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公开(公告)号：CN115287598A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210993002.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种用磁控溅射工艺制备纳米级柱状晶硬质铜合金的方法，硬质铜合金包括由非晶硼基质包裹纳米级柱状铜晶构成的类竹子结构，纳米级柱状铜晶的平均直径为10nm，纳米级柱状铜晶内部晶格条纹一致，长度贯穿整个硬质铜合金，并采用磁控共溅射方法制备了硬质铜合金。本发明采用上述的一种用磁控溅射工艺制备纳米级柱状晶硬质铜合金的方法，其中的铜和硼是两种近乎完全不互溶的元素，并且具有非常相近的电负性，使其很难形成有序合金和共价键，本发明利用这种特殊的完全不互溶的体系与磁控溅射的工艺调控，成功构建出了具有类竹子结构的纳米级柱状晶铜合金，实现了硬度的大幅度提升。
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公开(公告)号：CN115287598B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210993002.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种用磁控溅射工艺制备纳米级柱状晶硬质铜合金的方法，硬质铜合金包括由非晶硼基质包裹纳米级柱状铜晶构成的类竹子结构，纳米级柱状铜晶的平均直径为10nm，纳米级柱状铜晶内部晶格条纹一致，长度贯穿整个硬质铜合金，并采用磁控共溅射方法制备了硬质铜合金。本发明采用上述的一种用磁控溅射工艺制备纳米级柱状晶硬质铜合金的方法，其中的铜和硼是两种近乎完全不互溶的元素，并且具有非常相近的电负性，使其很难形成有序合金和共价键，本发明利用这种特殊的完全不互溶的体系与磁控溅射的工艺调控，成功构建出了具有类竹子结构的纳米级柱状晶铜合金，实现了硬度的大幅度提升。
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公开(公告)号：CN108085641A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711108367.5
申请日：2017-11-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种具有高硬且疏水特性的保护涂层及其制备方法，可以应用于切削工具钻探工具等表面改性的技术领域。通过直流溅射Ta以获得更高的溅射率，通过射频溅射Cu以获得低溅射率，最终实现对Cu含量的精确调控并在TaN结构取代Ta实现固溶，破坏Ta和N原子周围的电子结构，引起自发氧化过程并在薄膜表面获得氧化亚铜，发挥氧化亚铜满壳层电子结构以达到疏水效果，水接触角超过100°。而固溶体的形成进步一增强了TaN的力学性能，提高了硬度，达到35GPa以上。这种涂层的制备方法简单高效，工艺简单，成本低廉，能够广泛应用于地球深部的矿物资源、能源资源的勘探开发、深海探测技术钻探工具及切削工具的保护领域。
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公开(公告)号：CN108823474B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810689705.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及了一种高硬高韧镁硼合金材料，由非平衡的磁控溅射技术沉积所得，具备镁(Mg)和硼(B)两种元素，其中，B原子的原子占比很少(仅为5～15at.％)，处于Mg的晶格间隙位置，形成了间隙型的Mg(B)固溶体结构，而这种固溶体晶粒的尺寸在3～10nm范围之间。特别地，此时固溶体结构中的B含量远远高于平衡态下在Mg晶格中的饱和度，因此称为Mg(B)过饱和固溶体结构。这类材料具备高的硬度(8.3～12GPa)，相比于纯Mg(2.2GPa)提高了3‑5倍。同时，保持了良好的韧性。由于磁控溅射是一项成本低廉，简单高效且适用于大规模生产的技术。因此该方法制备出的这种新型的Mg(B)合金膜材料具备良好的发展前景，并对其块体材料的制备和应用具备一定的指导意义。
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公开(公告)号：CN108754215B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810691886.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种兼具高硬高韧高导电性的铜硼合金材料，该材料由铜和硼两种元素组成，其中，极少量的B原子进入Cu的晶格中形成了间隙型的固溶体结构，尺寸范围为5‑15nm。固溶体结构中的B含量远远高于平衡态下在Cu晶格中的饱和度，因此称为Cu(B)过饱和固溶体结构。该膜材料是在高纯的氩气气氛中，通过采用射频电源共溅射高纯的Cu和B单质靶材，在Si(100)和玻璃基底上沉积所得。这类材料具备高的硬度(～6‑9GPa)，相当于纯Cu硬度的(～4.8GPa)1.3‑2倍左右，且保持了良好的韧性和良好的导电性。该方法制备出的这种新型的铜合金膜材料具备良好的发展前景，并对其块体材料的制备和应用具备一定的指导意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108048810B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201711099811.1
