一种准一维层状结构的三硫化钛晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112877774A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110046959.9

    申请日:2021-01-14

    申请人: 吉林大学

    摘要: 本发明适用于过渡金属硫族化合物技术领域,提供了一种准一维层状结构的三硫化钛晶体及其制备方法和应用,该三硫化钛晶体的制备方法包括以下步骤:将钛粉和硫粉按照1:(3~3.5)的钛硫摩尔比进行混合后,再置于温度为580~620℃的保护气氛下进行反应,得到所述三硫化钛晶体。本发明实施例提供的三硫化钛晶体的制备方法,是利用化学气相传输法(CVT)制备了三硫化钛晶体,其克服以往诸多的限制,具有原料单一、操作简单易行、重复性好、成本低廉、反应毒性小等特点;该制备方法制得的三硫化钛晶体的纯度高、晶粒发育完整、分布均匀、形貌规则。

    一种制备二硫化钛晶体的方法及产物

    公开(公告)号:CN112111788A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010944158.X

    申请日:2020-09-10

    申请人: 吉林大学

    摘要: 本发明的一种制备二硫化钛晶体的方法及产物属于IVB‑VIA族过渡金属硫族化合物制备技术领域。在手套箱中将钛粉和硫粉依次装入石英管中,静置1‑2小时后,将石英管密封,然后在120℃的烤灯下放置4‑6小时后放入管式炉中,抽真空三次后,通入氩气,在管式炉中密封反应48小时,待其冷却至室温,得到二硫化钛晶体。所述的二硫化钛晶体是1T‑TiS2,六方系晶体,空间群P‑3m1;具有层状结构,晶片长10~11μm、宽11~13μm、厚1~2μm。本发明操作简单易行、重复性好、成本低廉,制备出的TiS2晶体具有纯度高、晶片发育完整、分布均匀等优点。