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公开(公告)号：CN118430624B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410881612.X
申请日：2024-07-03
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明提供一种存储芯片的测试方法及测试系统，属于存储技术领域。所述存储芯片的测试方法包括以下步骤：向存储芯片内持续写入数据，直至存储芯片进入全脏盘模式；在预设时间间隔后，重新向存储芯片内写入数据；监测存储芯片的写入模式，存储芯片先以高性能写入数据，再进入低性能写入模式时，获取高性能写入耗时；增加预设时间间隔，再次获取高性能写入耗时，直至高性能写入耗时稳定；以及依据高性能写入耗时稳定时的预设时间间隔获取后台操作耗时，并依据稳定的高性能写入耗时和高性能写入数据的速度获取后台操作每次释放的闪存空间。通过本发明提供的存储芯片的测试方法及测试系统，可自动获取存储芯片的后台操作的相关数据。
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公开(公告)号：CN118660459A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411140063.7
申请日：2024-08-20
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
IPC分类号： H10B43/27 , H10B43/35 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种存储器件的制造方法及存储器件，所述存储器件的制造方法，至少包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上形成底部堆叠结构；蚀刻底部堆叠结构，形成第一沟道孔，第一沟道孔底部的径向尺寸为第一间距，第一沟道孔顶部的径向尺寸为第二间距，第一间距小于第二间距；在底部堆叠结构上形成上层堆叠结构；对上层堆叠结构进行干法蚀刻，形成第二沟道孔，第二沟道孔与第一沟道孔连通，且第二沟道孔底部的径向尺寸为第一间距，第二沟道孔顶部的径向尺寸为第二间距；以及对第二沟道孔的侧壁进行湿法蚀刻和干法蚀刻，第二沟道孔底部的径向尺寸由第一间距增大至第三间距。通过本发明提供的一种存储器件的制造方法及存储器件，可提高存储器件的品质。
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公开(公告)号：CN118471309B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410881613.4
申请日：2024-07-03
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明提供一种存储芯片的测试方法及测试装置，属于存储技术领域。所述存储芯片的测试方法包括以下步骤：对主机上电并开机，并向存储芯片发送初始化指令；存储芯片接收到初始化指令后，第一计时器开始计时，并对存储芯片进行初始化；存储芯片完成初始化后；当第一计时器的时间到达预设时间，向主机发送反馈信息；若主机接收到反馈信息的时间未超过上电时间，则主机正常开机，之后对主机下电；存储芯片依据主机的下电次数更新预设时间；重新对主机上电，直至主机接收到反馈信息的时间超过上电时间，并获取上个循环中的预设时间作为存储芯片的最大上电时间。通过本发明提供的存储芯片的测试方法及测试装置，可自动获取存储芯片的最大上电时间。
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公开(公告)号：CN117435517B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311744274.7
申请日：2023-12-19
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明涉及存储器件领域，特别是涉及一种存储器件及其数据处理方法，存储器件，包括：快闪存储器，包括多个闪存块，用以存放存储数据；以及控制器，电性连接于快闪存储器，控制器用以接收主机的存储数据；在快闪存储器上，控制器计算每个闪存块的垃圾回收等级，以选取垃圾回收等级的值最大的闪存块作为源闪存块，并对源闪存块执行垃圾回收处理；垃圾回收等级满足：垃圾回收等级=α×垃圾回收因子+β×读取干扰因子+δ×数据保持能力因子。本发明可对存储器件的垃圾回收的过程进行精细化管理，兼顾了垃圾回收效率和产品寿命，提高了闪存块的垃圾回收效率。
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公开(公告)号：CN117420963B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311734026.4
申请日：2023-12-18
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种存储器及其控制方法，存储器包括：闪存芯片，闪存芯片中划分出多个存储块，且存储块包括多个存储单元；磨损管理模块，磨损管理模块中记录存储块的读取次数和擦除次数；纠错模块，在从闪存芯片中读出数据时，纠错模块对比读出数据和原始数据，并获得读出数据的纠错码；以及阈值调整模块，阈值调整模块中存储多个擦除阶数和多个读取阈值，其中多个读取阈值呈等差分布，当存储块的擦除次数达擦除阶数，阈值调整模块遍历读取存储块的存储单元，并在纠错码的错误比特数大于纠错阈值时，减小读取阈值的等差增量。本发明的提供了一种存储器及其控制方法，能够提升存储器的稳定性和性能。
