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公开(公告)号：CN114953429A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210572740.7
申请日：2022-05-25
申请人： 吉林大学
IPC分类号： B29C64/10 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y10/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B33Y70/00
摘要： 本发明公开了一种3D打印多重形状记忆智能复合材料的制备方法。该方法包括：预设聚合物样品实物结构以及预设不同聚合物结构的排布方式；基于固化程序将三维建模模型以预设切片处理后获得三维建模模型的切片的格式文件；将格式文件预设入一3D打印系统之中，预设3D打印参数，并基于预设的排布方式及预设三维建模进入3D打印步骤；将打印好的材料加热到Tn温度以上赋予临时形状，该制备方法可实现多种形状记忆聚合物的复合，制备方法简单，易于操作，制备好的材料具有多个变形温度，形状记忆的恢复过程人为可控，可实现多个阶段的形状记忆变形过程。
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公开(公告)号：CN104724759B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510086473.2
申请日：2015-02-17
申请人： 吉林大学
摘要： 本发明的一种α相硫化锰纳米立方块的制备方法，属于纳米材料制备的技术领域。将锰粉、硫粉混合均匀，压成压块；将压块置于石墨锅内，石墨锅放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相对放置；冷凝壁和铜锅阳极通入循环冷却水；在氩气中进行放电反应，保持放电电压为18V、电流为100A，反应2～5分钟；再在氩气环境中钝化5小时，在冷凝壁上端收集绿色的粉末。本发明所制备的样品纯度高，结晶性好，形貌尺寸均一；制备过程中无需任何基片、模板、催化剂，对环境友好；制备时间短、能耗少、成本低、可重复性高。制备的产品在短波光电器件、太阳能电池、催化材料、大容量光存储器等方面具有应用价值。
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公开(公告)号：CN104724759A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510086473.2
申请日：2015-02-17
申请人： 吉林大学
CPC分类号： C01G45/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/38 , C01P2004/64
摘要： 本发明的一种α相硫化锰纳米立方块的制备方法，属于纳米材料制备的技术领域。将锰粉、硫粉混合均匀，压成压块；将压块置于石墨锅内，石墨锅放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，钨棒阴极与铜锅阳极相对放置；冷凝壁和铜锅阳极通入循环冷却水；在氩气中进行放电反应，保持放电电压为18V、电流为100A，反应2～5分钟；再在氩气环境中钝化5小时，在冷凝壁上端收集绿色的粉末。本发明所制备的样品纯度高，结晶性好，形貌尺寸均一；制备过程中无需任何基片、模板、催化剂，对环境友好；制备时间短、能耗少、成本低、可重复性高。制备的产品在短波光电器件、太阳能电池、催化材料、大容量光存储器等方面具有应用价值。
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公开(公告)号：CN104692342B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510086485.5
申请日：2015-02-17
申请人： 吉林大学
CPC分类号： Y02P20/134
摘要： 本发明的一种硒化亚锡纳米球的制备方法，属于纳米材料制备的技术领域。将锡粉、硒粉混合均匀，压成压块；将压块置于石墨锅内，石墨锅放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中；冷凝壁和铜锅阳极通入循环冷却水；在氩气或/和氮气中进行放电反应，保持放电电压为20V、电流为100A，反应3～5分钟；反应结束后再在氩气环境中钝化，在冷凝壁内腔侧面收集灰黑色粉末为SnSe纳米球。本发明制备的样品纯度高，结晶性好；制备过程中无需任何基片、模板、催化剂，对环境友好；制备时间短、能耗少、成本低、可重复性高；产品在太阳能电池转换，全息记录，近红外光电设备，可循环锂离子电池等方面具有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN102139374A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110053887.7
申请日：2011-03-08
申请人： 吉林大学
IPC分类号： B22F9/20
摘要： 本发明的金属锌纳米线的制备方法属于纳米材料制备的技术领域。采用直流电弧放电装置，将ZnO粉、C粉混合均匀，压成混合粉压块；将压块置于石墨锅内，放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中；将反应室充入氩气，铜锅通入循环冷却水；放电过程中保持电压为20～40V，电流为80～120A，反应5～10分钟；再在氩气环境中钝化，在石墨锅中收集暗灰色的粉末为金属Zn纳米线。本发明具有方法简单、反应快速、低成本、无污染、产量大、样品纯度高，可重复性好、无需添加催化剂等优点。制备的产品在热电材料，光电材料，磁阻等领域具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN101531350B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910066831.8
