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公开(公告)号：CN106804048A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710086990.9
申请日：2017-02-17
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H04W28/02 , H04W28/08 , H04L12/801 , H04L12/803 , H04L12/851 , H04L12/721
CPC classification number: H04W28/0289 , H04L45/14 , H04L47/12 , H04L47/125 , H04L47/2441 , H04W28/08
Abstract: 本发明公开了一种基于二维网格的无线片上网络的通信机制，包括：1、通过在数据包头部路由信息中增加标志位来标记数据包的发送方式；2、判断所传输的数据包为长距离数据包还是短距离数据包，并为数据包安排不同的路由路径传输数据包。本发明能够提高无线片上网络中无线资源对于数据负载的承受能力，降低网络的通信延迟。
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公开(公告)号：CN119584732A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510025233.5
申请日：2025-01-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H10H20/84 , H10H20/815 , H10H20/812 , H10H20/825 , H10H20/817 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了基于原位SiNx插入层的半极性氮化镓基LED，其结构是在蓝宝石衬底上从下至上依次沉积有：AlN缓冲层，u‑GaN层，SiNx插入层，u‑GaN层，n‑GaN层，多层量子阱结构，p‑GaN层，p+‑GaN层。本发明通过原位生长插入氮化硅（SiNx）中间层并结合3D转2D的生长方式，提升了半极性（11‑22）GaN模板的晶体质量，且可以有效地释放其在蓝宝石衬底上受到的压应力；本发明的方法对于半极性GaN基LED的大面积生长具有良好的扩展性，为实现大规模制造长波长LED提供了可能的解决方案。
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公开(公告)号：CN116387398A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310053859.8
申请日：2023-02-03
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种通过F基等离子体处理提升AlGaN/GaN基紫外光电探测器性能的方法，是利用F基等离子体轰击AlGaN/GaN基紫外光电探测器，在AlGaN势垒层引入强电负性的F‑离子，降低二维电子气浓度，实现光电探测器暗电流的降低和光/暗电流比的提升，同时，在沟道上表面形成一薄层绝缘的氟化物，钝化表面缺陷，提升光电探测器的响应速度。本发明为传统宽禁带材料基紫外光电探测器的性能提升提供了一个简单、高效的途径。
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公开(公告)号：CN107424912A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710313193.X
申请日：2017-05-05
Applicant: 合肥工业大学
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/26 , C23C16/303 , H01L21/02631
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法，所述氮化镓基纳米柱阵列的制备方法包括以下步骤：步骤A：在一衬底上依次形成氮化铝层、氮化镓薄膜层；步骤B：在所述氮化镓薄膜层上镀二氧化硅薄膜层；步骤C：在所述二氧化硅薄膜层上蒸镀0.5-1.5nm厚度的金层；步骤D：所述金层表面上蒸镀厚度为10-20nm的镍层，形成金属镍岛结构。本发明利用镍金双膜方法制备出的纳米岛状结构在形状，密度和尺寸上的均匀性要优于利用传统方法制备出的纳米岛，大大提高了相关光电器件的光电效率。在利用氮化镓纳米柱实现MOCVD二次外延生长时，本发明制备的氮化镓基纳米柱阵列可使氮化镓晶体质量大幅提升，进而提高LED等器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN106952988B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201710175415.6
申请日：2017-03-22
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107424912B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710313193.X
申请日：2017-05-05
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法，所述氮化镓基纳米柱阵列的制备方法包括以下步骤：步骤A：在一衬底上依次形成氮化铝层、氮化镓薄膜层；步骤B：在所述氮化镓薄膜层上镀二氧化硅薄膜层；步骤C：在所述二氧化硅薄膜层上蒸镀0.5‑1.5nm厚度的金层；步骤D：所述金层表面上蒸镀厚度为10‑20nm的镍层，形成金属镍岛结构。本发明利用镍金双膜方法制备出的纳米岛状结构在形状，密度和尺寸上的均匀性要优于利用传统方法制备出的纳米岛，大大提高了相关光电器件的光电效率。在利用氮化镓纳米柱实现MOCVD二次外延生长时，本发明制备的氮化镓基纳米柱阵列可使氮化镓晶体质量大幅提升，进而提高LED等器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN110011938B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910280264.X
申请日：2019-04-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H04L12/931 , H04L12/953
Abstract: 本发明公开了一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法，其电路包括，一个终级重排序电路和n个次级重排序电路；终级重排序电路设置在片上网络的计算节点与通信节点之间；次级重排序电路设置在片上网络任意两个通信节点之间；终级重排序电路和次级重排序电路均包括：输入缓存模块、重组缓存模块；重组缓存模块是由读取模块、序列生成模块、判断模块、存储模块、直接输出模块和缓存输出模块组成；其中，终级重排序电路还包括：数据包拆包模块。本发明相对于传统排序电路，能够同时排序与输出数据，排序速度快速，功耗较低，片上网络负载均衡。
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公开(公告)号：CN110011938A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910280264.X
申请日：2019-04-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H04L12/931 , H04L12/953
Abstract: 本发明公开了一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法，其电路包括，一个终级重排序电路和n个次级重排序电路；终级重排序电路设置在片上网络的计算节点与通信节点之间；次级重排序电路设置在片上网络任意两个通信节点之间；终级重排序电路和次级重排序电路均包括：输入缓存模块、重组缓存模块；重组缓存模块是由读取模块、序列生成模块、判断模块、存储模块、直接输出模块和缓存输出模块组成；其中，终级重排序电路还包括：数据包拆包模块。本发明相对于传统排序电路，能够同时排序与输出数据，排序速度快速，功耗较低，片上网络负载均衡。
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公开(公告)号：CN106804048B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710086990.9
申请日：2017-02-17
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H04W28/02 , H04W28/08 , H04L12/801 , H04L12/803 , H04L12/851 , H04L12/721
Abstract: 本发明公开了一种基于二维网格的无线片上网络的通信机制，包括：1、通过在数据包头部路由信息中增加标志位来标记数据包的发送方式；2、判断所传输的数据包为长距离数据包还是短距离数据包，并为数据包安排不同的路由路径传输数据包。本发明能够提高无线片上网络中无线资源对于数据负载的承受能力，降低网络的通信延迟。
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公开(公告)号：CN106952988A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710175415.6
申请日：2017-03-22
Applicant: 合肥工业大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
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