-
公开(公告)号:CN110504107A
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201910770375.9
申请日:2019-08-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于材料领域,提供了一种纳米复合电极材料及其制备方法和超级电容器,包括如下步骤:对泡沫铜进行预处理,得到直径为100~200nm,形貌为尖端窄、下端宽的柱状氧化铜纳米阵列;将所述氧化铜纳米阵列放置于电化学沉积容器中,加入过渡金属硫化物电沉积液,通电,使所述过渡金属硫化物电沉积在所述氧化铜纳米阵列上,得到直径为280~320nm,形貌为圆柱状阵列的纳米复合电极材料。通过该方法制得的纳米复合电极材料的循环稳定性、倍率性能高,能有效地增加与电解液的接触面积,其上具有更多的电化学活性位点,有利于提高其储能能力,可用作超级电容器的电极材料,制备成本低,重复性好,工艺简单,具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号:CN110492100A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201910821560.6
申请日:2019-09-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及电池材料技术领域,具体涉及锰酸锌纳米粒子碳布复合材料及其制备方法和锂离子电池。锰酸锌纳米粒子碳布复合材料的制备方法,具体包括:将碳布用浓硝酸浸泡后加热反应获得预处理碳布,并采用有机溶剂和水进行超声处理后干燥获得活化碳布;将锌盐、锰盐、柠檬酸和十六烷基三甲基溴化铵溶于无水乙醇中,搅拌反应获得混合溶液;将活化碳布加入至混合溶液中,静置并在加热反应获得锰酸锌纳米粒子碳布复合材料粗品,进行清洗处理并干燥获得锰酸锌纳米粒子碳布复合材料。该制备方法成本低、重复性好,工艺简单,且获得复合材料具有良好的附着力和电子导电性,同时能够有效的避免纳米粒子的团聚,增加循环稳定。
-
公开(公告)号:CN110504107B
公开(公告)日:2020-10-16
申请号:CN201910770375.9
申请日:2019-08-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于材料领域,提供了一种纳米复合电极材料及其制备方法和超级电容器,包括如下步骤:对泡沫铜进行预处理,得到直径为100~200nm,形貌为尖端窄、下端宽的柱状氧化铜纳米阵列;将所述氧化铜纳米阵列放置于电化学沉积容器中,加入过渡金属硫化物电沉积液,通电,使所述过渡金属硫化物电沉积在所述氧化铜纳米阵列上,得到直径为280~320nm,形貌为圆柱状阵列的纳米复合电极材料。通过该方法制得的纳米复合电极材料的循环稳定性、倍率性能高,能有效地增加与电解液的接触面积,其上具有更多的电化学活性位点,有利于提高其储能能力,可用作超级电容器的电极材料,制备成本低,重复性好,工艺简单,具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号:CN106987863A
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201710152042.0
申请日:2017-03-15
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P10/234 , C25C1/24 , C25C7/02 , C25D3/562 , C25D17/10
Abstract: 本发明涉及单脉冲电沉积光亮双相双峰纳米晶镍钴合金的制备工艺。具体步骤是:电镀前先将电镀液经活性炭吸附除杂和电解除杂,然后在霍尔槽装置中进行预镀试验确定光亮双相双峰镍钴合金镀层的条件。在PH值稳定在2~5之间,浓度为硫酸镍50~70g/L、氯化镍40~60g/L、硫酸钴40~50g/L为主盐的镀液中进行电镀,以可溶性镍板经表面处理后作为阳极,不锈钢经表面处理后作为阴极,采用单脉冲电沉积光亮双相双峰纳米晶镍钴合金的镀层,其中电沉积时间为2h~4h,脉冲电流密度为2.5~3A/dm2,占空比为20%~40%,周期为1~2ms,搅拌速度为100~500r/min。该方法制得的镍钴合金镀层表面光亮,结构致密,结晶细致,平整性好,无裂纹,且具有很好的耐腐蚀性能和较高的强度和塑性。
-
公开(公告)号:CN106756852A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710013738.5
申请日:2017-01-09
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/165
Abstract: 一种不同相结构的纳米晶金属钴薄膜的制备方法,尤其是采用可程式直流磁控溅射法并通过控制占空比和溅射功率来制备纯FCC和HCP相及其混合相的纳米晶钴薄膜。溅射电源采用可程式直流电源,溅射靶材为纯度达到99.9wt%以上的钴靶,衬底为单晶Si片(100),在沉积之前,将Si片清洗,真空室的本底真空抽至3‑5x10‑4Pa以上,溅射室内通入高纯氩气,工作压强设置为1.5‑2Pa,衬底的温度保持为室温;占空比为50%,溅射功率150‑200W,制备纯HCP相薄膜;占空比为67%,溅射功率为150‑200W,制备FCC和HCP混合相钴薄膜;占空比为100%,溅射功率为150‑200W,制备纯FCC相薄膜。本发明操作简单,重复性好,实现效果良好。
-
-
-
-