公开(公告)号：CN101302033A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810050879.5

申请日：2008-06-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  李冬妹 ,  桑丹丹 ,  吕航

IPC: C01G9/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明的使用多种还原剂热蒸发制备微/纳米结构氧化锌的方法属于半导体材料及其制备的技术领域。蒸发源包括ZnO粉和还原剂，还原剂可以是碳族元素材料或金属或有机化合物；在反应温度550～890℃、生长温度160～870℃、气压105～103Pa下制得产品。所述的蒸发源还可以掺杂其他元素或化合物。本发明通过改变具体工艺条件，获得具有多种形貌、尺寸、结构的ZnO产物。使用本发明的还原剂，相对以石墨为还原剂时反应温度可降低100～500℃。本发明对于富氧环境或/和高温下易氧化或易变质的衬底上，可在较低的温度下生长ZnO微米/纳米结构。

公开(公告)号：CN101302033B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200810050879.5

申请日：2008-06-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  李冬妹 ,  桑丹丹 ,  吕航

IPC: C01G9/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明的使用多种还原剂热蒸发制备微/纳米结构氧化锌的方法属于半导体材料及其制备的技术领域。蒸发源包括ZnO粉和还原剂，还原剂可以是碳族元素材料或金属或有机化合物；在反应温度550～890℃、生长温度160～870℃、气压105～103Pa下制得产品。所述的蒸发源还可以掺杂其他元素或化合物。本发明通过改变具体工艺条件，获得具有多种形貌、尺寸、结构的ZnO产物。使用本发明的还原剂，相对以石墨为还原剂时反应温度可降低100～500℃。本发明对于富氧环境或/和高温下易氧化或易变质的衬底上，可在较低的温度下生长ZnO微米/纳米结构。

公开(公告)号：CN101807606B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010117449.8

申请日：2010-03-04

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  桑丹丹 ,  吕宪义

IPC: H01L29/88 ,  H01L21/34 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明的n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法属于半导体材料及其制备的技术领域。隧道二极管结构是n型氧化锌(2)是氧化锌纳米阵列结构竖直生长在p型金刚石(1)上；导电玻璃(3)与氧化锌纳米结构接触作为导电阴极，p-型金刚石(1)作为导电阳极。制作过程是在硅或金刚石单晶衬底上生长p型金刚石，热蒸发法在p型金刚石上生长n型氧化锌(2)纳米结构，最后制作电极。本发明的具有负阻特性的隧道二极管不需要采用以往的多层复杂结构，具有较大电流峰谷比；其制备方法具有简单、可控性强、晶体质量高、制造廉价等优点。

公开(公告)号：CN101807606A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010117449.8

申请日：2010-03-04

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  桑丹丹 ,  吕宪义

IPC: H01L29/88 ,  H01L21/34 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明的n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法属于半导体材料及其制备的技术领域。隧道二极管结构是n型氧化锌(2)是氧化锌纳米阵列结构竖直生长在p型金刚石(1)上；导电玻璃(3)与氧化锌纳米结构接触作为导电阴极，p-型金刚石(1)作为导电阳极。制作过程是在硅或金刚石单晶衬底上生长p型金刚石，热蒸发法在p型金刚石上生长n型氧化锌(2)纳米结构，最后制作电极。本发明的具有负阻特性的隧道二极管不需要采用以往的多层复杂结构，具有较大电流峰谷比；其制备方法具有简单、可控性强、晶体质量高、制造廉价等优点。