公开(公告)号：CN119584732A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202510025233.5

申请日：2025-01-08

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 邢琨 ,  潘正伟 ,  王海峰 ,  曾鸿 ,  江小龙 ,  金政贤

IPC: H10H20/84 ,  H10H20/815 ,  H10H20/812 ,  H10H20/825 ,  H10H20/817 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明公开了基于原位SiNx插入层的半极性氮化镓基LED，其结构是在蓝宝石衬底上从下至上依次沉积有：AlN缓冲层，u‑GaN层，SiNx插入层，u‑GaN层，n‑GaN层，多层量子阱结构，p‑GaN层，p+‑GaN层。本发明通过原位生长插入氮化硅（SiNx）中间层并结合3D转2D的生长方式，提升了半极性（11‑22）GaN模板的晶体质量，且可以有效地释放其在蓝宝石衬底上受到的压应力；本发明的方法对于半极性GaN基LED的大面积生长具有良好的扩展性，为实现大规模制造长波长LED提供了可能的解决方案。