申请日：2009-04-16
申请人： 吉林大学
IPC分类号： C01B21/068 , B82B1/00 , B82B3/00
摘要： 本发明的氮化硅纳米梳及其制备方法属于纳米材料及制备的技术领域。纳米梳中纳米线是由Si3N4组成的，纳米线阵列形成梳状。制备方法是采用直流电弧放电装置；以硅粉、碳粉和二氧化硅粉为原料，压成混合粉块；放入直流电弧发电装置，充入氮气至气压为10～30kPa，在电压20～40V电流80～120A条件下，放电反应5～10分钟，制得白色粉末的氮化硅纳米梳。本发明方法简单、环保、低成本；纳米线制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点；产品在量子元器件，光致发光，纳米机电系统等方面有应用潜力。
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公开(公告)号：CN101508427B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910066671.7
申请日：2009-03-23
申请人： 吉林大学
IPC分类号： C01B21/072
摘要： 本发明的一种氮化铝单边纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝单边纳米梳由纳米线阵列形成的单边梳状结构，纳米线在中间主干一侧生长出来；纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成；纳米线的直径一般约为50～80nm，长度约1～1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置，在高温低压系统条件下，使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应，制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN单边纳米梳结构；制备方法简单，重复性好，时间短，成本低，对环境友好；将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。
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公开(公告)号：CN101531350A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910066831.8
申请日：2009-04-16
申请人： 吉林大学
IPC分类号： C01B21/068 , B82B1/00 , B82B3/00
摘要： 本发明的氮化硅纳米梳及其制备方法属于纳米材料及制备的技术领域。纳米梳中纳米线是由Si3N4组成的，纳米线阵列形成梳状。制备方法是采用直流电弧放电装置；以硅粉、碳粉和二氧化硅粉为原料，压成混合粉块；放入直流电弧发电装置，充入氮气至气压为10～30kPa，在电压20～40V电流80～120A条件下，放电反应5～10分钟，制得白色粉末的氮化硅纳米梳。本发明方法简单、环保、低成本；纳米线制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点；产品在量子元器件，光致发光，纳米机电系统等方面有应用潜力。
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公开(公告)号：CN101513996A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910066670.2
申请日：2009-03-23
申请人： 吉林大学
IPC分类号： C01B21/072
摘要： 本发明的一种氮化铝纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝纳米梳是纳米线阵列形成的双边梳状结构，或是双边梳状结构与单边梳状结构相混的纳米梳；纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成；纳米线的直径一般约为50～80nm，长度约1～1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置，在高温低压系统条件下，使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应，制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN纳米梳结构；制备方法简单，重复性好，时间短，成本低，对环境友好；将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。
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公开(公告)号：CN107586978A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710885621.6
申请日：2017-09-27
申请人： 吉林大学
摘要： 本发明涉及一种铝合金晶粒细化的方法，属于铝及铝合金生产技术领域。通过在铝合金熔体加入含量为1%的AlTiB中间合金，同时引入超声搅拌作用。同电磁搅拌相比，超声搅拌具有作用范围广、搅拌均匀和除气效果好的优点。超声作用对多种铝合金都有晶粒细化的效果，超声是通过空化、声流效应和辐射压力等物理作用对熔体微观结构带来影响，能够有效地改善材料的组织和性能。本发明的晶粒细化方法一方面能够使分散在熔体内部的气孔团聚在铸锭的上部，另一方面使Al-7wt%Si合金晶粒平均粒径降低57%，并且使铸锭金属平均硬度提高37%。
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