化钼纳米棒长度为2‑4μm,直径为80‑120nm。本发明网络状非晶氧化钼纳米材料系利用水热反应一步制得,以钼网作为基底配合前驱体溶液可以选择性地获得非晶氧化钼纳米带或非晶氧化钼纳米棒材料。本发明中非晶态氧化钼呈带状或棒状,生长分布均匀,具有良好的稳定性。本发明网络状非晶氧化钼纳米材料在光电催化、光致变色、电致变色和功能材料等领域具有广泛的应用前景。