公开(公告)号：CN1013965B

公开(公告)日：1991-09-18

申请号：CN89107565.8

申请日：1989-09-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 金曾孙 ,  于三 ,  吕宪义 ,  邹广田

IPC: C23C16/04 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明属一种在半导体衬底表面选择性生长金刚石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金刚石成核密度具有很大差异这一性质，实现了金刚石膜的选择性生长。主要工艺过程为研磨，生长隔离膜，光刻，制备金刚石膜，化学腐蚀等。所制备的金刚石膜具有质量高，选择性生长好，不破坏衬底等优点，而且制备参数易于控制，工艺简单，成品率高。本方法制备的金刚石膜可应用于大规模集成电路，微波器件，光电器件等半导体器件的制备。

公开(公告)号：CN1045815A

公开(公告)日：1990-10-03

申请号：CN89107565.8

申请日：1989-09-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 金曾孙 ,  于三 ,  吕宪义 ,  邹广田

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/04 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明属一种在半导体衬底表面选择性生长金刚石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金刚石成核密度具有很大差异这一性质，实现了金刚石膜的选择性生长。主要工艺过程为研磨，生长隔离膜，光刻，制备金刚石膜，化学腐蚀等，所制备的金刚石膜具有质量高，选择性生长好，不破坏衬底等优点，而且制备参数易于控制，工艺简单，成品率高。本方法制备的金刚石膜可应用于大规模集成电路，微波器件，光电器件等半导体器件的制备。