申请日：2017-11-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种超硬低摩且耐磨的保护涂层及其制备方法，该保护涂层含有Ti,N,Mo和S元素，按照原子数量比计算，各元素的含量范围分别为58.6～52.1％，37.4～38.5％，3.5～8％和0.5～1.4％。其中，非晶的MoS2包裹立方相的Ti‑Mo‑N固溶体，Ti‑Mo‑N固溶体的晶粒尺寸范围维持在10～20nm。该涂层是通过磁控共溅射技术，运用单质Ti和MoS2靶材，在N2和Ar的混合气氛下沉积在基片上所得，通过控制不同的MoS2靶溅射功率，调控不同的MoS2掺杂量。本发明提高了纯的TiN薄膜的硬度，使其硬度达到～40GP。同时大大改善了TiN薄膜的摩擦学性能，使得摩擦系数由～0.8降低到～0.1，并使其耐磨性大大提高，由原来的2,000圈失效提升到100,000圈仍未见明显磨痕，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108085641B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201711108367.5
申请日：2017-11-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种具有高硬且疏水特性的保护涂层及其制备方法，可以应用于切削工具钻探工具等表面改性的技术领域。通过直流溅射Ta以获得更高的溅射率，通过射频溅射Cu以获得低溅射率，最终实现对Cu含量的精确调控并在TaN结构取代Ta实现固溶，破坏Ta和N原子周围的电子结构，引起自发氧化过程并在薄膜表面获得氧化亚铜，发挥氧化亚铜满壳层电子结构以达到疏水效果，水接触角超过100°。而固溶体的形成进步一增强了TaN的力学性能，提高了硬度，达到35GPa以上。这种涂层的制备方法简单高效，工艺简单，成本低廉，能够广泛应用于地球深部的矿物资源、能源资源的勘探开发、深海探测技术钻探工具及切削工具的保护领域。
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公开(公告)号：CN108823474A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810689705.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及了一种高硬高韧镁硼合金材料，由非平衡的磁控溅射技术沉积所得，具备镁(Mg)和硼(B)两种元素，其中，B原子的原子占比很少(仅为5～15at.％)，处于Mg的晶格间隙位置，形成了间隙型的Mg(B)固溶体结构，而这种固溶体晶粒的尺寸在3～10nm范围之间。特别地，此时固溶体结构中的B含量远远高于平衡态下在Mg晶格中的饱和度，因此称为Mg(B)过饱和固溶体结构。这类材料具备高的硬度(8.3～12GPa)，相比于纯Mg(2.2GPa)提高了3-5倍。同时，保持了良好的韧性。由于磁控溅射是一项成本低廉，简单高效且适用于大规模生产的技术。因此该方法制备出的这种新型的Mg(B)合金膜材料具备良好的发展前景，并对其块体材料的制备和应用具备一定的指导意义。
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公开(公告)号：CN119303191A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411607216.4
申请日：2024-11-12
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及医疗给药设备技术领域，具体的说，涉及一种儿科肺炎雾化吸入治疗装置，其包括基础推车，所述基础推车上设置有竖直方向的安装立柱，所述安装立柱端部设置有雾化混合机构，所述安装立柱上安装有升降组件，所述升降组件上设置有能够自主完成雾化吸入且在需要时连接雾化混合机构的基础雾化机构。本发明通过雾化混合机构、基础雾化机构和升降组件的配合使用，能够更具肺炎儿童的需要，利用第一雾化器、第二雾化器、混合罐体和基础雾化器的连接，形成一种、两种和三种不同雾化药物的给药，能够有选择的将不同数量的雾化药物混合并导入儿童口鼻处，帮助儿童快速吸入多种药物，减少吸入时间。
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公开(公告)号：CN108754215A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810691886.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种兼具高硬高韧高导电性的铜硼合金材料，该材料由铜和硼两种元素组成，其中，极少量的B原子进入Cu的晶格中形成了间隙型的固溶体结构，尺寸范围为5‑15nm。固溶体结构中的B含量远远高于平衡态下在Cu晶格中的饱和度，因此称为Cu(B)过饱和固溶体结构。该膜材料是在高纯的氩气气氛中，通过采用射频电源共溅射高纯的Cu和B单质靶材，在Si(100)和玻璃基底上沉积所得。这类材料具备高的硬度(～6‑9GPa)，相当于纯Cu硬度的(～4.8GPa)1.3‑2倍左右，且保持了良好的韧性和良好的导电性。该方法制备出的这种新型的铜合金膜材料具备良好的发展前景，并对其块体材料的制备和应用具备一定的指导意义。
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