公开(公告)号：CN109279645A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811413778.X

申请日：2018-11-26

申请人： 吉林大学

发明人： 王欣 ,  刘嘉煜 ,  吕焘 ,  陶强 ,  朱品文

IPC分类号： C01G15/00

摘要： 本发明的一种立方相CaGa2O4化合物的高温高压制备方法，属于发光材料制备的技术领域。制备方法是以碳酸钙粉和氧化镓粉为原料，经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得CaGa2O4材料；所述的高温高压合成，是在高温高压装置上进行，在压力为5.0GPa、温度为1323～1673K下保温保压15～30分钟。本发明方法制备出了具有面心立方晶体结构的CaGa2O4；是在无水，无改良剂环境中进行的，产物纯度高；所采用的高温高压设备目前在国内被大量用来生产金刚石，其操作简单，有利于较快地实施和大规模生产。

公开(公告)号：CN108529664B

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201810504427.3

申请日：2018-05-24

申请人： 吉林大学

发明人： 王欣 ,  刘嘉煜 ,  吕焘 ,  陶强 ,  朱品文

IPC分类号： C01G15/00

摘要： 本发明的一种新结构材料镱镁铟氧化物及其制备方法，属于量子拓扑材料制备的技术领域。镱镁铟氧化物分子式为YbMgInO4，具有单斜晶体结构。制备方法是以氧化镱粉、氧化镁粉和氧化铟粉为原料，在高温高压装置上进行合成，合成压力为5.5GPa、温度为1873～2073K，保温保压15～30分钟。本发明的方法是在无水，无改良剂环境中进行的，可以避免不必要杂质的出现，所得的单斜相镱镁铟氧化物纯度高；所采用的高温高压装置已被大量用来生产金刚石，其操作简单，可以较快地实施产业化。

公开(公告)号：CN108529664A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810504427.3

申请日：2018-05-24

申请人： 吉林大学

发明人： 王欣 ,  刘嘉煜 ,  吕焘 ,  陶强 ,  朱品文

IPC分类号： C01G15/00

摘要： 本发明的一种新结构材料镱镁铟氧化物及其制备方法，属于量子拓扑材料制备的技术领域。镱镁铟氧化物分子式为YbMgInO4，具有单斜晶体结构。制备方法是以氧化镱粉、氧化镁粉和氧化铟粉为原料，在高温高压装置上进行合成，合成压力为5.5GPa、温度为1873～2073K，保温保压15～30分钟。本发明的方法是在无水，无改良剂环境中进行的，可以避免不必要杂质的出现，所得的单斜相镱镁铟氧化物纯度高；所采用的高温高压装置已被大量用来生产金刚石，其操作简单，可以较快地实施产业化。