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公开(公告)号:CN102431977A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201110260564.5
申请日:2011-09-05
申请人: 吉林大学
摘要: 本发明的一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法属于纳米材料制备的技术领域。以高纯金属锰为锰源,以氧化镓为镓源,以氮气和氨气的混合气体作氮源,在直流电弧放电装置中制备。充入混合气体,氨气在混合气体中的体积比例为20~50%。放电过程中通冷却水,电压为15~25V,电流为80~120A,反应5~30分钟,制得锰掺杂氮化镓纳米颗粒。本发明通过调节氨气在混合气体中的比例可以可控的获得不同锰含量的锰掺杂氮化镓纳米颗粒;本发明方法简单、环保、低成本;纳米颗粒制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点;制备的产品在发光,稳定性,应用上具有很大的潜力。
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公开(公告)号:CN101513996B
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200910066670.2
申请日:2009-03-23
申请人: 吉林大学
IPC分类号: C01B21/072
摘要: 本发明的一种氮化铝纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝纳米梳是纳米线阵列形成的双边梳状结构,或是双边梳状结构与单边梳状结构相混的纳米梳;纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成;纳米线的直径一般约为50~80nm,长度约1~1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置,在高温低压系统条件下,使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应,制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN纳米梳结构;制备方法简单,重复性好,时间短,成本低,对环境友好;将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。
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公开(公告)号:CN101508427A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200910066671.7
申请日:2009-03-23
申请人: 吉林大学
IPC分类号: C01B21/072
摘要: 本发明的一种氮化铝单边纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝单边纳米梳由纳米线阵列形成的单边梳状结构,纳米线在中间主干一侧生长出来;纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成;纳米线的直径一般约为50~80nm,长度约1~1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置,在高温低压系统条件下,使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应,制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN单边纳米梳结构;制备方法简单,重复性好,时间短,成本低,对环境友好;将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。
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公开(公告)号:CN102431977B
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201110260564.5
申请日:2011-09-05
申请人: 吉林大学
摘要: 本发明的一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法属于纳米材料制备的技术领域。以高纯金属锰为锰源,以氧化镓为镓源,以氮气和氨气的混合气体作氮源,在直流电弧放电装置中制备。充入混合气体,氨气在混合气体中的体积比例为20~50%。放电过程中通冷却水,电压为15~25V,电流为80~120A,反应5~30分钟,制得锰掺杂氮化镓纳米颗粒。本发明通过调节氨气在混合气体中的比例可以可控的获得不同锰含量的锰掺杂氮化镓纳米颗粒;本发明方法简单、环保、低成本;纳米颗粒制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点;制备的产品在发光,稳定性,应用上具有很大的潜力。
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公开(公告)号:CN101519203B
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200910066577.1
申请日:2009-02-27
申请人: 吉林大学
IPC分类号: C01B33/00
摘要: 本发明的硅碳氧化合物非晶纳米线及其制备方法属于一维纳米结构材料的技术领域。纳米线由C、Si和O相互间成键组成,C、Si和O原子比例为13~30∶38~52∶100。制备是以硅粉、碳粉和二氧化硅粉为原料,经混料压块过程,压成混合粉块;放入直流电弧发电装置,以氩气为反应气体,在电压为20V电流为100A下,放电反应10分钟,制得白色粉末的硅碳氧非晶纳米线。纳米线的直径为10~100nm,长度为10~150μm。本发明方法简单、环保、低成本、产量高、反应迅速、可重复性高;制备的样品纯度高、稳定性好、抗氧化性好等优点;在量子元器件、光致发光领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN101519203A
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200910066577.1
申请日:2009-02-27
申请人: 吉林大学
IPC分类号: C01B33/00
摘要: 本发明的硅碳氧化合物非晶纳米线及其制备方法属于一维纳米结构材料的技术领域。纳米线由C、Si和O相互间成键组成,C、Si和O原子比例为13~30∶38~52∶100。制备是以硅粉、碳粉和二氧化硅粉为原料,经混料压块过程,压成混合粉块;放入直流电弧发电装置,以氩气为反应气体,在电压为20V电流为100A下,放电反应10分钟,制得白色粉末的硅碳氧非晶纳米线。纳米线的直径为10~100nm,长度为10~150μm。本发明方法简单、环保、低成本、产量高、反应迅速、可重复性高;制备的样品纯度高、稳定性好、抗氧化性好等优点;在量子元器件、光致发光领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN101513996A
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200910066670.2
申请日:2009-03-23
申请人: 吉林大学
IPC分类号: C01B21/072
摘要: 本发明的一种氮化铝纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝纳米梳是纳米线阵列形成的双边梳状结构,或是双边梳状结构与单边梳状结构相混的纳米梳;纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成;纳米线的直径一般约为50~80nm,长度约1~1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置,在高温低压系统条件下,使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应,制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN纳米梳结构;制备方法简单,重复性好,时间短,成本低,对环境友好;将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。
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公开(公告)号:CN101531350B
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200910066831.8
申请日:2009-04-16
申请人: 吉林大学
IPC分类号: C01B21/068 , B82B1/00 , B82B3/00
摘要: 本发明的氮化硅纳米梳及其制备方法属于纳米材料及制备的技术领域。纳米梳中纳米线是由Si3N4组成的,纳米线阵列形成梳状。制备方法是采用直流电弧放电装置;以硅粉、碳粉和二氧化硅粉为原料,压成混合粉块;放入直流电弧发电装置,充入氮气至气压为10~30kPa,在电压20~40V电流80~120A条件下,放电反应5~10分钟,制得白色粉末的氮化硅纳米梳。本发明方法简单、环保、低成本;纳米线制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点;产品在量子元器件,光致发光,纳米机电系统等方面有应用潜力。
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公开(公告)号:CN101508427B
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200910066671.7
申请日:2009-03-23
申请人: 吉林大学
IPC分类号: C01B21/072
摘要: 本发明的一种氮化铝单边纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝单边纳米梳由纳米线阵列形成的单边梳状结构,纳米线在中间主干一侧生长出来;纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成;纳米线的直径一般约为50~80nm,长度约1~1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置,在高温低压系统条件下,使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应,制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN单边纳米梳结构;制备方法简单,重复性好,时间短,成本低,对环境友好;将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。
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公开(公告)号:CN101531350A
公开(公告)日:2009-09-16
申请号:CN200910066831.8
申请日:2009-04-16
申请人: 吉林大学
IPC分类号: C01B21/068 , B82B1/00 , B82B3/00
摘要: 本发明的氮化硅纳米梳及其制备方法属于纳米材料及制备的技术领域。纳米梳中纳米线是由Si3N4组成的,纳米线阵列形成梳状。制备方法是采用直流电弧放电装置;以硅粉、碳粉和二氧化硅粉为原料,压成混合粉块;放入直流电弧发电装置,充入氮气至气压为10~30kPa,在电压20~40V电流80~120A条件下,放电反应5~10分钟,制得白色粉末的氮化硅纳米梳。本发明方法简单、环保、低成本;纳米线制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点;产品在量子元器件,光致发光,纳米机电系统等方面有应用潜力。
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