公开(公告)号：CN106252507B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610388401.8

申请日：2016-06-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 殷圣豪

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L23/528 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底上的第一导线以及第一绝缘图案和第二绝缘图案；在第一导线上彼此间隔开的第一结构；第一结构上的可变电阻图案以及可变电阻图案上的第二电极。第一导线在第一方向上延伸。第一结构包括按次序堆叠的开关图案和第一电极。第一绝缘图案在第二方向上填充第一结构之间的空间，并且第一绝缘图案的第一顶表面高于第一结构的顶表面。第二绝缘图案在第一方向上填充第一结构之间的空间，并且第二绝缘图案的第二顶表面高于第一结构的顶表面。可变电阻图案填充由第一绝缘图案和第二绝缘图案限定的开口。

公开(公告)号：CN109712657A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201810864101.1

申请日：2018-08-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李桢赫

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/52 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/08 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： 提供可变电阻存储器器件。可变电阻存储器器件包括存储器单元，该存储器单元包括开关器件和与开关器件串联连接的电阻感测元件。可变电阻存储器器件包括在第一方向上延伸并连接到开关器件的栅极的字线。而且，可变电阻存储器器件包括在第二方向上延伸的多个位线。多个位线当中的第一位线的第一连接节点电连接到电阻感测元件。在多个位线当中，与第一位线相邻的第二位线的第二连接节点电连接到开关器件。

公开(公告)号：CN109686838A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201711323705.7

申请日：2017-12-12

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 郑怀瑜 ,  龙翔澜 ,  郭奕廷

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC分类号： H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1625 ,  G11C11/5678 ,  H01L45/142

摘要： 本发明公开了一种电压感测开关元件(voltage sensitive switching device)，具有类超晶格存储单元结构(superlattice-like cell structure)，该开关元件包括双向材料层，例如硫属化物合金。存储单元还包括能在交叉点存储器中使用的开关元件。

公开(公告)号：CN109659430A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811092261.5

申请日：2018-09-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金交燮 ,  宣昌佑 ,  吴圭焕 ,  金俊 ,  黄俊渊

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2427 ,  H01L23/525 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/04 ,  H01L45/14 ,  H01L45/16

摘要： 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。

公开(公告)号：CN108695328A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710217036.9

申请日：2017-04-05

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 何万迅 ,  邢溯

IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC分类号： H01L27/1116 ,  G11C11/419 ,  G11C14/009 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L23/532 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L27/1112 ,  H01L21/8239

摘要： 本发明公开一种静态随机存取存储器元件及形成方法，该静态随机存取存储器元件包含二基体接触插塞以及二电阻切换装置。基体接触插塞设置于一晶片中且自晶片的一背面暴露出，其中基体接触插塞在晶片中经由金属内连线结构电连接一静态随机存取存储器单元。电阻切换装置自晶片的背面分别连接基体接触插塞。本发明还提供一种形成静态随机存取存储器元件的方法，包含下述步骤。首先，提供一晶片，晶片具有二基体接触插塞自晶片的一背面暴露出，且具有金属内连线结构电连接基体接触插塞至一静态随机存取存储器单元。接着，形成二电阻切换装置自晶片的背面分别连接基体接触插塞。

公开(公告)号：CN108389960A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810066767.2

申请日：2018-01-24

申请人： 北京航空航天大学

发明人： 周健 ,  刘宾 ,  孙志梅

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L45/1608

摘要： 本发明提供了一种钇掺杂碲化锑相变材料的制备方法。本发明中钇掺杂碲化锑相变材料YxSb2-xTe3的制备方法是：1)将原料Y(NO3)3·6H2O、SbCl3和TeO2溶解到稀氨水和无水乙醇的混合溶剂中，得到前驱液，其中Y(NO3)3·6H2O、SbCl3和TeO2的摩尔比为x:2-x:3(0≤x≤0.33)；2)将步骤1)所得的前驱液移入反应釜中，加入NaBH4，然后加热至160～200℃，保温18～24h后冷却至室温，之后分离出沉淀物；3)将步骤2)得到的沉淀物用去离子水和乙醇交替洗涤过滤后进行真空恒温干燥，得到钇掺杂碲化锑相变材料。本发明所涉及的制备方法具有原料便宜、工艺简单、设备成本低、安全无污染等特点，制备的相变材料粒度小、纯度高、元素分布均匀。

公开(公告)号：CN104241524B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201310556978.1

申请日：2013-11-11

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金玟锡 ,  尹孝燮

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： 提供了种可变电阻存储器件及其制造方法。所述可变电阻存储器件可以包括:多层绝缘层,形成在半导体衬底上,在半导体衬底上形成有下电极。多层绝缘层可以包括同心地形成在其中的第孔和第二孔以暴露出下电极,其中,第孔的直径比第二孔的直径大。可变电阻材料层可以形成在第二孔中以接触下电极,并且上电极可以形成在第孔中以接触可变电阻材料层。

公开(公告)号：CN108122923A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710946253.1

申请日：2017-10-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 寺井真之

IPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/11573

CPC分类号： H01L27/2409 ,  C23C16/34 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

摘要： 一种存储器件的存储单元柱包括具有基部(腿)和鳍部(出头部分)的加热电极、以及在第一导电线与加热电极之间的选择器件。选择器件的侧表面和鳍部的侧表面沿第一直线延伸。一种制造存储器件的方法包括形成穿过包括初始选择器件层和初始电极层的堆叠结构的多个第一绝缘壁、形成多个自对准的初始加热电极层、形成每个在所述多个第一绝缘壁中的两个之间的多个第二绝缘壁、以及在沿着交叉所述多个第一绝缘壁的方向延伸的多个孔中形成多个第三绝缘壁。

公开(公告)号：CN103633145B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310367400.1

申请日：2013-08-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 南奇亨 ,  P.赵 ,  金容宽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基板，包括二维布置的有源部分；器件隔离图案，沿有源部分的侧壁延伸，每个器件隔离图案包括第一和第二器件隔离图案；跨过有源部分和器件隔离图案延伸的栅图案，每个栅图案包括栅绝缘层、栅线和栅覆盖图案；以及分别在有源部分上的欧姆图案。第一器件隔离图案的顶表面可以低于第二器件隔离图案的顶表面，栅绝缘层的顶表面可以低于栅覆盖图案的顶表面，欧姆图案可以包括在第一绝缘层上的延伸部。

公开(公告)号：CN107732007A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710679593.2

申请日：2017-08-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 堀井秀树 ,  朴盛健 ,  安东浩 ,  李政武

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/16

摘要： 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，其中该可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在第二方向上。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。