一种高性能锗锑碲相变薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107425118A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710602013.X

    申请日:2017-07-21

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: H01L45/144 H01L45/145 H01L45/1625

    Abstract: 本发明提供一种高性能锗锑碲相变薄膜材料及其制备方法,涉及相变材料领域,本发明通过掺杂氮元素来实现Ge2Sb2Te5合金的改性,且氮元素的掺杂含量为5.84-10.90%,所制备出的高性能锗锑碲相变薄膜材料具有极低的非晶态电阻漂移系数、大的中间电阻态温度范围、低的电阻下降速率、而且在提高结晶温度与非晶、结晶两相电阻对比度的同时能保持非晶-结晶转变特性,这也使其具有比纯Ge2Sb2Te5更好的作为相变存储器中的基体材料的存储潜力,并且有望提高相变存储器的存储密度和高温下的工作寿命。

    一种延缓MSCs衰老的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115029307A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210896484.7

    申请日:2022-07-28

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明适用于延缓衰老技术领域,提供了一种延缓MSCs衰老的方法,该方法包括如下步骤:步骤1:获取衰老的MSCs;步骤2:利用携带SCD2的慢病毒感染衰老的MSCs,使得衰老的MSCs的脂质合成水平上调,进而延缓MSCs衰老。本发明将SCD2与MSCs衰老有机联系,从干细胞脂质代谢这一新颖角度去探究干细胞衰老,发现SCD2能够通过提高细胞脂质合成水平来延缓间充质干细胞衰老,为阐明干细胞衰老的调控机制提供实验依据,也为体外培养获得大量年轻态MSCs提供了新思路和新技术,将有助于维持干细胞数量及功能,有助于延缓机体衰老及防治各种老龄化疾病,对社会长久健康发展具有重要意义。

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