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公开(公告)号：CN117435517A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311744274.7
申请日：2023-12-19
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明涉及存储器件领域，特别是涉及一种存储器件及其数据处理方法，存储器件，包括：快闪存储器，包括多个闪存块，用以存放存储数据；以及控制器，电性连接于快闪存储器，控制器用以接收主机的存储数据；在快闪存储器上，控制器计算每个闪存块的垃圾回收等级，以选取垃圾回收等级的值最大的闪存块作为源闪存块，并对源闪存块执行垃圾回收处理；垃圾回收等级满足：垃圾回收等级=α×垃圾回收因子+β×读取干扰因子+δ×数据保持能力因子。本发明可对存储器件的垃圾回收的过程进行精细化管理，兼顾了垃圾回收效率和产品寿命，提高了闪存块的垃圾回收效率。
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公开(公告)号：CN116540950A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310813893.0
申请日：2023-07-05
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
发明人： 陈文涛
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明涉及存储器件领域，提出一种存储器件及其写入数据的控制方法。存储器件包括：快闪存储器，包括多个区块，多个区块用以存放存储数据及其逻辑地址和物理地址的映射关系；以及控制器，与快闪存储器电性连接，控制器用以接收主机的存储数据，控制器包括：缓冲存储单元，用以存放动态缓存映射表，动态缓存映射表用以存放部分映射关系；处理单元，用以比较多个区块中可用区块的数量与预设深度刷表阈值；当可用区块的数量小于深度刷表阈值时，处理单元根据动态缓存映射表中的映射关系，将多个区块上的有效数据个数进行更新；当可用区块的数量大于等于深度刷表阈值时，处理单元将存储数据写入至可用区块上。本发明提升了存储器件写入数据的性能。
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公开(公告)号：CN116303118A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310559207.1
申请日：2023-05-18
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明公开了一种存储设备及其控制方法，其中存储设备至少包括：主控制器；闪存区，包括多个存储模块，且存储模块包括多个存储块，主控制器将闪存区划分为多个超级块，超级块包括多个存储模块中具有相同顺序编号的存储块；以及缓存区，包括垃圾回收单元；其中，当空白的存储块数量不足，主控制器在闪存区中标记出源超级块和目标超级块，通过垃圾回收单元将源超级块中的有效数据分多轮转移至目标超级块中，直到源超级块的有效数据个数清零，将源超级块转换为空白的超级块。本发明提供了一种存储设备及其控制方法，提升了存储设备的存储性能。
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公开(公告)号：CN115291815B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211223996.3
申请日：2022-10-09
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
发明人： 陈文涛
摘要： 本发明公开了一种存储器及其控制方法与存储系统，控制方法包括：对存储器写入数据，并根据被写入数据的地址映射信息，获取多个地址映射表，其中地址映射表被存储在存储器的闪存区或缓存区；根据地址映射表获取快照信息，并将快照信息存储在缓存区；根据闪存区中存储块被调用的顺序，获取数组信息并将数组信息存储于闪存区；当数组信息的有效数据个数达到预设阈值，将快照信息转移至闪存区，并重新获取数组信息；以及当存储器出现异常状态，根据快照信息恢复存储器的一部分数据，并根据数组信息读取闪存区的存储数据，恢复存储器的另一部分数据。本发明能快速且可控地恢复存储器的掉电丢失数据。
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公开(公告)号：CN118672513B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411140061.8
申请日：2024-08-20
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明提供一种存储芯片的分级方法及分级系统，属于存储技术领域。所述存储芯片的分级方法包括以下步骤：对存储芯片进行擦写，并获取每批所述存储芯片的闪存阈值电压宽度；将所有所述存储芯片依照所述闪存阈值电压宽度，按预设比例分级；对每个级别中的所述存储芯片进行验证；调整每个所述存储芯片的分级时的预设比例，获取每个级别中所述存储芯片对应的最佳闪存阈值电压宽度，并将所述最佳闪存阈值电压宽度作为每个级别的分级标准；以及依据所述分级标准对所述存储芯片进行分级。通过本发明提供的存储芯片的分级方法及分级系统，可提高存储芯片分级的准确性。
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