公开(公告)号：CN115295747A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210908624.8

申请日：2022-07-29

申请人： 合肥工业大学 ,  合肥工业大学智能制造技术研究院

发明人： 胡俊涛 ,  王玉乐 ,  韩超磊 ,  黄叶 ,  蒋浩 ,  罗派峰 ,  方勇

IPC分类号： H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开了一种基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法，通过在fac‑Ir(ppy)3的相邻层交替插入CBP和B3PyMPM薄层，在CBP/B3PyMPM异质界面之间形成多量子阱结构，制备无掺杂超薄绿色磷光OLED器件。将每个CBP或B3PyMPM层的厚度设为2 nm是为了保证有效的激子隧穿。因此，载流子可以被有效的分布在每一个界面，增加量子阱结构的数量可以使激子的分布更加均匀，从而避免了激子大量聚集导致的激子猝灭。利用激基复合物和量子阱结构的协同作用来拓宽激子复合区域，提高了激子利用率，它能为提高绿磷光OLED器件的效率、减小效率滚降提供一条新思路。

公开(公告)号：CN115295746A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210905838.X

申请日：2022-07-29

申请人： 合肥工业大学 ,  合肥工业大学智能制造技术研究院

发明人： 胡俊涛 ,  黄叶 ,  蒋浩 ,  王玉乐 ,  韩超磊 ,  罗派峰 ,  方勇

IPC分类号： H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开了一种基于PEG掺杂准二维钙钛矿材料的蓝色发光二极管的制备方法，通过将掺杂PEG的DMA2CsPb2Br7薄膜作为发光层，制备蓝光PeLEDs。由于PEG是一种能与路易斯酸Pb2+结合的路易斯碱，掺杂PEG后，钙钛矿膜中的PEG不仅物理地填充了晶界，还与钙钛矿晶体相互作用，使晶粒钝化，减少了无辐射复合，提高器件效率。

公开(公告)号：CN113675358A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110857809.6

申请日：2021-07-28

申请人： 合肥工业大学 ,  合肥工业大学智能制造技术研究院

发明人： 胡俊涛 ,  吴涵 ,  黄叶 ,  张庚庚 ,  罗派峰 ,  方勇

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

摘要： 本发明公开了一种基于B4PYMPM的激基复合物主体的绿磷光OLED器件效率改善方法，通过将电子传输能力较强的B4PYMPM与mCP共蒸形成了具有分子间TADF效应的激基复合物主体，优化了发光层的能量转移过程，分散了发光层中激子的浓度，增强发光层的电子传输能力，改善了发光层载流子的传输平衡，使器件的电流效率、功率效率以及外量子效率得到显著提升，同时降低了器件的启亮电压，器件的效率滚降也更小。本发明通过将电子传输层和空穴传输层的材料结合形成激基复合物主体，在不增加能级势垒的前提下使绿磷光OLED器件的性能整体得到较大的提高。